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가변 저항체 및 이를 이용한 전자 소자들

  • 기술번호 : KST2015135976
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가변 저항체, 이를 이용한 전자 소자들에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 전극 및 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고 상기 제 1 전극과 쇼트키 장벽을 형성하는 강유전체막; 상기 강유전체막과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 강유전체막과 접하여 전자 트랩층을 제공하며, 상기 제 2 전극과 오믹 콘택을 형성하는 하나 이상의 금속 산화막을 포함하는 가변 저항체가 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020120033879 (2012.04.02)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1935608-0000 (2018.12.28)
공개번호/일자 10-2013-0111754 (2013.10.11) 문서열기
공고번호/일자 (20190104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.16)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울 강남구
2 박민혁 대한민국 경기 광명시 모세로 ,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0262430-04
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0042280-30
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0313725-42
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0259841-67
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0005626-11
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0241026-99
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0551120-74
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0662328-33
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0772597-00
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0772589-34
15 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0883105-88
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 강유전체막;상기 강유전체막과 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나의 전극 사이에 배치되는 이중층을 포함하며, 상기 이중층은 상기 강유전체막과 접하여 전자 트랩층을 제공하는 알루미늄 산화막 및 상기 어느 하나의 전극과 접하는 티타늄 산화막을 포함하는 가변 저항체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 강유전체막은 페로브스카이트계 무기 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
3 3
제 2 항에 있어서,상기 페로브스카이트계 무기 산화물은 PbZrxTi1-xO3,을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
4 4
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막은 화학양론적 Al2O3막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
5 5
제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막은 산소 결핍의 TiOx막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 강유전체막과 쇼트키 장벽을 형성하는 금속 재료로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 전극의 상기 금속 재료는 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 이들 금속의 도전성 질화물, 이들 금속의 도전성 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 티타늄 산화막과 오믹 콘택을 형성하는 금속 재료로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 2 전극의 상기 금속 재료는 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 이들 금속의 도전성 질화물, 이들 금속의 도전성 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
10 10
제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께는 상기 알루미늄 산화막의 두께보다 더 큰 것을 특징으로 하는 가변 저항체
11 11
제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께는 5 nm 내지 25 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
12 12
제 1 항에 있어서,상기 티타늄 산화막의 두께는 18 nm 내지 22 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
13 13
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막의 두께는 2 nm 내지 5 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
14 14
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 산화막의 두께는 2 nm 내지 3 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
15 15
제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고 상기 제 1 전극과 쇼트키 장벽을 형성하는 강유전체막;상기 강유전체막과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 상기 강유전체막과 접하여 전자 트랩층을 제공하며, 상기 제 2 전극과 오믹 콘택을 형성하는 하나 이상의 금속 산화막을 포함하는 가변 저항체
16 16
제 15 항에 있어서,상기 강유전체막은 PbZrxTi1-xO3,을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
17 17
제 15 항에 있어서,상기 금속 산화막은 알루미늄이 도핑된 티타늄 산화막인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
18 18
제 17 항에 있어서,상기 티타늄 산화막은 산소 결핍의 TiOx막을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
19 19
제 17 항에 있어서,상기 알루미늄은 상기 강유전체막과 상기 티타늄 산화막 사이에 형성된 알루미늄 산화막으로부터 제공되는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
20 20
제 15 항에 있어서,상기 금속 산화막의 두께는 18 nm 내지 22 nm 인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
21 21
기판 상에 배치되는 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자로서, 상기 복수의 메모리 셀들의 각각은,제 1 배선층; 적어도 하나 이상의 스위칭 소자 및 상기 스위칭 소자에 연결되는 제 1 항 기재의 상기 가변 저항체를 포함하며, 일 단이 상기 제 1 배선에 전기적으로 연결되는 메모리 셀; 및 상기 제 1 배선과 교차하는 방향으로 배열되고, 상기 메모리 셀의 타단과 전기적으로 연결되는 제 2 배선층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자
22 22
제 1 항 기재의 상기 가변 저항체를 퓨즈 또는 안티 퓨즈로서 사용하는 퓨즈 구조체
23 23
제 1 항 기재의 상기 가변 저항체를 온/오프 스위칭 소자로서 사용하는 논리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 분자제어 기술을 통한 전자 기능 박막 제조 및 특성 평가