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폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015112404
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리머 메모리에서 폴리머를 수분과의 반응으로부터 보호하여 정보 유지 기간을 획기적으로 증가시키고, 메모리의 성능을 더욱 향상시키기 위한 것으로, 기판 상에 형성된 하부 전극, 하부 전극 상에 형성되고 오버행(overhang)구조의 비아홀(via hole)이 형성된 절연막, 비아홀 내부의 하부 전극 상에 형성된 폴리머(polymer)막 및 폴리머막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 폴리머 메모리(Polymer Memory), 비아홀(via hole), 오버행(overhang)
Int. CL H01L 27/10 (2006.01)
CPC H01L 45/124(2013.01) H01L 45/124(2013.01) H01L 45/124(2013.01)
출원번호/일자 1020060003922 (2006.01.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0814031-0000 (2008.03.10)
공개번호/일자 10-2007-0075538 (2007.07.24) 문서열기
공고번호/일자 (20080317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.13)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 유리은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0025875-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0007559-16
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2007.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0144814-25
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0154965-36
6 의견서
Written Opinion		 2007.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0384050-12
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0384012-98
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0494033-95
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0666405-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0666396-30
11 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0127052-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 형성되고, 오버행(overhang)구조의 비아홀(via hole)이 형성된 절연막; 상기 비아홀 내부의 상기 하부 전극 상에 형성된 폴리머(polymer)막; 및 상기 폴리머막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 폴리머막은 상기 절연막 및 상기 오버행 상에까지 형성된 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 폴리머막은 상기 절연막의 두께보다 작게 형성되어 상기 비아홀에 오버랩되지 않는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판은 플렉시블(flexible) 플라스틱(plastic) 재질인 것을 특징으로 하는 플리머 메모리 소자
7 7
기판 상에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 비아홀(via hole)이 형성된 절연막;상기 절연막 상에 형성되고, 오버행(overhang)구조를 갖는 보호막;상기 비아홀 내부의 상기 하부 전극 상에 형성된 폴리머(polymer)막; 및 상기 폴리머막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서, 상기 폴리머막은 상기 보호막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
10 10
제7항에 있어서, 상기 폴리머막은상기 절연막의 두께보다 작게 형성되어 상기 비아홀에 오버랩되지 않는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
11 11
제7항에 있어서, 상기 절연막은상기 보호막의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
12 12
제7항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막이고, 상기 보호막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
13 13
제7항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 질화막이고, 상기 보호막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
14 14
제7항에 있어서, 상기 기판은 플렉시블(flexible) 플라스틱(plastic) 재질인 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자
15 15
(a) 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 하부 전극 상에 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 절연막을 비등방성 건식 식각하여 오버행(overhang)구조의 비아홀(via hole)을 형성하는 단계;(d) 상기 비아홀 내부의 상기 하부 전극 상에 폴리머막을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 폴리머막 상에 상부 전극을 증착하고 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
16 16
삭제
17 17
제15항에 있어서, 상기 (d)단계는 상기 폴리머막을 상기 절연막 및 상기 오버행 상에까지 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
18 18
제15항 또는 제17항에 있어서, 상기 (d)단계는 상기 폴리머막의 두께가 상기 절연막의 두께보다 작도록 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
19 19
(a) 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 하부 전극 상에 절연막과 보호막을 순차적으로 형성하는 단계;(c) 상기 절연막과 상기 보호막을 비등방성 건식 식각한 후, 상기 절연막을 등방성 습식 식각하여 비아홀(via hole)과 오버행(overhang)구조를 형성하는 단계;(d) 상기 비아홀 내부의 상기 하부 전극 상에 폴리머막을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 폴리머막 상에 상부 전극을 증착하고 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 (b)단계는 상기 보호막을 상기 절연막의 두께보다 작게 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
21 21
제19항에 있어서, 상기 (b)단계는 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 상기 절연막 및 상기 보호막으로 각각 이용하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
22 22
삭제
23 23
제19항에 있어서, 상기 (d)단계는 상기 폴리머막을 상기 비아홀 내부의 상기 하부 전극 상과 동시에 상기 보호막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
24 24
제19항 또는 제23항에 있어서, 상기 (d)단계는 상기 폴리머막의 두께가 상기 절연막의 두께보다 작도록 증착시키는 것을 특징으로 하는 폴리머 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.