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분리병합형홈의구조를갖는D램셀과그제조방법

  • 기술번호 : KST2015098762
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 27/108 (2006.01)
CPC H01L 27/10867(2013.01)
출원번호/일자 1019890012747 (1989.09.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0054463-0000 (1992.09.07)
공개번호/일자 10-1991-0006977 (1991.04.30) 문서열기
공고번호/일자 1019920004368 (19920604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.09.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진호 대한민국 대전시중구
2 김천수 대한민국 대전시서구
3 이규홍 대한민국 대전시서구
4 김대용 대한민국 대전시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074763-84
2 특허출원서
Patent Application		 1989.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074761-93
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.09.04 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074762-38
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1990.07.14 수리 (Accepted) 1-1-1989-0074764-29
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1992.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0039443-17
6 등록사정서
Decision to grant		 1992.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0039445-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

P-Well을 형성한 실리콘기판(33)에 1차 홈식각을 1000-2000Å정도하여 질화규소막(35)을 증착하는 단계와, 저장전극과 트랜스터 트랜지스터의 소오스가 접촉되는 부분만 질화규소막(37)을 형성하고 2차 홈 식각을 1

2 2

P-Well을 형성한 실리콘 기판(33)에 1차 홈식각을 1000-2000Å정도하여 질화규소막(35)을 증착하는 단계와, 저장전극과 트랜스터 트랜지스퍼의 소오스가 접촉되는 부분만 질화규소막(37)을 형성하고 2차 홈식각을 1

3 3

제 2 항에 있어서, 홈안의 저장전극과 n+ 층 및 다결정규소플레이트 사이의 캐패시터를 모두 전하저장용 캐패시터로 사용하도록 한 분리병합형 홈의 구조를 갖는 D램 셀의 제조방법

4 4

제 2 항에 있어서, 3차에 걸쳐 홈을 식각하여 n+ 다결정규소저항 전극과 트랜스퍼 트랜지스터의 소오스연결과, n+ 다결정규소플레이트와 n+ 확산층 플레이트 간의 연결이 이루어지도록 한 분리병합형 홈의 구조를 갖는 D램 셀의 제조방법

5 5

제 2 항에 있어서, 플레이트와 n+ 다결정규소를 연결하여 1/2 Vcc전원을 인가할 수 있도록 한 분리병합형 홈의 구조를 갖는 D램 셀의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03180066 JP 일본 FAMILY
2 JP07077236 JP 일본 FAMILY
3 US05223447 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2045711 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3180066 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP7077236 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH03180066 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0777236 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US5223447 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.