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다중 주파수 플라즈마 장치를 이용한 반도체 공정에 있어서,반도체 공정 중 인가된 복수의 RF에 대한 파워를 변화시키는 RF 변화 구간을 파악하는 RF 변화 구간 파악 단계; 및상기 RF 변화 구간에서 상기 복수의 RF에 대한 순서를 설정하고 상기 순서에 따라 상기 복수의 RF의 파워를 개별적으로 조절하여 플라즈마 내의 이온 유인력을 조절함으로써 미립자 구름의 쉬쓰(Sheath) 경계면의 침투를 제어하는 RF 파워 조절 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다중 주파수 플라즈마 장치는 용량 결합형 플라즈마 장치로서, 상부 전극과 하부 전극 각각에 하나 이상의 RF가 인가되며,상기 반도체 공정 제어 방법은,주파수 크기에 따라 내림차순으로 상기 복수의 RF에 대한 순차적인 순번을 설정하는 순번 설정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 1 항에 있어서,상기 다중 주파수 플라즈마 장치는 유도 결합형 플라즈마 장치로서, 소스 RF와 바이어스 RF를 포함하는 복수의 RF가 인가되며,상기 반도체 공정 제어 방법은,상기 소스 RF 다음으로 상기 바이어스 RF의 순서로 순번을 설정하는 순번 설정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 3 항에 있어서,상기 바이어스 RF는 두개 이상의 RF를 포함하며,상기 순번 설정 단계는,상기 소스 RF의 다음 순번부터 주파수 크기에 따라 내림차순으로 상기 바이어스 RF에 포함된 두개 이상의 RF에 대한 순차적인 순번을 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 RF 변화 구간 파악 단계는,공정 종료에 따라 복수의 RF에 대한 파워를 오프시키는 공정 종료 구간을 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 5 항에 있어서,상기 RF 파워 조절 단계는,완충 구간을 설정하고 상기 완충 구간의 시간을 고려하여 상기 순번 중 하나의 순번을 선택하는 단계;선택된 순번까지의 RF의 파워를 오프시키고, 나머지 순번의 RF의 파워를 상기 완충 구간 동안 유지시키는 완충 구간 제어 단계; 및상기 완충 구간 이후 상기 나머지 순번의 RF 파워를 오프시키는 파워 오프 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 6 항에 있어서,상기 완충 구간 제어 단계는,상기 완충 구간 동안 유지시키는 RF의 파워를 낮추어 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 6 항에 있어서,상기 파워 오프 단계는,제2 완충 구간을 설정하고, 상기 완충 구간 이후 상기 완충 구간 동안 유지시키던 RF의 파워를 낮추어 제2 완충 구간 동안 유지시키는 단계; 및상기 제2 완충 구간 이후 유지시키던 RF의 파워를 오프시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 5 항에 있어서,상기 RF 파워 조절 단계는,완충 구간을 설정하고, 가장 높은 순번 이전까지의 RF의 파워를 오프시키고, 가장 높은 순번의 RF 파워를 상기 완충 구간 동안 유지시키는 완충 구간 제어 단계; 및상기 완충 구간 이후 상기 가장 높은 순번의 RF 파워를 오프시키는 파워 오프 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 9 항에 있어서,상기 완충 구간 제어 단계는,상기 완충 구간 동안 상기 가장 높은 순번의 RF의 파워를 낮추어 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 9 항에 있어서,상기 파워 오프 단계는,제2 완충 구간을 설정하고, 상기 완충 구간 이후 상기 완충 구간 동안 유지시키던 상기 가장 높은 순번의 RF의 파워를 낮추어 제2 완충 구간 동안 유지시키는 단계; 및상기 제2 완충 구간 이후 상기 가장 높은 순번의 RF의 파워를 오프시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 RF 변화 구간 파악 단계는,복수의 RF 중 적어도 하나 이상의 RF에 대한 파워를 변화시키는 전환 구간(Transition step)을 파악하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 12 항에 있어서,상기 RF 파워 조절 단계는,전환 구간의 시간을 고려하여 상기 순번 중 하나의 순번을 선택하는 제어 RF 선택 단계;선택된 순번까지의 RF의 파워를 오프시키고, 나머지 순번의 RF의 파워를 상기 전환 구간 동안 유지시키는 전환 구간 제어 단계; 및상기 전환 구간 이후 오프된 RF의 파워를 다시 온시키는 RF 재가동 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 13 항에 있어서,상기 전환 구간 제어 단계는,상기 전환 구간 동안 유지시키는 RF의 파워를 낮추어 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 12 항에 있어서,상기 RF 파워 조절 단계는,가장 높은 순번 이전까지의 RF의 파워를 오프시키고, 가장 높은 순번의 RF의 파워를 상기 전환 구간 동안 유지시키는 전환 구간 제어 단계; 및상기 전환 구간 이후 오프된 RF의 파워를 다시 온시키는 RF 재가동 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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제 15 항에 있어서,상기 전환 구간 제어 단계는,상기 전환 구간 동안 가장 높은 순번의 RF의 파워를 낮추어 유지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 제어 방법
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