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저항 변화 메모리 소자
- 기술번호 : KST2014050432
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본원은, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며 서로 접합된 저항변화층과 스위치층을 포함하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는, 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 저항 변화 메모리 소자를 포함하는 메모리 어레이를 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110000131 (2011.01.03) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1485024-0000 (2015.01.15) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0078853 (2012.07.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20150122) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.09.10) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 노태원 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 2 | 장서형 | 대한민국 | 경기도 부천시 소사구 |
| 3 | 이신범 | 대한민국 | 광주광역시 남구 |
| 4 | 강보수 | 대한민국 | 경기도 안산시 상록구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인엠에이피에스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.01.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0001062-61 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.01.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0003970-32 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0096776-45 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.09.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0826154-15 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.09.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0826153-69 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.03.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.04.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0026117-71 |
| 10 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0764781-13 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0593103-79 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.10.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1004177-65 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1004176-19 |
| 14 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2014.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0821696-58 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.12.16 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-1219900-56 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1219899-97 |
| 17 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0897899-23 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 형성되며 서로 접합된 저항변화층과 스위치층을 포함하는 박막층; 및,상기 박막층 상에 형성된 제 2 전극:을 포함하는, 저항 변화 메모리 소자로서,상기 저항 변화 메모리 소자에 있어서, 상기 스위치층으로부터 정보가 읽혀지는 문턱전압(Vth)이 하기 조건들을 만족하는 것이며:Vth ＜ ｜VRESET｜; Vth ＜ VSET; 및,Vread/2 ＜ Vth ＜ Vread;여기서, Vread(리드 전압)은 상기 저항변화층의 정보를 읽기 위해 상기 저항 변화 메모리 소자에 인가된 전압이고, VSET(셋 전압)은 상기 저항변화층이 ON 상태로 변화하는 전압이고, 및 VRESET(리셋 전압)은 상기 저항변화층이 OFF 상태로 변화하는 전압이며,상기 스위치층은 양방향(bi-directional) 스위칭 특성을 가지는 VO2를 포함하는 것이며,상기 전극의 크기가 줄어들수록 리셋 전류가 10-8 A까지 감소하는 것인,저항 변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 저항변화층은 양극성 (bipolar) 저항 변화 성질을 가지는 물질을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 저항변화층은 Ni 산화물, Cu 산화물, Ti 산화물, Co 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Zn 산화물, W 산화물, Nb 산화물, TiNi 산화물, LiNi 산화물, Al 산화물, InZn 산화물, V 산화물, SrZr 산화물, SrTi 산화물, 망가나이트(Manganite) 산화물, Cr 산화물, Fe 산화물, Ta 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 산화물을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 삭제 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 또는 상기 제 2 전극 각각은 독립적으로 금속 전극 또는 산화물 전극을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 저항변화층 또는 상기 스위치층은 각각 독립적으로 단일층 또는 복수층을 포함하는 것인, 저항 변화 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1 방향으로 형성된 복수개의 제 1 전극 라인;각각의 상기 제 1 전극 라인 상에 형성되며, 서로 접합된 저항변화층과 스위치층을 포함하는 박막층; 및,상기 박막층 상에 제 2 방향으로 형성된 복수개의 제 2 전극 라인:을 포함하는, 저항 변화 메모리 어레이로서, 상기 저항 변화 메모리 어레이에 있어서, 상기 스위치층으로부터 정보가 읽혀지는 문턱전압(Vth)이 하기 조건들을 만족하는 것이며:Vth ＜ ｜VRESET｜; Vth ＜ VSET; 및,Vread/2 ＜ Vth ＜ Vread;여기서, Vread(리드 전압)은 상기 저항변화층의 정보를 읽기 위해 상기 저항 변화 메모리 어레이에 인가된 전압이고, VSET(셋 전압)은 상기 저항변화층이 ON 상태로 변화하는 전압이고, 및 상기 VRESET(리셋 전압)은 상기 저항변화층이 OFF 상태로 변화하는 전압이며,상기 스위치층은 양방향(bi-directional) 스위칭 특성을 가지는 VO2를 포함하는 것이며,상기 전극의 크기가 줄어들수록 리셋 전류가 10-8 A까지 감소하는 것인,저항 변화 메모리 어레이 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 복수개의 제 1 전극 라인 및 상기 복수개의 제 2 전극 라인은 서로 교차하여 반복 적층되며, 상기 제 1 전극 라인 및 상기 제 2 전극 라인의 교차점에 상기 박막층이 형성되어 있는 3 차원의 크로스바 구조를 형성하는, 저항 변화 메모리 어레이 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US20120168706 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2012168706 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 서울대학교산학협력단 | 리더연구자지원사업 | 원자 및 전자 단위조작을 통한 신기능성을 갖는 산화물 계면 연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1485024-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110103 출원 번호 : 1020110000131 공고 연월일 : 20150122 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141231 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 저항 변화 메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2015년 01월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 135,800 원 | 2017년 12월 21일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 97,000 원 | 2019년 01월 02일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 97,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.01.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0001062-61 |
| 2 | 보정요구서 | 2011.01.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0003970-32 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0096776-45 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.09.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0826154-15 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.09.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0826153-69 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.03.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 | 2014.04.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0026117-71 |
| 10 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0764781-13 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2014.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0593103-79 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.10.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1004177-65 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1004176-19 |
| 14 | 최후의견제출통지서 | 2014.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0821696-58 |
| 15 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.12.16 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2014-1219900-56 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1219899-97 |
| 17 | 등록결정서 | 2014.12.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0897899-23 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술번호 | KST2014050432 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서울대학교 |
| 기술명 | 저항 변화 메모리 소자 |
| 기술개요 |
본원은, 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며 서로 접합된 저항변화층과 스위치층을 포함하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하는, 저항 변화 메모리 소자, 및 상기 저항 변화 메모리 소자를 포함하는 메모리 어레이를 제공한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345152018 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0020416 |
| 연구과제명 | 원자 및 전자 단위조작을 통한 신기능성을 갖는 산화물 계면 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201005~202004 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | BT(생명공학기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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