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3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014058522
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예들은 3차원 비휘발성 메모리 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 3차원 비휘발성 메모리 장치는, 서로 평행하게 이격된 복수의 도전성 라인들; 상기 복수의 도전성 라인들을 가로지르면서 서로 평행하게 이격된 복수의 도전성 평판들; 및 상기 복수의 도전성 라인들과 상기 복수의 도전성 평판들의 교차 영역들 사이에 각각 배치되는 비휘발성 정보 저장막 패턴을 포함한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110056207 (2011.06.10)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1331859-0000 (2013.11.15)
공개번호/일자 10-2012-0136963 (2012.12.20) 문서열기
공고번호/일자 (20131121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130039522;
심사청구여부/일자 Y (2011.06.10)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구
2 석준영 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0437855-19
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0054404-07
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0559837-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0024572-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0603245-54
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-1025194-09
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0027589-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0125309-97
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0211667-67
13 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0028604-46
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0313016-24
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0313017-70
16 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0313059-87
17 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0563666-79
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
각각 기판 상에서 상기 기판의 주면에 평행한 제 1 방향으로 연장되고, 상기 주면에 평행하되 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향 및 상기 주면에 수직한 제 3 방향으로 서로 평행하게 이격되면서 3차원적으로 반복 배열된 복수의 도전성 라인들;각각 상기 기판의 주면에 대해 수직하고, 복수의 도전성 라인들을 가로질러 확장되어 상기 복수의 도전성 라인들이 관통된 영역에 교차 영역들을 정의하고, 상기 제 1 방향으로 평행하게 이격되어 반복 배열된 복수의 도전성 평판들;상기 교차 영역들 내에서, 상기 복수의 도전성 평판들의 내측벽과 상기 복수의 도전성 라인들의 표면 사이에 각각 배치되어 직렬 연결된 비휘발성 정보 저장막 패턴, 선택 다이오드막 패턴 및 상기 비휘발성 정보 저장막 패턴과 상기 선택 다이오드막 패턴 사이에 삽입 전극층을 포함하는 3차원 비휘발성 메모리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 비휘발성 정보 저장막 패턴은, 상변화 재료, 가변 저항성 재료, 프로그램 가능한 금속화셀(programmable metalliztion cell; PMC) 재료, 자성체 재료 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 비휘발성 메모리 장치
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 비휘발성 정보 저장막 패턴과 상기 선택 다이오드막 패턴은 상기 복수의 도전성 라인들을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 3차원 비휘발성 메모리 장치
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 복수의 도전성 평판들 사이에 배치되는 절연막 패턴을 포함하는 3차원 비휘발성 메모리 장치
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 절연막 패턴 및 상기 복수의 도전성 라인들을 연속적으로 관통하는 지지 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 비휘발성 메모리 장치
10 10
기판 상에 제 1 희생막 및 상기 희생막 상의 도전막을 교번하여 적어도 2 회 이상 반복 적층하는 단계;상기 기판의 주면에 평행한 제 1 방향으로 연장된 라인 패턴을 갖는 제 1 식각 마스크막을 상기 반복 적층된 막의 최상위 층 상에 형성하는 단계;상기 제 1 식각 마스크막을 이용하여, 상기 제 1 희생막 및 상기 도전막을 연속적으로 식각하여, 희생막 라인 패턴들과 도전성 라인 패턴들이 반복적으로 적층된 복수의 적층 라인 패턴들을 형성하는 단계;상기 복수의 적층 라인 패턴들 내의 상기 희생막 라인 패턴들을 제거하여, 상기 도전성 라인 패턴들을 노출시키는 단계;상기 도전성 라인 패턴들 상에, 비휘발성 정보 저장막 및 다이오드막 및 상기 비휘발성 정보 저장막과 상기 다이오드막 사이에 삽입 전극막을 형성하는 단계;상기 비휘발성 정보 저장막, 상기 다이오드막 및 상기 삽입 전극막이 형성된 상기 도전성 라인 패턴들 사이를 매립하는 제 2 희생막을 형성하는 단계;상기 제 2 희생막 상에 상기 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 연장된 라인 패턴을 갖는 제 2 식각 마스크막을 형성하는 단계;상기 제 2 식각 마스크막을 이용하여 상기 제 2 희생막을 패터닝하여, 상기 비휘발성 정보 저장막, 상기 다이오드막 및 상기 삽입 전극막이 적층된 도전성 라인 패턴들과 교차하는 제 2 희생막 패턴들을 형성하는 단계;식각 마스크로서 상기 제 2 희생막 패턴들을 이용하여, 상기 제 2 희생막 패턴들 사이에 노출된 상기 도전성 라인 패턴들 상의 상기 비휘발성 정보 저장막, 상기 다이오드막 및 상기 삽입 전극막을 연속적으로 식각하여, 상기 도전성 라인 패턴들의 표면을 노출시키는 단계;상기 제 2 희생막 패턴들 사이에 노출된 상기 도전성 라인 패턴들의 일부를 매립하도록, 상기 제 2 희생막 패턴들 사이에 절연막 패턴들을 형성하는 단계;상기 제 2 희생막 패턴들을 제거하여, 상기 절연막 패턴들 사이에 비휘발성 정보 저장막 패턴, 선택 다이오드막 패턴 및 삽입 전극막 패턴이 형성된 상기 도전성 라인 패턴들의 부분을 노출시키는 단계; 및 상기 정보 저장막 패턴, 선택 다이오드막 패턴 및 삽입 전극막 패턴이 형성된 복수의 도전성 라인 패턴들의 노출된 부분을 매립하도록, 상기 절연막 패턴들 사이에 도전성 평판들을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 10 항에 있어서,상기 비휘발성 정보 저장막은, 상변화 재료, 가변 저항성 재료, 프로그램 가능한 금속화셀(programmable metalliztion cell; PMC) 재료, 자성체 재료 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
13 13
삭제
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5 US20140124729 US 미국 FAMILY
6 US20160225825 US 미국 FAMILY
7 WO2012169850 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2012169850 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
9 WO2012169850 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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