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상부에 칩 패드가 구비된 칩의 적층방법으로, 상기 방법은 제 1 접착층을 칩 상부에 도포한 후, 또 다른 칩을 상기 제 1 접착층 상에 제 1 접착시키는 방식으로, 칩-제 1 접착층-칩 형태의 칩 적층구조를 형성시키는 단계;상기 칩 적층구조의 측면 상에 제 2 접착층을 적층하는 단계; 및소정 높이의 범프가 하나 이상 형성된 전도성 연결부재를 상기 제 2 접착층 내부로 압착하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 칩 적층구조에서 상기 칩 패드는 측면에 노출된 상태이고, 상기 압착에 의하여 상기 범프는 상기 제 2 접착층 내부에서 상기 칩 패드와 접촉하여 제 2 접착되며, 상기 전도성 연결부재는 상기 칩 적층방향과 평행한 방향으로 상기 칩 측면에 압착되는 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항에 있어서, 상기 전도성 연결부재는 또 다른 기판상에 패턴된 금속 라인인 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 접착층과 제 2 접착층은 절연 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 접착과 제 2 접착은 열압착 접합, 초음파 접합, 열초음파 접합공정 중 어느 하나의 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항에 있어서, 상기 칩 패드는 상기 칩 측면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항에 있어서, 상기 제 1 접착층과 제 2 접착층은 열경화성 접착제, 열가소성 접착제, 광경화성 접착제, 광 가소성 접착제 및 감광성 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항에 있어서, 상기 범프는 원추형, 반구 또는 평탄한 형상인 것을 특징으로 하는 칩 적층방법
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제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따라 적층된 칩 어셈블리
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제 9항에 있어서,상기 칩 어셈블리는 상부에 칩 패드가 형성된 칩 사이에 도포된 제 1 접착층;상기 칩 측면에 형성된 제 2 접착층; 및상기 제 2 접착층 상에 적층, 접합되며, 소정 높이의 범프가 하나 이상 형성된 전도성 연결 부재가 상부에 패턴된 기판을 포함하며, 여기에서 상기 범프는 상기 제 2 접착층 내부에서 상기 칩 패드와 접촉하며, 상기 전도성 연결부재는 상기 칩 적층방향과 평행한 방향으로 상기 칩 측면에 압착된 것을 특징으로 하는 칩 어셈블리
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제 10항에 있어서, 상기 전도성 연결부재는 상기 적층된 복수 개의 칩을 수직 방향으로 전기적으로 인터커넥션하는 것을 특징으로 하는 칩 어셈블리
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제 11항에 있어서, 상기 제 1 접착층과 제 2 접착층은 절연 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩 어셈블리
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제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 적층방법에 사용되는 칩으로, 상기 칩은 칩 패드가 칩 측면을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 적층용 칩
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제 1항 내지 제 4항, 제 6항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 적층방법에 사용되는 적층용 칩 제조방법으로, 상기 방법은칩 기판 상에 금속 패드를 적층하는 단계; 및상기 적층된 금속패드 및 하부의 칩 기판을 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층용 칩 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 적층은 써멀 이베이퍼레이터(Thermal evaporator), 이빔 이베이퍼레이터(E-beam evaporatior) 또는 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 적층용 칩 제조방법
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제 14항에 있어서, 상기 절단은 특정 너비를 갖는 다이싱블레이드나 레이저를 이용하여 금속 패드부분을 절단하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 적층용 칩 제조방법
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