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나노 구조물을 이용한 발색체 몰드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015160852
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (a) 기판 위에 적어도 하나의 제1 포토레지스트 및 적어도 하나의 제2 포토레지스트-상기 제1 포토레지스트와 상기 제2 포토레지스트 중 어느 하나는 다른 하나보다 높은 감도를 가짐-를 교대로 적층하는 단계; (b) 상기 적층된 제1 및 제2 포토레지스트를 광 또는 전자 빔에 선택적으로 노출함으로써 상기 노출된 영역을 중심으로 하여 상기 제1 및 제2 포토레지스트 중 감도가 높은 것은 더 넓은 영역에서 반응되는 동시에, 감도가 낮은 것은 더 좁은 영역에서 반응되도록 하는 단계; 및 (c) 현상을 수행함으로써, 상기 제1 및 제2 포토레지스트가 자기 정렬된(self-aligned) 상태로 단일 또는 다중의 T형 적층구조체를 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조 방법과 나노 구조물, 및 이를 이용하여 제조되는 발색체 몰드를 제공한다. 본 발명에 따르면 금속과 같은 단단한 재질로 반영구적으로 반복적 사용이 가능한 발색체 몰드를 제조할 수 있고, 이로부터 대량으로 간편하게 발색체를 생산할 수 있어 생산 단가를 낮출 수 있다는 장점이 있다. 또한 이러한 발색체 몰드에 다양한 종류의 재료를 주입하여 원하는 재질의 발색체를 만들어낼 수 있으므로 이러한 발색체를 다양한 소재에 적용할 수 있다. 더욱이, 몰드 제조용 나노 구조물의 구조를 원하는 대로 변경할 수 있으므로 최종 발색체의 광학적 특성을 다양하게 조절할 수 있다. 몰포나비, 광결정, 나노 구조물, 발색체 몰드, 발색체
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC G03F 7/00(2013.01)G03F 7/00(2013.01)G03F 7/00(2013.01)G03F 7/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080018544 (2008.02.28)
출원인 (주)이모트, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0995313-0000 (2010.11.12)
공개번호/일자 10-2009-0093173 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20101119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.28)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)이모트 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권성훈 대한민국 서울 관악구
2 김준회 대한민국 서울 마포구
3 이승아 대한민국 경기 여주군
4 이경욱 대한민국 경기 안산시 상록구
5 이경열 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)이모트 대한민국 경기도 안산시 단원구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0148946-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.07.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5110838-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5147409-83
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0049793-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2009-5257611-36
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0008124-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0136163-61
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0136164-17
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0256507-02
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0391398-42
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0391397-07
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0381021-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5242695-68
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.04 수리 (Accepted) 4-1-2013-5163444-19
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 위에 적어도 하나의 제1 포토레지스트 및 적어도 하나의 제2 포토레지스트-상기 제1 포토레지스트와 상기 제2 포토레지스트 중 어느 하나는 다른 하나보다 높은 감도를 가짐-를 블록공중합체의 자기조립(self-assembly)에 의해 교대로 적층하는 단계; (b) 상기 적층된 제1 및 제2 포토레지스트를 광 또는 전자 빔에 선택적으로 노출함으로써 상기 노출된 영역을 중심으로 하여 상기 제1 및 제2 포토레지스트 중 감도가 높은 것은 더 넓은 영역에서 반응되는 동시에, 감도가 낮은 것은 더 좁은 영역에서 반응되도록 하는 단계; 및 (c) 현상을 수행함으로써, 상기 제1 및 제2 포토레지스트가 자기 정렬된(self-aligned) 상태로 단일 또는 다중의 T형 적층구조체를 형성하는 단계 를 포함하는 나노 구조물의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 전도성 기판이거나 전도성 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, (a) 단계에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토레지스트를 도포, 건조 및 베이킹함으로써 적층하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토레지스트는 음성 레지스트이고, 상기 (b) 단계에 있어서, 상대적으로 낮은 감도를 가지는 포토레지스트는 상대적으로 좁은 영역에서 경화가 이루어지고, 상대적으로 높은 감도를 가지는 포토레지스트는 상대적으로 넓은 영역에서 경화가 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 포토레지스트는 양성 레지스트이고, 상기 (b) 단계에 있어서, 상대적으로 낮은 감도를 가지는 포토레지스트는 상대적으로 좁은 영역에서 분해가 이루어지고, 상대적으로 높은 감도를 가지는 포토레지스트는 상대적으로 넓은 영역에서 분해가 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 광 또는 빔을 1회만 노출하여도 반응될 수 있는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, (d) 상기 나노 구조물의 상기 T형 적층구조체들 사이의 빈 공간을 채우며 상기 기판과 결합되도록 금속으로 코팅하는 단계; 및 (e) 상기 제1 및 제2 포토레지스트로 이루어진 상기 T형 적층구조체를 제거하는 단계 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
