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박막 트랜지스터의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2018015297
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 금속산화물막(metal oxide layer)을 형성하는 단계, 상기 금속산화물막 상에 수소(H)를 포함하는 수소제공막(hydrogen provision layer)을 형성하는 단계, 상기 기판 상의 상기 금속산화물막 및 상기 수소제공막을 동일한 형상으로 동시에 패터닝(patterning)하는 단계, 및 열처리(thermal treatment)를 통해, 상기 수소제공막 내의 수소가 상기 금속산화물막으로 확산된 활성층(active layer)이 형성되는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/66969(2013.01)
출원번호/일자 1020170059265 (2017.05.12)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0125100 (2018.11.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 정경섭 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 정현준 대한민국 경기 고양시 일산서구
4 옥경철 대한민국 경기도 안양시 만안구
5 한기림 대한민국 경기도 고양시 덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0452736-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속산화물막(metal oxide layer)을 형성하는 단계;상기 금속산화물막 상에 수소(H)를 포함하는 수소제공막(hydrogen provision layer)을 형성하는 단계;상기 기판 상의 상기 금속산화물막 및 상기 수소제공막을 동일한 형상으로 동시에 패터닝(patterning)하는 단계; 및열처리(thermal treatment)를 통해, 상기 수소제공막 내의 수소가 상기 금속산화물막으로 확산된 활성층(active layer)이 형성되는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 활성막 내 산소 결함(oxygen defect)이 상기 금속산화물막 내 산소 결함보다 적은 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 수소제공막은, 상기 기판 상에 알루미늄 및 수소를 포함하는 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 기판 상에 수소 및 산소를 포함하는 전구체를 제공하는 단계를 포함하는 원자층 증착(Atomic layer deposition)공정에 의해 형성되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 알루미늄 및 수소를 포함하는 전구체는 트리메틸 알루미늄(trimethyl aluminium, TMA)이고,상기 수소 및 산소를 포함하는 전구체는 물(H2O)인 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
5 5
제3 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정의 온도에 따라, 상기 수소제공막에 포함된 수소 농도가 조절되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정의 온도의 증가함에 따라, 상기 수소제공막에 포함된 수소 농도가 감소되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 금속산화물막은 인듐(In), 주석(Sn), 및 산소(O)를 포함하고, 아연(Zn) 또는 갈륨(Ga)을 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 열처리 공정의 온도에 따라, 상기 활성막에 포함된 수소 농도가 조절되는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
게이트 전극(gate electrode);상기 게이트 전극 상의 게이트 절연막(gate insulator);상기 게이트 절연막 상의 소스(source) 및 드레인(drain) 전극; 및상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 이격되고, 수소가 확산된 금속산화물막을 포함하는 활성막(active layer); 및상기 활성막 상의 수소제공막을 포함하되, 상기 활성막 내 수소의 농도는 상기 수소제공막 내 수소의 농도보다 높은 것을 포함하는 박막 트랜지스터
10 10
제9 항에 있어서,상기 활성막 및 상기 수소제공막의 측벽들은 공면(co-planar)을 이루는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.