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저항 변화 메모리 소자
- 기술번호 : KST2015136132
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 우수한 저항 변화 특성을 가지도록 하기 위해서 본 실시예에 따른 저항 변화 메모리 소자는 하부전극; 하부전극 상에 형성된 저항 변화 소자; 저항 변화 소자 상에 형성된 중간전극; 중간전극 상에 형성된 선택 소자; 선택 소자 상에 형성된 상부전극; 및 중간전극 내부에 차단층을 포함할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120115758 (2012.10.18) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1349569-0000 (2014.01.02) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20140109) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.10.22) |
| 심사청구항수 | 11 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황철성 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 2 | 김건환 | 대한민국 | 경기 고양시 덕양구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 대리인 정보가 없습니다 | |||
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.10.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0846514-72 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.10.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0856675-93 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.05.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0041473-72 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0599263-60 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.10.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0898472-39 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0898479-58 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0886414-12 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 저항 변화 소자; 상기 저항 변화 소자 상에 형성된 중간전극;상기 중간전극 상에 형성되고 티타늄(Ti) 상에 티타늄 옥사이드(TiO2)가 적층된 구조로 되어있는 선택 소자;상기 선택 소자 상에 형성된 상부전극; 및상기 중간전극 내부에 차단층을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 차단층은 상기 저항 변화 소자로부터 상기 선택 소자로 흐르는 산소를 막는 물질을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 차단층은 산화물 전극으로 이루어진 것을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 차단층은 내열 내산화성 금속, 내열 내산화성 질화물, 또는 도전성 산화물로 이루어진 것을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 차단층은 니켈(Ni), 질화티타늄 (TiN), 인듐틴옥사이드(ITO)중 어느 하나를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 저항 변화 소자는 가변 저항특성을 가지는 물질인 것을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 저항 변화 소자는 전이금속 산화물(Transition metal oxide), Ti 산화물, Cu 산화물, Ni 산화물, Co 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Zn 산화물, W 산화물, Nb 산화물, TiNi 산화물, LiTi 산화물, Al 산화물, InZn 산화물, V 산화물, SrZr 산화물, SrTi 산화물, Cr 산화물, Fe 산화물, Tn 산화물 및 이 중 적어도 하나를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 저항 변화 소자는 티타늄 옥사이드(TiO2)인 것을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 차단층을 포함하는 상기 중간전극은 상기 차단층 상부에 제 2 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 차단층은 5nm 내지 500nm 의 두께를 가지는 것을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자는 상하가 뒤집혀 상기 선택 소자 상에 상기 중간전극이 형성되고, 상기 중간전극 상에 상기 저항 변화 소자가 형성되어 있는 것을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1349569-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20121018 출원 번호 : 1020120115758 공고 연월일 : 20140109 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131220 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 저항 변화 메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 237,000 원 | 2014년 01월 02일 | 납입 |
| 제 4 - 6 년분 | 금 액 | 562,590 원 | 2016년 02월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2020년 01월 02일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.10.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0846514-72 |
| 2 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.10.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0856675-93 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.05.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2013.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0041473-72 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2013.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0599263-60 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.10.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0898472-39 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0898479-58 |
| 9 | 등록결정서 | 2013.12.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0886414-12 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345178300 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2012K1A1A2040157 |
| 연구과제명 | 축소화 한계에 영향을 받지 않는 미래 기억 소자 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201208~201807 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415117601 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10034831 |
| 연구과제명 | PRAM 및 ReRAM 장비용 Precursor 및 ALD 공정 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200911~201210 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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