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3차원 금속 구조체의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015117863
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자기 정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer)을 이용하여 균일하게 금속 시드를 제거할 수 있는 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 기판 상에 형성된 3차원 금속 구조체의 형성 방법은, 상기 기판에 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계; 상기 기판에 제1 금속 시드를 증착하는 단계; 상기 제1 금속 시드 상에 자기 정합 단분자층을 증착하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 부분의 제1 금속 시드를 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 모두 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트 몰드에 제1 금속층을 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 자기 정합 단분자층(Self-Assembled Monolayer), 폴리싱(Polishing), 3차원 금속 구조체(3-Dimensional Metal Structures)
Int. CL H01L 29/00 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01) H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1020040043720 (2004.06.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0561048-0000 (2006.03.08)
공개번호/일자 10-2005-0118565 (2005.12.19) 문서열기
공고번호/일자 (20060317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.14)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전광역시 유성구
2 장성일 대한민국 대전광역시 유성구
3 최윤석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-0256183-58
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0002224-13
3 의견서
Written Opinion
2006.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0130273-17
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0130280-37
5 등록결정서
Decision to grant
2006.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0131378-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 있어서, 상기 기판에 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계; 상기 기판에 제1 금속 시드를 증착하는 단계; 상기 제1 금속 시드 상에 자기 정합 단분자층을 증착하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 부분의 제1 금속 시드를 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 모두 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트 몰드에 제1 금속층을 채우는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 금속 시드는 상기 자기 정합 단분자층의 형성이 용이한 금, 구리, 은 또는 백금 중 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 제1 금속 시드는 습식 식각 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 자기 정합 단분자층은 상기 습식 식각 방법으로 제1 금속 시드를 제거할 때, 식각액으로부터 상기 자기 정합 단분자층이 증착된 제1 금속 시드를 보호하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 금속층을 채운 후, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거한 후 노출된 제1 금속 시드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하기 전에 상기 기판에 제2 금속 시드를 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제2 금속 시드 증착 후, 상기 제2 금속 시드 상에 제2 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1 금속층을 채운 후, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거한 후 노출된 제1 금속 시드 및 제2 금속 시드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 제2 금속층은 외부 소자와의 연결, 외부 회로와의 연결 또는 금속 구조체의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 제1 금속층 및 제2 금속층은 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
13 13
기판 상에 형성된 3차원 금속 구조체의 형성 방법에 있어서, 상기 기판에 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 몰드에 제1 금속층을 채우는 단계; 상기 기판에 제1 금속 시드를 증착하는 단계; 상기 제1 금속 시드 상에 자기 정합 단분자층을 증착하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 부분의 제1 금속 시드를 제거하는 단계; 상기 자기 정합 단분자층을 모두 제거하는 단계; 및 상기 포토레지스트 몰드에 제2 금속층을 채우는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 제1 금속 시드는 상기 자기 정합 단분자층의 형성이 용이한 금, 구리, 은 또는 백금 중 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 자기 정합 단분자층이 제거된 제1 금속 시드는 습식 식각 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 자기 정합 단분자층은 상기 습식 식각 방법으로 제1 금속 시드를 제거할 때, 식각액으로부터 상기 자기 정합 단분자층이 증착된 제1 금속 시드를 보호하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
17 17
제13항에 있어서, 상기 제2 금속층을 채운 후, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거한 후 노출된 제1 금속 시드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 형성하기 전에 상기 기판에 제2 금속 시드를 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 제2 금속 시드 증착 후, 상기 제2 금속 시드 상에 제3 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 제2 금속층을 채운 후, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 3차원 포토레지스트 몰드를 제거한 후 노출된 제1 금속 시드 및 제2 금속 시드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
23 23
제20항에 있어서, 상기 제3 금속층은 외부 소자와의 연결, 외부 회로와의 연결 또는 금속 구조체의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
24 24
제20항에 있어서, 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
25 24
제20항에 있어서, 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 제3 금속층은 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 3차원 금속 구조체의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.