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기판 상에 형성된 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 형성된 발열 전극층;상기 발열 전극층 상에 형성된 상변화층;상기 상변화층 상에 형성되고, 실리콘계 물질막 또는 금속 산화막으로 이루어지고, 전기적으로 직접 터널링 전류가 흐를수 있는 차폐층; 및 상기 차폐층 상에 형성된 상부 전극층을 포함하여 이루어지되,상기 상변화층과 상부 전극층 사이에 형성된 차폐층으로 인해, 상기 상변화층과 상부 전극층 사이를 물리화학적으로 차폐하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 차폐층을 구성하는 실리콘계 물질막은 실리콘계 산화물 또는 실리콘계 질화막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 발열 전극층 상에는 상기 발열 전극층의 일부 영역을 노출하는 개구부를 갖는 절연층 패턴이 형성되어 있고, 상기 상변화층은 상기 개구부를 매립하면서 상기 절연층 패턴 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극층 상에는 상기 하부 전극층의 일부 영역을 노출하는 개구부를 갖는 절연층 패턴이 형성되어 있고, 상기 발열 전극층은 상기 개구부에 매립되어 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 상변화층의 양측벽에도 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서, 상기 차폐층을 구성하는 금속 산화막의 두께는 1nm 이상 10nm 이하인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
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기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 전극층 상에 발열 전극층을 형성하는 단계;상기 발열 전극층 상에 상변화층을 형성하는 단계;상기 상변화층 상에 실리콘계 물질막 또는 금속 산화막으로 이루어지고 전기적으로 직접 터널링 전류가 흐를수 있는 차폐층을 형성하는 단계; 및 상기 차폐층 상에 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지되,상기 상변화층과 상부 전극층 사이에 형성된 차폐층으로 인해, 상기 상변화층과 상부 전극층 사이를 물리화학적으로 차폐하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 발열 전극층 상에 상기 발열 전극층의 일부 영역을 노출하는 개구부를 갖는 절연층 패턴을 더 형성하고, 상기 상변화층을 상기 개구부를 매립하면서 상기 절연층 패턴 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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9
제7항에 있어서, 상기 하부 전극층 상에 상기 하부 전극층의 일부 영역을 노출하는 개구부를 갖는 절연층 패턴을 더 형성하고, 상기 발열 전극층을 상기 개구부에 매립되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 차폐층은 상기 상변화층의 양측벽에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 상변화층 및 차폐층을 형성하는 단계는,상기 발열 전극층 상에 상변화 물질층을 형성하는 단계와, 상기 상변화 물질층 상에 차폐 물질층을 형성하는 단계와, 상기 차폐 물질층 및 상변화 물질층을 동시에 패터닝하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 상변화층 및 차폐층을 형성하는 단계는,상기 발열 전극층 상에 상변화 물질층을 형성하는 단계와, 상기 상변화 물질층을 패터닝하여 상기 상변화층을 형성하는 단계와, 상기 상변화층의 표면 및 양측벽에 차폐 물질층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 차폐층을 형성하는 단계는상기 상변화층 상에 스퍼터링 증착법으로 금속막을 형성하는 단계와,상기 금속막을 스퍼터링 증착 장치 내부에서 플라즈마 처리를 통해 산화시켜 상기 차폐층을 구성하는 금속 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 차폐층을 금속 산화막으로 형성할 때, 그 두께는 1nm 이상 10nm 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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