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IGTO 산화물 반도체 결정화를 통한 고이동도 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법

기술번호 : KST2022014180
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	다양한 실시예들은 IGTO 산화물 반도체 결정화를 통한 고이동도 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 트랜지스터 소자는 기판 및 기판 상에 배치되는 결정질 IGTO 채널층을 포함하고, 열처리를 통해, 기판 상에 제공되는 비정질 IGTO 채널층을 결정질 IGTO 채널층으로 변화시키는 것에 의해 제조될 수 있다.
Int. CL	H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/24 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/24(2013.01) H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/0259(2013.01) H01L 21/02631(2013.01) H01L 21/02656(2013.01)
출원번호/일자	1020200181828 (2020.12.23)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2022-0090871 (2022.06.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2020.12.23)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	주소
1	정재경	서울특별시 광진구
2	김보경	경상남도 창원시 의창구
3	온누리	서울특별시 마포구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	양성보	대한민국	서울특별시 강남구 선릉로*길 (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2020.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2020-1402237-38
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2021.04.19	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2021.06.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2022-0016559-96
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2022.02.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2022-0119464-16
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2022.04.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2022-0359030-31
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.04.04	수리 (Accepted)	1-1-2022-0359029-95
7	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2022.06.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2022-0428662-19
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.07.25	접수중 (On receiving)	1-1-2022-0775603-39
9	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2022.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2022-0775604-85

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 트랜지스터 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 비정질 IGTO 채널층을 제공하는 단계; 및열처리를 통해, 상기 비정질 IGTO 채널층을 결정질 IGTO 채널층으로 변화시키는 단계를 포함하는, 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층을 제공하는 단계는,스퍼터링 기법으로, 상기 비정질 IGTO 채널층을 상기 기판 상에 증착시키는 단계를 포함하는, 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 결정질 IGTO 채널층으로 변화시키는 단계는,400 ℃의 열처리 온도로 상기 열처리를 수행하는, 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층의 두께는,20 nm인, 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 결정질 IGTO 채널층에서의 인듐(Indium; In), 갈륨(Gallium; Ga) 및 주석(Tin; Sn)의 양이온 조성비는,78 %, 18 % 및 4 %인,방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층을 제공하는 단계는, 상기 기판 상에 제 1 전극을 제공하는 단계; 상기 기판 상에서 상기 제 1 전극을 덮도록 상기 비정질 IGTO 채널층을 제공하는 단계; 및상기 비정질 IGTO 채널층 상에 적어도 하나의 제 2 전극을 제공하는 단계를 포함하는, 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 결정질 IGTO 채널층을 덮도록 보호층을 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법
8	8 제 6 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층을 제공하는 단계는, 상기 비정질 IGTO 채널층을 제공하기 전에, 상기 제 1 전극 상에 절연층을 제공하는 단계를 더 포함하는, 방법
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층은, 단일 층인, 방법
10	10 트랜지스터 소자에 있어서, 기판; 및상기 기판 상에 배치되는 결정질 IGTO 채널층을 포함하고, 상기 결정질 IGTO 채널층은,열처리를 통해, 상기 기판 상에 제공되는 비정질 IGTO 채널층으로부터 변화된 것인, 트랜지스터 소자
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층은, 스퍼터링 기법으로, 상기 기판 상에 증착되는, 트랜지스터 소자
12	12 제 10 항에 있어서, 상기 결정질 IGTO 채널층은, 400 ℃의 열처리 온도에서의 상기 열처리를 통해, 상기 비정질 IGTO 채널층으로부터 변화되는, 트랜지스터 소자
13	13 제 10 항에 있어서, 상기 비정질 IGTO 채널층의 두께는,20 nm인, 트랜지스터 소자
14	14 제 10 항에 있어서, 상기 결정질 IGTO 채널층에서의 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 주석(Sn)의 양이온 조성비는,78 %, 18 % 및 4 %인,트랜지스터 소자
15	15 제 10 항에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 기판과 상기 결정질 IGTO 채널층 사이에 배치되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 상기 결정질 IGTO 채널층 사이에 배치되는 절연층; 상기 결정질 IGTO 채널층 상에 배치되는 적어도 하나의 제 2 전극; 또는상기 기판 상에서 상기 제 1 전극, 상기 절연층 또는 상기 제 2 전극 중 적어도 하나를 덮도록 형성되는 보호층 중 적어도 하나를 더 포함하는,트랜지스터 소자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2020.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2020-1402237-38
2	선행기술조사의뢰서	2021.04.19	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2021.06.15	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2022-0016559-96
4	의견제출통지서	2022.02.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2022-0119464-16
5	[명세서등 보정]보정서	2022.04.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2022-0359030-31
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.04.04	수리 (Accepted)	1-1-2022-0359029-95
7	거절결정서	2022.06.11	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2022-0428662-19
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2022.07.25	접수중 (On receiving)	1-1-2022-0775603-39
9	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2022.07.25	수리 (Accepted)	1-1-2022-0775604-85


과제고유번호	1345330137
세부과제번호	4199990114252
연구과제명	융합 IT 미래인재양성 교육연구단
성과구분	출원
부처명	교육부
연구관리전문기관명	한양대학교
연구주관기관명	한국연구재단
성과제출연도	2020
연구기간	202009~202708
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

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