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반도체 소자용 웨이퍼

  • 기술번호 : KST2014037006
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자용 웨이퍼에 관한 것이다. 상기 반도체 소자용 웨이퍼는, 기판; 상기 기판위에 형성된 제1 절연막; 상기 제1 절연막위에 형성된 전하 저장층; 상기 전하 저장층 위에 형성된 제2 절연막; 상기 제2 절연막위에 형성된 반도체 박막; 을 구비한다. 특히, 단일 트랜지스터 DRAM 셀 소자의 제작에 유용하게 사용되어, 셀 소자의 축소화 특성 및 성능을 개선할 수 있다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/792 (2006.01.01)
CPC H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01) H01L 27/10802(2013.01)
출원번호/일자 1020100008768 (2010.01.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0088992 (2011.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종호 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0065617-44
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0013147-27
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0102797-56
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0104448-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0196392-86
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.06.13 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0443191-97
7 보정요구서
Request for Amendment
2011.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0055018-54
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2011.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0063314-07
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0422752-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판위에 형성된 제1 절연막;상기 제1 절연막위에 형성된 전하 저장층;상기 전하 저장층 위에 형성된 제2 절연막;상기 제2 절연막위에 형성된 반도체 박막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 웨이퍼
2 2
제1항에 있어서, 상기 전하 저장층은 절연물질, 반도체 및 금속 물질 중 하나로 이루어지며, 상기 전하 저장층의 에너지 밴드갭(Eg)은 제1 절연막 및 제2 절연막의 에너지밴드 갭과 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 웨이퍼
3 3
제1항에 있어서, 상기 전하 저장층은 박막으로 형성되거나 다수의 나노크기 도트(dot)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 웨이퍼
4 4
제1항에 있어서, 상기 반도체 박막은 단일의 반도체 박막으로 이루어지거나, 2 층 이상의 다수개의 층으로 이루어 질 수 있으며, 다수개의 층으로 이루어지는 경우 인접한 박막들의 에너지 밴드갭은 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 웨이퍼
5 5
제1항에 있어서, 상기 반도체 소자용 웨이퍼는 기판과 제1 절연막의 사이에 기판과 불순물 유형이 다른 반도체층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 웨이퍼
6 6
제1항에 있어서, 상기 반도체 소자용 웨이퍼는,상기 기판위에 형성된 제3 절연막;반도체 물질이나 도체 물질로 이루어져 상기 제3 절연막위에 형성된 도전층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경북대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 기능성 소재기반의 가스 감지 소자제조 및 집적공정개발