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도핑된 주석 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020008702
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이산화 주석층의 특정 위치에 알루미늄 도핑층을 도핑한 SnO2:Al(알루미늄 도핑 주석 산화물) 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터와 그 제조 방법을 제공하여, 채널층으로 사용하기에 적합한 전하 이동도와 온/오프 전류 비 특성이 달성될 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020180141672 (2018.11.16)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0057372 (2020.05.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 경기도 파주시
2 박현우 경기도 파주시
3 정순신 경기도 파주시
4 문정민 경기도 파주시
5 최수석 경기도 파주시
6 유성필 경기도 파주시
7 정지환 경기도 파주시
8 장기석 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-1142560-91
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판;상기 베이스 기판 상에 위치하는 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 위치하는 채널층;상기 게이트 절연층 상에 위치하며 상기 채널층을 사이에 두고 상호 이격된 소스 전극과 드레인 전극;을 포함하고,상기 채널층은 알루미늄이 도핑된 이산화 주석을 포함하며, 전하농도가 1016~1018/㎤인 것;을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 전하 이동도(field effect mobility)가 0
3 3
제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 온/오프 전류 비가 (1~10)*106 인 것;을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 채널층의 대기(air) 어닐링 후 XRD 반치 전폭(full width half maximum)은 (200)면 피크를 기준으로 도핑되지 않은 주석 산화물(SnO2)의 대기 어닐링 후 XRD 반치 전폭보다 1
5 5
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 공정;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 공정;상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 공정;상기 게이트 절연층 상에 위치하며 상기 채널층을 사이에 두고 상호 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 공정;어닐링 공정;을 포함하고,상기 채널층을 형성하는 공정은 주석 산화물(SnOx) 사이클/아르곤(Ar) 퍼징/알루미늄 산화물(Al2O3) 사이클/아르곤 퍼징 단계를 포함하며, 상기 알루미늄 산화물(Al2O3) 사이클은 복수 회 수행되는 주석 산화물(SnOx) 사이클의 중간 단계에 수행되는 것;을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 주석 산화물(SnOx) 사이클은 원자층 증착법(ALD)을 이용하며, 각 단계는 주석 화학종을 공급하여 기판 위에 주석 화학종을 흡착시키는 단계/아르곤 퍼징 단계/산소 원을 공급하여 주석 화학종이 흡착된 기판 위에 산소 화학종을 흡착시켜 산화 반응을 일으키는 단계/아르곤 퍼징 단계를 포함하는 것;을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 주석 화학종은 4가 주석 전구체를 포함하고, 상기 산소 원은 오존 또는 산소인 것;을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 어닐링 공정은 대기(air)에서 300~500℃ 온도범위에서 수행되는 것; 을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 어닐링 공정 후 상기 채널층의 전하농도는 1016~1018/㎤인 것;을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 어닐링 공정 후 상기 박막 트랜지스터의 전하 이동도(field effect mobility)는 0
11 11
제8항에 있어서,상기 어닐링 공정 후 상기 채널층의 XRD 반치 전폭(full width half maximum)은 (200)면 피크를 기준으로 도핑되지 않은 주석 산화물(SnO2)의 XRD 반치 전폭보다 1
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1 WO2020101164 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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