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산화물 반도체의 오믹 접합 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

기술번호 : KST2022006641
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	다양한 실시예들은 산화물 반도체의 오믹 접합 구조를 갖는 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 기판, 기판 상에 배치되고, 제 1 영역 및 적어도 하나의 홈이 형성되는 제 2 영역으로 구분되는 IGZO 채널층, IGZO 채널층의 제 1 영역 상에 배치되는 제 1 전극, n+ 산화물로 이루어지고, 홈 내에 배치되는 오믹 접합층, 및 오믹 접합층 상에 접합되는 제 2 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/45 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/24 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/45(2013.01) H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/24(2013.01) H01L 21/02483(2013.01)
출원번호/일자	1020200155747 (2020.11.19)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2022-0068699 (2022.05.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2020.11.19)
심사청구항수	6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정재경		서울특별시 광진구
2	이호재		제주특별자치도 제주

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	양성보	대한민국	서울특별시 강남구 선릉로*길 (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2020.11.19	수리 (Accepted)	1-1-2020-1244625-88
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2021.09.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2021.11.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2021-0210976-83
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2021.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0991901-53
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.01.05	수리 (Accepted)	1-1-2022-0011466-62
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2022.01.05	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2022-0011467-18
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2022.03.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2022-0220474-10
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2022.05.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2022-0514358-48
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2022-0514357-03

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 IGZO 채널층을 제공하는 단계; 상기 IGZO 채널층의 제 1 영역 상에 제 1 전극을 제공하는 단계; 상기 IGZO 채널층의 제 2 영역에 적어도 하나의 홈을 형성하는 단계;n+ 산화물을 이용하여, 상기 홈 내에 오믹 접합층을 형성하는 단계; 및상기 오믹 접합층 상에 제 2 전극을 접합시키는 단계를 포함하는, 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 n+ 산화물은,IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), IGO(Indium Gallium Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IGZTO(Indium Gallium Zinc Tin Oxide) 또는 AZO(Aluminum-doped Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는,방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극을 제공하는 단계는,상기 IGZO 채널층 상에 절연층을 제공하는 단계; 상기 절연층 상에 상기 제 1 전극을 제공하는 단계; 및상기 제 2 영역이 상기 절연층 및 상기 제 1 전극으로부터 노출되도록, 상기 제 1 영역에 대응하여, 상기 절연층 또는 상기 제 1 전극 중 적어도 하나를 식각하는 단계를 포함하는, 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극을 제공하는 단계는, 상기 기판 상에서 상기 IGZO 채널층, 상기 제 1 전극 및 상기 오믹 접합층을 덮는 보호층을 제공하는 단계; 상기 보호층의 외부로부터 상기 오믹 접합층의 표면으로 이어지는 홀을 형성하는 단계; 및상기 보호층의 외부로 노출되고 상기 홀의 내부를 통과하여 상기 오믹 접합층에 접합되도록 상기 제 2 전극을 제공하는 단계를 포함하는, 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 게이트 전극이고, 상기 제 2 전극은 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 방법
6	6 박막 트랜지스터에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 제 1 영역 및 적어도 하나의 홈이 형성되는 제 2 영역으로 구분되는 IGZO 채널층;상기 IGZO 채널층의 상기 제 1 영역 상에 배치되는 제 1 전극; n+ 산화물로 이루어지고, 상기 홈 내에 배치되는 오믹 접합층; 및상기 오믹 접합층 상에 접합되는 제 2 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 n+ 산화물은,IGTO, IGO, ITO, IGZTO 또는 AZO 중 적어도 하나를 포함하는,박막 트랜지스터
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 IGZO 채널층과 상기 제 1 전극 사이에 개재되는 절연층을 더 포함하는, 박막 트랜지스터
9	9 제 6 항에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 IGZO 채널층, 상기 제 1 전극 및 상기 오믹 접합층을 덮고, 외부로부터 상기 오믹 접합층의 표면으로 이어지는 홀이 형성되는 보호층을 더 포함하고,상기 제 2 전극은, 상기 보호층의 외부로 노출되고, 상기 홀의 내부를 통과하여 상기 오믹 접합층에 접합되는, 박막 트랜지스터
10	10 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 게이트 전극이고, 상기 제 2 전극은 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는, 박막 트랜지스터

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2020.11.19	수리 (Accepted)	1-1-2020-1244625-88
2	선행기술조사의뢰서	2021.09.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2021.11.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2021-0210976-83
4	의견제출통지서	2021.12.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2021-0991901-53
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.01.05	수리 (Accepted)	1-1-2022-0011466-62
6	[명세서등 보정]보정서	2022.01.05	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2022-0011467-18
7	의견제출통지서	2022.03.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2022-0220474-10
8	[명세서등 보정]보정서	2022.05.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2022-0514358-48
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.05.16	수리 (Accepted)	1-1-2022-0514357-03


과제고유번호	1345330137
세부과제번호	4199990114252
연구과제명	융합 IT 미래인재양성 교육연구단
성과구분	출원
부처명	교육부
연구관리전문기관명	한양대학교
연구주관기관명	한국연구재단
성과제출연도	2020
연구기간	202009~202708
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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