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기판 상에 게이트 전극을 형성하고,상기 게이트 전극의 측면 및 상기 게이트 전극에 가까운(near) 상기 기판 상에 제1 버퍼 층, 제2 버퍼 층, 및 제3 버퍼 층을 차례로 형성하되, 상기 제3 버퍼 층은 상기 제2 버퍼 층보다 높은 유전상수를 갖는 물질 막이고,상기 제3 버퍼 층 상에 상기 게이트 전극의 측면을 덮는 제1 스페이서를 형성하되, 상기 게이트 전극에 가까운(near) 상기 기판 상에 상기 제3 버퍼 층이 노출되고,상기 노출된 제3 버퍼 층을 제거하여 상기 기판 상에 상기 제2 버퍼 층을 노출하고,상기 노출된 제2 버퍼 층을 제거하여 상기 기판 상에 상기 제1 버퍼 층을 노출하고,상기 제1 스페이서를 이온주입 마스크로 사용하여 상기 기판 내에 깊은 접합(deep junction)을 형성하고,상기 제1 스페이서를 제거하는 것을 포함하되,상기 제1 스페이서를 제거하는 동안 상기 제1 버퍼 층은 상기 깊은 접합(deep junction) 상에 보존되며,상기 제1 스페이서는 상기 제3 버퍼 층, 상기 제2 버퍼 층 및 상기 제1 버퍼 층과 다른 물질 막을 포함하는 반도체소자 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 제3 버퍼 층은 금속을 포함하는 절연 막인 반도체소자 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 버퍼 층은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 제2 버퍼 층은 실리콘 질화물을 포함하고, 상기 제1 스페이서는 폴리실리콘 또는 비정질 실리콘을 포함하는 반도체소자 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 버퍼 층은 상기 제3 버퍼 층과 다른 물질 막을 포함하되,상기 제3 버퍼 층의 두께는 상기 제2 버퍼 층의 두께보다 얇은 반도체소자 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 제3 버퍼 층을 형성하는 것은상기 제1 버퍼 층 상에 상기 제2 버퍼 층을 형성하고,상기 제2 버퍼 층의 표면에 금속원소를 도핑(doping)하는 것을 포함하는 반도체소자 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 노출된 제3 버퍼 층을 제거하는 것은 등방성 식각 공정을 포함하되,상기 노출된 제3 버퍼 층을 제거하는 동안 상기 제2 버퍼 층은 상기 제1 버퍼 층 상에 보존되는 반도체소자 형성방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 스페이서 및 상기 제2 버퍼 층 사이에 언더컷(under-cut) 영역이 형성된 반도체소자 형성방법
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제1 항에 있어서,상기 노출된 제2 버퍼 층을 제거하는 것은 등방성 식각 공정을 포함하되,상기 노출된 제2 버퍼 층을 제거하는 동안 상기 제1 버퍼 층은 상기 게이트 전극에 가까운(near) 상기 기판 상에 보존되고,상기 제2 버퍼 층은 상기 제1 버퍼 층과 다른 물질 막인 반도체소자 형성방법
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제8 항에 있어서,상기 제1 스페이서 및 상기 제1 버퍼 층 사이에 언더컷(under-cut) 영역이 형성된 반도체소자 형성방법
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기판 상에 게이트 전극을 형성하고,상기 게이트 전극의 측면 및 상기 기판 상을 덮는 내측 스페이서(inner spacer)를 형성하고,상기 게이트 전극에 가까운(near) 상기 기판 내에 얕은 접합(shallow junction)을 형성하고,상기 내측 스페이서 상에 버퍼 층 및 식각 정지 막을 차례로 형성하되, 상기 식각 정지 막은 금속원소를 갖는 절연 막이고,상기 식각 정지 막 상에 상기 게이트 전극의 측면을 덮는 외측 스페이서(outer spacer)를 형성하되, 상기 얕은 접합 상에 상기 식각 정지 막을 노출하고,상기 노출된 식각 정지 막을 제거하여 상기 얕은 접합 상에 상기 버퍼 층을 노출하고,상기 노출된 버퍼 층을 제거하여 상기 얕은 접합 상에 상기 내측 스페이서를 노출하고,상기 외측 스페이서를 이온주입 마스크로 사용하여 상기 기판 내에 깊은 접합(deep junction)을 형성하고,상기 외측 스페이서를 제거하고,상기 노출된 내측 스페이서를 제거하여 상기 기판을 노출하고,상기 깊은 접합(deep junction) 상에 금속 실리사이드 층을 형성하는 것을 포함하되,상기 외측 스페이서는 상기 식각 정지 막, 상기 버퍼 층 및 상기 내측 스페이서와 다른 물질 막을 포함하는 반도체소자 형성방법
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