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플라즈마 화학 기상 증착 장치

  • 기술번호 : KST2018011640
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마를 이용하여 대상 기판에 박막을 형성할 수 있게 하는 플라즈마 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 챔버; 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 형성되는 가스 공급 장치; 상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 장치; 및 상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 타측에 형성되는 가스 배출 장치;를 포함하고, 상기 플라즈마 생성 장치는, 일측에 가스 유입구가 형성되고, 타측에 가스 배출구가 형성되며, 내부 공간이 형성되는 블록형 제 1 전극; 및 상기 블록형 제 1 전극과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극;를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020170020125 (2017.02.14)
출원인 (주)아이작리서치, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0093685 (2018.08.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)아이작리서치 대한민국 대전광역시 유성구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형상 대한민국 서울 서초구
2 이정훈 대한민국 서울특별시 광진구
3 이승환 대한민국 인천광역시 계양구
4 박진성 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0152846-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5045167-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 대상 기판이 수용되고, 공정 환경을 제공할 수 있는 챔버;상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 일측에 형성되는 가스 공급 장치;상기 가스 중 적어도 일부분이 여기될 수 있도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 장치; 및상기 대상 기판의 일측 방향에서 타측 방향으로 상기 가스의 일방향 흐름을 형성할 수 있도록 상기 챔버의 타측에 형성되는 가스 배출 장치;를 포함하고,상기 플라즈마 생성 장치는,일측에 가스 유입구가 형성되고, 타측에 가스 배출구가 형성되며, 내부 공간이 형성되는 블록형 제 1 전극; 및상기 블록형 제 1 전극과의 사이에 플라즈마가 형성될 수 있도록 상기 내부 공간에 삽입되는 튜브 형상의 튜브형 제 2 전극;를 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 생성 장치는, 상기 챔버의 외부에 설치되는 원거리 플라즈마 생성 장치이고,상기 가스 공급 장치는,일측에 적어도 하나의 반응 가스 유입구가 형성되고, 타측에 상기 블록형 제 1 전극의 복수개의 상기 가스 유입구와 연결될 수 있도록 복수개의 상기 가스 유입구를 덮는 형상의 확산 공간이 형성되는 반응 가스 샤워 헤드;상기 튜브형 제 2 전극에 형성된 퍼지 가스 배출구를 통해 퍼지 가스가 배출될 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극의 일단부에 설치되어 상기 튜브형 제 2 전극의 내부에 퍼지 가스를 공급할 수 있는 퍼지 가스 공급관; 및상기 블록형 제 1 전극과 상기 챔버 사이에 형성된 소스 가스 공급 블록의 내부 상측에 설치되고, 내부에 중공부가 형성되며, 복수개의 소스 가스 배출구를 통해 제 1 소스 가스가 배출될 수 있도록 튜브 형상으로 형성되는 제 1 소스 가스 공급관;을 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 생성 장치는,상기 튜브형 제 2 전극에 전계를 인가할 수 있도록 상기 튜브형 제 2 전극의 타단부와 전기적으로 연결되는 케이블 커넥터;를 더 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 챔버는,상부 공간과 하부 공간으로 구획되는 몸체;상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 설치되는 가스 흐름 안내판;상기 대상 기판이 안착되고, 상기 가스 흐름 안내판에 형성된 관통창에 설치되는 히팅 플레이트; 및상기 히팅 플레이트에 설치되는 카트리지 타입의 히터;를 포함하는, 플라즈마 화학 기상 증착 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 한양대학교산학협력단 첫걸음기술개발사업 반응가스 대신 단거리 플라즈마 (short-range plasma)를 이용하여 고품질 박막 형성과 쓰루풋 (throughput) 향상 시키는 플라즈마 촉진 원자층 증착 장비 개발