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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 인듐(In)을 포함하는 전구체와 질소(N)를 포함하는 제1 반응물질 및 산소(O)를 포함하는 제2 반응물질을 반응시켜, 인듐 질산화물(InON) 박막을 형성하는 단계; 및상기 인듐 질산화물 박막에 자외선(UV)과 오존(O3)을 제공하며 열처리하는 단계를 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 인듐 질산화물 박막을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 인듐(In)을 포함하는 제1 전구체를 제공하는 단계; 상기 기판 상에 질소(N)를 포함하는 상기 제1 반응물질을 제공하여, 상기 제1 전구체와 상기 제1 반응물질을 반응시키는 단계; 상기 제1 전구체와 상기 제1 반응물질이 반응된 상기 기판 상에 인듐(In)을 포함하는 제2 전구체를 제공하는 단계; 및 상기 기판 상에 산소(O)를 포함하는 상기 제2 반응물질을 제공하여, 상기 제2 전구체와 상기 제2 반응물질을 반응시키는 단계를 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 기판 상에 상기 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 제1 전구체와 상기 제1 반응물질을 반응시키는 단계는 제1 유닛 공정으로 정의되고, 상기 기판 상에 상기 제2 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 제2 전구체와 상기 제2 반응물질을 반응시키는 단계는 제2 유닛 공정으로 정의되되, 상기 제1 유닛 공정 및 상기 제2 유닛 공정은 각각 복수회 반복 수행되는 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 제1 유닛 공정 및 상기 제2 유닛 공정의 반복 수행 횟수를 제어함에 따라, 상기 인듐 질산화물 박막 내 질소(N) 및 산소(O)의 함량이 제어되는 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 제1 유닛 공정 및 상기 제2 유닛 공정의 반복 수행 횟수를 제어함에 따라, 상기 인듐 질산화물 박막의 광학적 특성, 전기적 특성, 및 결정성이 제어되는 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 제1 유닛 공정의 반복 수행 횟수가 상기 제2 유닛 공정의 반복 수행 횟수보다 더 많은 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체는 같은 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 반응물질은, 질소(N2) 플라즈마 또는 암모니아(NH3) 플라즈마를 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 인듐 질산화물 박막에 자외선(UV)과 오존(O3)을 제공하며 열처리하는 단계에서, 상기 인듐 질산화물 박막은 350℃ 미만의 온도에서 열처리되는 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에, 인듐(In)을 포함하는 전구체와 암모니아(NH3)를 포함하는 반응물질을 반응시켜, 인듐 질산화물(InON) 박막을 형성하는 단계; 및 상기 인듐 질산화물 박막에 자외선(UV)과 오존(O3)을 제공하며 열처리하는 단계를 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 인듐 질산화물 박막을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 인듐(In)을 포함하는 상기 전구체를 제공하는 단계; 및상기 기판 상에 암모니아(NH3)를 포함하는 상기 반응물질을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 반응물질을 제공하는 단계는 유닛 공정으로 정의되되, 상기 유닛 공정은 복수회 반복 수행되는 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막의 제조 방법
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인듐(In), 산소(O), 및 질소(N)를 포함하는 인듐 질산화물(InON) 박막에 있어서,상기 인듐 질산화물 박막의 표면에는 인듐-질소 결합(In-N)의 비율보다 인듐-산소 결합(In-O)의 비율이 높고, 인듐(In)의 함량보다 산소(O)의 함량이 높은 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막
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제12 항에 있어서, 상기 인듐 질산화물 박막의 표면에 함유된 산소(O)의 함량은, 상기 인듐 질산화물 박막의 중심부에 함유된 산소(O)의 함량보다 높은 것을 포함하는 인듐 질산화물 박막
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기판; 상기 기판 상에 배치된 절연막; 상기 절연막 상에 배치되는 제12 항에 따른 인듐 질산화물 박막; 및 상기 인듐 질산화물 박막 상에 배치되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터
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