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가변 저항체 및 저항형 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015136953
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가변 저항체 및 저항형 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 저항형 메모리 소자는, 제 1 배선들 및 상기 제 1 배선들과 교차되도록 연장된 제 2 배선들의 교차점에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 저항형 메모리 소자이며, 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 애노드 전극; 상기 애노드 전극 상에 형성되고, 상기 제 1 유전율을 갖는 제 1 유전체층; 상기 제 1 유전체층 상에 형성되고, 상기 제 1 유전율보다 작은 제 2 유전율을 갖는 제 2 유전체층; 상기 제 2 유전체층 상에 형성된 캐소드 전극; 및 상기 제 1 유전체층과 상기 제 2 유전체층 사이의 전하 트랩층을 포함하고, 각 메모리 셀에 전압 신호를 인가하여 유도되는 전하 트랩층의 트랩 전하의 크기에 의한 상기 메모리 셀의 저항 값에 비트 정보를 할당한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120045904 (2012.05.01)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1926862-0000 (2018.12.03)
공개번호/일자 10-2013-0122827 (2013.11.11) 문서열기
공고번호/일자 (20181207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.16)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황철성 대한민국 서울 강남구
2 김건환 대한민국 경기 고양시 덕양구
3 박민혁 대한민국 경기 광명시 모세로 ,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0347608-49
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0058620-80
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.05.16 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0389723-65
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0060973-84
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0412738-80
6 [반려이유통지에 따른 소명]의견(답변, 소명)서
[Substantiation according to Notice of Reason for Return] Written Opinion (Written Response, Written Substantiation)		 2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0410845-10
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0076005-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0259842-13
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0004710-70
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0248048-01
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0551149-97
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0678491-86
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0678527-31
18 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0818692-43
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
애노드 전극;상기 애노드 전극 상에 형성되고, 제 1 유전율을 갖는 제 1 유전체층;상기 제 1 유전체층 상에 형성되고, 상기 제 1 유전율보다 작은 제 2 유전율을 갖는 제 2 유전체층;상기 제 2 유전체층 상에 형성된 캐소드 전극; 및상기 제 1 유전체층과 상기 제 2 유전체층 사이의 전하 트랩층을 포함하는 가변 저항체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 유전체층과 상기 애노드 전극 사이의 전위 장벽은 상기 제 2 유전체층과 상기 캐소드 전극 사이의 전위 장벽보다 더 큰 것을 특징으로 하는 가변 저항체
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 유전체층의 두께는 상기 제 2 유전체층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 가변 저항체
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 상기 제 1 유전체층 및 상기 제 2 유전체층의 계면층 자체인 것을 특징으로 하는 가변 저항체
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 플라즈마 손상층, 반응성 가스 분위기의 열처리에 의해 형성된 결함 표면층 및 불순물 도핑층 중 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 나노 도트 및 나노 시트 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 반도체층 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
8 8
제 1 배선들 및 상기 제 1 배선들과 교차되도록 연장된 제 2 배선들의 교차점에 각각 배치되는 복수의 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 저항형 메모리 소자로서, 상기 복수의 메모리 셀들 각각은, 애노드 전극;상기 애노드 전극 상에 형성되고, 제 1 유전율을 갖는 제 1 유전체층;상기 제 1 유전체층 상에 형성되고, 상기 제 1 유전율보다 작은 제 2 유전율을 갖는 제 2 유전체층;상기 제 2 유전체층 상에 형성된 캐소드 전극; 및상기 제 1 유전체층과 상기 제 2 유전체층 사이의 전하 트랩층을 포함하고, 각 메모리 셀에 전압 신호를 인가하여 유도되는 전하 트랩층의 트랩 전하의 크기에 의한 상기 메모리 셀의 저항 값에 비트 정보를 할당하는 저항형 메모리 소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 제 1 유전체층과 상기 애노드 전극 사이의 전위 장벽은 상기 제 2 유전체층과 상기 캐소드 전극 사이의 전위 장벽보다 더 큰 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 유전체층의 두께는 상기 제 2 유전체층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 상기 제 1 유전체층 및 상기 제 2 유전체층의 계면층 자체인 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 플라즈마 손상층, 반응성 가스 분위기의 열처리에 의해 형성된 결함 표면층 및 불순물 도핑층 중 어느 하나 또는 이들의 2 이상의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 나노 도트 및 나노 시트 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
14 14
제 8 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 반도체층 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
15 15
제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 유전체층들 중 적어도 어느 하나는, SiO2
16 16
제 8 항에 있어서,상기 애노드 전극 및 캐소드 전극들 중 적어도 어느 하나는 백금(Pt), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 파라듐(Pd), 로듐(Rh) 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 크롬(Cr), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 이들 금속의 도전성 질화물 및 이들 금속의 도전성 산화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
17 17
제 8 항에 있어서,상기 제 1 배선 및 제 2 배선 중 어느 하나는 워드 라인이고, 다른 하나는 비트 라인인 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
18 18
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층에 전하 또는 홀이 트랩되어 있는지 여부에 따라 상기 애노드 전극으로부터 상기 캐소드 전극으로 흐르는 전류의 크기가 변하는 것을 특징으로 하는 가변 저항체
19 19
제 8 항에 있어서, 상기 전하 트랩층에 전하 또는 홀이 트랩되어 있는지 여부에 따라 상기 애노드 전극으로부터 상기 캐소드 전극으로 흐르는 전류의 크기가 변하는 것을 특징으로 하는 저항형 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.