9 9
(a) 기판 위에 복수의 포토레지스트-상기 포토레지스트 중 적어도 하나는 다른 포토레지스트와 다른 감도를 가짐-를 블록공중합체의 자기조립(self-assembly)에 의해 적층하는 단계; (b) 상기 적층된 복수의 포토레지스트를 광 또는 전자 빔에 선택적으로 노출함으로써 상기 노출된 영역을 중심으로 하여 상기 포토레지스트 중 감도가 높은 것은 더 넓은 영역에서 반응되는 동시에, 감도가 낮은 것은 더 좁은 영역에서 반응되도록 하는 단계; 및 (c) 현상을 수행함으로써, 상기 포토레지스트가 자기 정렬된(self-aligned) 상태로 단일 또는 다중의 T형 적층구조체를 형성하는 단계 를 포함하는 나노 구조물의 제조 방법
10 10
제1항 내지 제3항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 포토레지스트의 종류, 도포 횟수 또는 상기 광 또는 전자 빔의 노출 범위 중 적어도 하나를 조절함으로써 원하는 규격의 T형 적층구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물의 제조 방법
11 11
기판; 및 상기 기판 위에 형성되어 있으며 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트가 교대로 적층되어 이루어진 단일 또는 다중 T형 적층구조체;를 포함하는 나노구조물로서, 상기 나노구조물의 발색체 또는 상기 나노구조물로부터 생성되는 발색체가 빛의 간섭 현상에 의해 원하는 파장 범위를 반사할 수 있도록, 발색체의 높이(501)는 적층한 층의 개수에 따라 200nm 내지 5㎛의 값을 가지고, 구조물층 두께(502)는 10nm 내지 1㎛, 구조물층 사이의 간격(503)은 10nm 내지 1㎛, 높이 방향 주기(504)는 20nm 내지 1㎛, 중심축 두께(505)는 10nm 내지 1㎛, 발색체 너비(506)는 20nm 내지 1㎛ 범위에서 변화하며, T형 적층구조체 간 거리(507)는 발색체 너비(506)의 1배 내지 100배의 값을 갖는 나노 구조물
12 12
기판; 및 상기 기판 위에 형성되어 있으며 금속으로 이루어진 단일 또는 다중 T형 적층구조체;를 포함하는 나노구조물로서, 상기 나노구조물의 발색체 또는 상기 나노구조물로부터 생성되는 발색체가 빛의 간섭 현상에 의해 원하는 파장 범위를 반사할 수 있도록, 발색체의 높이(501)는 적층한 층의 개수에 따라 200nm 내지 5㎛의 값을 가지고, 구조물층 두께(502)는 10nm 내지 1㎛, 구조물층 사이의 간격(503)은 10nm 내지 1㎛, 높이 방향 주기(504)는 20nm 내지 1㎛, 중심축 두께(505)는 10nm 내지 1㎛, 발색체 너비(506)는 20nm 내지 1㎛ 범위에서 변화하며, T형 적층구조체 간 거리(507)는 발색체 너비(506)의 1배 내지 100배의 값을 갖는 나노 구조물
13 13
삭제
14 14
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 T형 적층구조체가 비주기적 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조물
15 15
(a) 기판; 및 상기 기판 위에 형성되어 있으며 제1 포토레지스트 및 제2 포토레지스트가 교대로 적층되어 이루어진 단일 또는 다중 T형 적층구조체;를 포함하는 나노 구조물을 제공하는 단계; (b) 상기 나노 구조물의 상기 T형 적층구조체들 사이의 빈 공간을 채우며 상기 기판과 결합되도록 금속으로 코팅하는 단계; 및 (c) 상기 제1 및 제2 포토레지스트로 이루어진 상기 T형 적층구조체를 제거하여 발색체 몰드를 얻는 단계 를 포함하는 발색체 몰드의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 기판은 전도성 기판이거나 전도성 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 발색체 몰드의 제조 방법
17 17
제15항에 있어서, 상기 코팅 단계는 금속을 도금 또는 전주도금함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 발색체 몰드의 제조 방법
18 18
(a) 기판; 및 상기 기판 위에 형성되어 있으며 금속으로 이루어진 단일 또는 다중 T형 적층구조체;를 포함하는 나노 구조물을 제공하는 단계; (b) 상기 나노 구조물의 상기 T형 적층구조체들 사이의 빈 공간을 채우도록 몰딩 소재를 주입하고 경화시키는 단계; 및 (d) 상기 경화된 몰딩 소재를 상기 나노 구조물로부터 분리하여 발색체 몰드를 얻는 단계 를 포함하는 발색체 몰드의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 (b) 단계를 수행함에 있어서, 상기 몰딩 소재는 열가소성 중합체이며, 상기 열가소성 중합체를 용융 주입하는 것을 특징으로 하는 발색체 몰드의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 열가소성 중합체는 폴리프로필렌, 폴리비닐리덴 불화물, 나일론, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리메틸 메타크릴릭산 에스테르, 폴리카보네이트, 폴리에스테르 에테르케톤, 폴리파라페닐렌 테레프탈산아미드, 폴리페닐렌 황화물 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 발색체 몰드의 제조 방법
21 21
제18항에 있어서, 상기 몰딩 소재는 액상 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 발색체 몰드의 제조 방법
22 22
(a) 제15 내지 제18항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 자외선에 투명한 발색체 몰드를 제공하는 단계; (b) 기판 상에 광경화성 물질을 도포하는 단계; (c) 상기 발색체 몰드로 상기 광경화성 물질이 도포된 기판 위 부분을 압착하여 상기 발색체 몰드의 빈 공간 내로 상기 광경화성 물질이 침투하도록 하는 단계; (d) 상기 발색체 몰드에 자외선을 투과시켜 상기 발색체 몰드 하부의 상기 광경화성 물질을 경화시키는 단계; 및 (e) 상기 발색체 몰드를 분리하여 상기 기판 상에 상기 경화된 광경화성 물질로 이루어진 단일 또는 다중 T형 적층구조체의 패턴을 구비한 발색체를 얻는 단계 를 포함하는 발색체의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서, 상기 (d) 단계에 있어서, 상기 광경화성 물질이 이형 중에 몰드에는 붙지 않고 상기 기판에만 붙을 수 있는 선택성을 가진 것을 특징으로 하는 발색체의 제조 방법
24 24
제22항에 있어서, 상기 광경화성 물질이 액상 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 발색체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.