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EUV 펠리클 구조체, 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019030905
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층을 준비하는 단계, 상기 EUV 투과층 상에 그래핀층(graphene layer)을 형성하는 단계, 상기 그래핀층의 결함(defect) 상에 링킹 물질(linking material)을 제공하여 링킹 패턴(linking pattern)을 형성하는 단계, 및 상기 링킹 패턴 상에 열방출층을 형성하는 단계를 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL G03F 1/62 (2012.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) G03F 1/66 (2012.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G03F 7/20 (2006.01.01) G03F 7/00 (2006.01.01)
CPC G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01) G03F 1/62(2013.01)
출원번호/일자 1020160048538 (2016.04.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1792409-0000 (2017.10.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.21)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정환 대한민국 서울 강남구
2 홍성철 대한민국 서울 성동구
3 김지은 대한민국 인천광역시 부평구
4 장용주 대한민국 서울특별시 도봉구
5 안진호 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0382444-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0052364-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0003841-22
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0202289-49
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0322660-67
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0425746-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0529747-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0529729-62
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0720149-72
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0729148-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
EUV(Extreme Ultraviolet) 투과층을 준비하는 단계;상기 EUV 투과층 상에 그래핀층(graphene layer)을 형성하는 단계;상기 그래핀층의 결함(defect, DF) 상에 링킹 물질(linking material, LM)을 제공하여 링킹 패턴(linking pattern)을 형성하는 단계; 및상기 링킹 패턴 상에 열방출층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 링킹 패턴 및 상기 열방출층은 몰리브덴(Mo) 또는 지르코늄(Zr)을 포함하고,상기 링킹 패턴이 몰리브덴을 포함하는 경우, 상기 열방출층은 지르코늄을 포함하고,상기 링킹 패턴이 지르코늄을 포함하는 경우, 상기 열방출층은 몰리브덴을 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 링킹 패턴은, 상기 그래핀층의 상기 결함 상에 선택적으로(selectively) 제공되는 것을 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 그래핀층은 다결정(polycrystalline) 구조인 것을 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 결함에 인접한 다결정 구조의 상기 그래핀층의 결정들은, 상기 링킹 패턴에 의해 서로 연결되는 것을 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 링킹 패턴을 형성하는 단계는, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)으로 수행되는 것을 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 열방출층을 형성하는 단계는, 전자빔 증착법(e-beam evaporation)으로 수행되는 것을 포함하는 펠리클 구조체의 제조 방법
8 8
EUV 투과층;상기 EUV 투과층 상에 형성되고, 결함 상에 제공된 링킹 패턴을 포함하는 그래핀층; 및상기 그래핀층 상의 열방출층을 포함하되,상기 링킹 패턴 및 상기 열방출층은 몰리브덴(Mo) 또는 지르코늄(Zr)을 포함하고,상기 링킹 패턴이 몰리브덴을 포함하는 경우, 상기 열방출층은 지르코늄을 포함하고,상기 링킹 패턴이 지르코늄을 포함하는 경우, 상기 열방출층은 몰리브덴을 포함하는 펠리클 구조체
9 9
제8 항에 있어서,상기 그래핀층은 다결정 구조인 것을 포함하는 펠리클 구조체
10 10
제9 항에 있어서, 상기 링킹 패턴은, 상기 결함에 인접한 다결정 구조의 상기 그래핀층의 결정들을 연결시키는 것을 포함하는 펠리클 구조체
11 11
제10 항에 있어서, 다결정 2차원 그래핀층보다 높은 기계적 강도를 갖는 펠리클 구조체
12 12
제8 항에 있어서, 상기 링킹 패턴의 소광계수 값은, 0
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1 산업통상자원부 한양대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업 1x nm급 Defect Free EUVL을 위한 마스크 세정 공정 및 펠리클 개발