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상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014053115
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명의 실시예들은 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막의 상기 콘택 홀을 채우도록, 상기 층간 절연막 상에 상변화 재료층 및 버퍼층을 교번시켜 적층함으로써, 적층된 층 구조 내에 상기 상변화 재료층과 상기 버퍼층 사이의 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및 상기 적층된 층 구조를 열처리하여, 상기 콘택 홀 내로 상기 상변화 재료층을 리플로우시키는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) |
| CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110072779 (2011.07.22) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1264533-0000 (2013.05.08) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0011550 (2013.01.30) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130514) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.07.22) |
| 심사청구항수 | 20 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황철성 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 2 | 엄태용 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김권석 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0566001-37 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0069402-56 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.09.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0684118-15 |
| 4 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.09.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0083645-62 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2011.09.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0712841-09 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0576976-87 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.11.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0971836-67 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.11.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0971837-13 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.03.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0181404-75 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2014.07.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0646407-28 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막의 상기 콘택 홀을 채우도록, 상기 층간 절연막 상에 상변화 재료층 및 버퍼층을 교번시켜 적층함으로써, 적층된 층 구조 내에 상기 상변화 재료층과 상기 버퍼층 사이의 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및상기 적층된 층 구조를 열처리하여, 상기 콘택 홀 내로 상기 상변화 재료층을 리플로우시키는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계는, 상기 적층된 층 구조의 오버행에 의해 상기 콘택 홀의 개구부가 폐색되는 단계; 및상기 개구부가 폐색되는 단계 이후에, 상기 오버행 상에 상기 상변화 재료층 및 상기 버퍼층 중 다음 순서의 층을 더 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층의 녹는점은 상기 상변화 재료층의 녹는점보다 낮은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 리플로우시키는 단계는, 상기 버퍼층의 녹는점으로부터 상기 상변화 재료층의 녹는점 미만의 온도 사이에서 수행되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은, 상기 상변화 재료층의 고상(S)과 상기 상변화 재료층의 액상(L) 사이의 계면 에너지(γSL)와 상기 상변화 재료층의 액상(L)과 상기 버퍼층의 액상(L) 사이의 계면 에너지(γLI)의 합(γSL + γLI)이 상기 상변화 재료층의 고상(S)과 상기 버퍼층의 액상(I) 사이의 계면 에너지(γSI) 보다 작도록 선택되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 상변화 재료층의 구성 원소들로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 원소들의 조합을 포함하는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 상변화 재료층의 구성 원소들 중 최대 휘발성 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 상변화 재료층은 Ge, Sb, Te, Sn, Au, Bi, Ag, In, N, C, Si로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 상변화 재료층의 구성 원소들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 상변화 재료층은, GeSb2Te3, Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4, GeTeAs, GeSnTe, SeSnTe, GaSeTe, GeTeSnAu, SeSb2, InSe, GeTe, BiSeSb, PdTeGeSn, InSeTiCo, InSbTe, In3SbTe2, GeTeSb2, GeTe3Sb, GeSbTePd 및 AgInSbTe로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나이고, 상기 버퍼층은, Te만을 포함하거나, Sb와 Te의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서,상기 상변화 재료층은, Ge2Sb2Te5를 포함하고, 상기 버퍼층은 Sb2Te3를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계 이전에,상기 콘택 홀의 측벽에 전기 절연성 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| 13 |
13 기판 상에 형성된 전극의 표면을 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막; 및상기 콘택 홀 내로, 상변화 재료층 및 버퍼층이 적어도 1회 이상 교번하여 형성된 적층된 막 구조가 리플로우되어 형성된 상변화 메모리막을 포함하는 상변화 메모리 소자 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 버퍼층의 녹는점은 상기 상변화 재료층의 녹는점보다 낮은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 상기 상변화 재료층의 고상(S)과 상기 상변화 재료층의 액상(L) 사이의 계면 에너지(γSL)와 상기 상변화 재료층의 액상(L)과 상기 버퍼층의 액상(I) 사이의 계면 에너지(γLI)의 합(γSL + γLI)이 상기 상변화 재료층의 고상(S)과 상기 버퍼층의 액상(I) 사이의 계면 에너지(γSI) 보다 작도록 선택되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 16 |
16 제 13 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 상변화 재료층을 구성하는 원소들로부터 선택된 2 이상의 원소들의 조합으로 이루어진 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 17 |
17 제 13 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 상변화 재료층을 구성하는 원소들 중 최대 휘발성을 갖는 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 18 |
18 제 13 항에 있어서,상기 상변화 재료층은 Ge2Sb2Te5를 포함하고, 상기 버퍼층은 Sb2Te3를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 19 |
19 제 13 항에 있어서,상기 상변화 재료층은 Ge, Sb, Te, Sn, Au, Bi, Ag, In, N, C, Si로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 원소들을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 20 |
20 제 13 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 상변화 재료층의 구성 원소들 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 서울대학교 산학협력단 | 원천기술개발사업 | 분자제어 기술을 통한 전자 기능 박막 제조 및 특성 평가 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1264533-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110722 출원 번호 : 1020110072779 공고 연월일 : 20130514 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130319 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 412,500 원 | 2013년 05월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2016년 01월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 04월 21일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 240,000 원 | 2018년 04월 25일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 481,600 원 | 2019년 09월 02일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 442,900 원 | 2020년 05월 13일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0566001-37 |
| 2 | 보정요구서 | 2011.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0069402-56 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.09.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0684118-15 |
| 4 | 보정요구서 | 2011.09.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0083645-62 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2011.09.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0712841-09 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2012.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0576976-87 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.11.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0971836-67 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.11.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0971837-13 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 11 | 등록결정서 | 2013.03.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0181404-75 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서 | 2014.07.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0646407-28 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술번호 | KST2014053115 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서울대학교 |
| 기술명 | 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명의 실시예들은 상변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막의 상기 콘택 홀을 채우도록, 상기 층간 절연막 상에 상변화 재료층 및 버퍼층을 교번시켜 적층함으로써, 적층된 층 구조 내에 상기 상변화 재료층과 상기 버퍼층 사이의 접촉 계면을 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및 상기 적층된 층 구조를 열처리하여, 상기 콘택 홀 내로 상기 상변화 재료층을 리플로우시키는 단계를 포함한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415117601 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10034831 |
| 연구과제명 | PRAM 및 ReRAM 장비용 Precursor 및 ALD 공정 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200911~201210 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1711005342 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50170 |
| 연구과제명 | 분자제어 기술을 통한 전자 기능 박막 제조 및 특성 평가 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200907~201406 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415117601 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10034831 |
| 연구과제명 | PRAM 및 ReRAM 장비용 Precursor 및 ALD 공정 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200911~201210 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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