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ＡＩＮ 열방출층 및 ＴｉＮ 전극이 적용된 상변화 메모리

  • 기술번호 : KST2014051345
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 하부 전극, 상변화 물질, 상부 전극 및 열방출층을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 열방출층으로서 열전도도가 높은 AlN 열방출층 및 하부 전극으로서 열전도도가 낮으면서 적은 전류량으로 다량의 열을 발생시키는 TiN 전극을 포함하여, 상변화 물질과 전극 간에 발생한 열이 소자 내부로 이동하지 않고 신속하게 외부로 방출되어, 저전류 고속 동작이 가능하고 신뢰성이 향상된 상변화 메모리에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020040107265 (2004.12.16)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0612913-0000 (2006.08.08)
공개번호/일자 10-2006-0068546 (2006.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20060816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성일 대한민국 서울 노원구
2 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김영환 대한민국 서울 노원구
4 김춘근 대한민국 서울특별시 강남구
5 염민수 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0594673-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018159-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0219930-62
5 의견서
Written Opinion		 2006.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2006-0403771-79
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0403774-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0410440-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
기판, 하부 전극, 상변화물질, 상부 전극 및 열방출층을 포함하여 구성되는 상변화 메모리에 있어서, 열방출층으로서 AlN 열방출층 및 하부 전극으로서 TiN 전극을 포함하는 것을 특징으로 하여, 상변화 물질과 전극 간에 발생한 열이 소자 내부로 이동하지 않고 신속하게 외부로 방출되어, 저전류 고속 동작이 가능하고 신뢰성이 향상된 상변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, TiN 하부 전극, 상변화 물질 및 상부 전극을 차례로 포함하며, 상기 TiN 하부 전극은 식각된 채 상변화 물질과 접촉되며, 상기 하부 전극, 상변화 물질 및 상부 전극 주위에 AlN 열방출층이 형성되어 있는 구조를 포함하는 상변화 메모리
3 3
제1항에 있어서, TiN 하부 전극 형성된 후 하부 전극의 측면 단면이 드러나도록 한 쪽에만 트렌치가 형성되고, 그 표면에 상변화 물질이 도포되어, 하부 전극의 측면에서 상변화 물질과의 접촉 부위를 갖고, 상기 TiN 하부 전극과 상변화 물질 주위에 AlN 열방출층이 형성되어 있는 구조를 포함하는 상변화 메모리
4 4
제1항에 있어서, TiN 하부 전극과 AlN 열방출층이 차례로 형성된 후, 상기 AlN 열방출층의 일부분이 식각되고, TiN 하부 전극 위 AlN 열방출층이 식각된 부분에 상변화 물질이 도포된 후 수직 식각되어, 상변화 물질이 TiN 위 AlN 열방출층 측면에 좁은 면적으로 남아있게 되고, 그 위에 다시 AlN 열방출층이 형성되어 있는 구조를 포함하는 상변화 메모리
5 5
제1항에 있어서, TiN 하부 전극과 AlN 열방출층이 차례로 형성된 후 일부 식각되어 두 층 모두 측면 단면이 노출된 상태에서 상변화 물질이 도포되고 수직 식각되어, 상변화 물질이 TiN 하부 전극과 AlN 열방출층의 측면에 접촉하여 위치하고 있는 구조를 포함하는 상변화 메모리
6 5
제1항에 있어서, TiN 하부 전극과 AlN 열방출층이 차례로 형성된 후 일부 식각되어 두 층 모두 측면 단면이 노출된 상태에서 상변화 물질이 도포되고 수직 식각되어, 상변화 물질이 TiN 하부 전극과 AlN 열방출층의 측면에 접촉하여 위치하고 있는 구조를 포함하는 상변화 메모리
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4 US20060133174 US 미국 FAMILY

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