맞춤기술찾기

이전대상기술

질화갈륨 나노 디스크의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015166509
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화갈륨 나노 디스크를 별도의 후처리 없이 간편하게 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로, 특히 질화갈륨 나노 구조체를 제조하기 위한 장치를 이용하여 질화 갈륨을 성장시키는 반응기체인 HCl과 NH3를 일정한 시간간격에 따라 주기적으로 공급함으로써, 식각을 하지 않고 자기조립방식에 의해 나노 디스크 성장이 가능함과 동시에 그 나노 디스크의 크기를 조절하여 제조할 수 있는 질화갈륨 나노 디스크 제조방법을 제공한다. 질화갈륨, 주기적 가스 공급 방식, 자기조립방식, 나노구조체
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020080009502 (2008.01.30)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0083602 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김진교 대한민국 서울 중구
2 이상화 대한민국 서울 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0078065-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.13 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0424831-26
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435090-58
5 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2008.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0077104-05
6 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0457519-58
7 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2008.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0079667-23
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0046934-52
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0389638-35
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0711958-15
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0711956-13
13 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2010.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2010-0003779-15
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0159842-84
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 질화갈륨 나노 구조체를 제조하기 위한 장치를 이용하여 질화 갈륨 나노 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 상기 질화갈륨 나노 구조체 제조장치에 반응 가스들의 공급과 차단을 정해진 시간 간격에 따라 주기적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노 디스크의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반응 가스들의 공급과 차단의 한 주기는 0
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨 나노 구조체 제조장치 내부로 공급되는 반응가스는 HCl 및 NH3 그리고 불활성 가스로 질소(N2), 수소(H2), 아르곤(Ar) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노 디스크 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 300 내지 1300℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노 디스크 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 국민대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(기술기반구축사업) 나노공정 기술 및 장비 개발 산학연 혁신 클러스터