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ＧＳＴ 나노점을 이용한 전하 트랩 플래시 기억소자

  • 기술번호 : KST2015135187
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랩 밀도가 크고 누설전류가 작은 새로운 형태의 전하 트랩 플래시 기억소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전하 트랩 플래시 기억소자는 채널영역에 의해 분리된 소스영역과 드레인영역을 갖는 반도체 기판과 반도체 기판의 채널영역 상에 형성된 터널링 절연막을 구비한다. 그리고 터널링 절연막 상에 형성된 칼코제나이드계 화합물 나노점과 칼코제나이드계 화합물 나노점이 덮이도록 터널링 절연막 상에 형성된 블로킹 절연막과 블로킹 절연막 상에 형성된 콘트롤 게이트를 구비한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020090065764 (2009.07.20)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1003451-0000 (2010.12.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20101228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0438904-78
2 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0566542-27
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0622596-87
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.09 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0646408-74
7 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2014.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0120020-64
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0696496-87
9 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2014.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0696515-67
10 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2014.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0133323-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
채널영역에 의해 분리된 소스영역과 드레인영역을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 채널영역 상에 형성된 터널링(tunneling) 절연막; 상기 터널링 절연막 상에 형성된 칼코제나이드계 화합물 나노점(nanodot); 상기 칼코제나이드계 화합물 나노점이 덮이도록 상기 터널링 절연막 상에 형성된 블로킹(blocking) 절연막; 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 콘트롤 게이트(control gate);를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 나노점과 블로킹 절연막 사이의 계면에 전하가 트랩되는 트랩 사이트(trap site)가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 나노점과 블로킹 절연막 사이의 계면에 형성되는 트랩 사이트의 밀도를 증가시키기 위해, 상기 블로킹 절연막은 플라즈마를 이용한 증착방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
4 4
제2항에 있어서, 상기 나노점과 블로킹 절연막 사이의 계면에 형성되는 트랩 사이트의 밀도를 증가시키기 위해, 상기 블로킹 절연막은 300 ℃ 이하의 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노점 형성시 상기 터널링 절연막 표면에 핵생성이 억제됨으로 인해 상기 나노점이 상기 터널링 절연막 상에서 아일랜드(island) 형태로 성장되도록, 상기 터널링 절연막은 나노점과 반응하여 반응물을 형성하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
6 6
제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 칼코제나이드계 화합물은 GST(Ge2Sb2Te5)인 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 GST는 사이클릭 플라즈마 강화 화학기상증착법(cyclic plasma enhanced chemical vapor deposition, cyclic PECVD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
8 8
제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 터널링 절연막은 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
9 9
제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 블로킹 절연막은 Al2O3 또는 HfO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 전하 트랩 플래시 기억소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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