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유기 합성용 자성 나노입자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134941
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하나 이상의 여러 자리 리간드가 자성 나노입자의 표면에 결합된 표면 개질된 자성 나노입자가 제공된다. 하나 이상의 여러 자리 리간드는 하나 이상의 디티오카바메이트기를 통해 자성 나노입자의 표면에 결합된다. 하나 이상의 여러 자리 리간드는 하기 화학식 (2)의 화합물일 수 있다: 003c#화학식 2003e# 상기 식에서, 각 R, R' 및 R"는 독립적으로 H, 분지형 에틸렌이민 단위, 비치환되거나 치환된 알킬, 비치환되거나 치환된 알케닐 또는 비치환되거나 치환된 아릴이고; m은 0 내지 49의 정수이며; q는 1 내지 50의 정수이고; r은 0 내지 49의 정수이며; m, q 및 r의 합은 50 이하이고; [CH2N(CS2H)CH2]q 단위는 올리고머 도처에 랜덤하게 분포된다.
Int. CL B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 25/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080112658 (2008.11.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1088116-0000 (2011.11.23)
공개번호/일자 10-2010-0024326 (2010.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20111202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 미국  |   12/197,568   |   2008.08.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.13)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진규 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진회 대한민국 서울특별시 서대문구 충정로 ** (충정로*가, 풍산빌딩) **층(리인터내셔널 특허법률사무소)
2 김성기 대한민국 서울특별시 중구 남대문로 **, *층(소공동, 한진빌딩 본관)(특허법인 광장리앤고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0784736-30
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0128906-80
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0850880-89
4 보정요구서
Request for Amendment		 2008.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0135628-56
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0863429-15
6 우선권주장증명서류제출서(USPTO)
Submission of Priority Certificate(USPTO)		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-9011742-36
7 [우선권증명서류]서류제출서
[Certificate of Priority] Submission of Document		 2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0806604-63
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.07.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0048853-12
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0602738-14
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0146439-81
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0146417-87
13 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0494054-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자성 나노입자의 표면에 결합된, 하나 이상의 여러 자리 리간드를 포함하는 표면 개질된 자성 나노입자로서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 하기 화학식 (2)의 올리고머 화합물인 표면 개질된 자성 나노입자: [화학식 2] 상기 식에서, 각 R, R' 및 R"는 독립적으로 H, 분지형 에틸렌이민 단위, 비치환되거나 치환된 알킬, 비치환되거나 치환된 알케닐 또는 비치환되거나 치환된 아릴이고; m은 0 내지 49의 정수이며, q는 1 내지 50의 정수이고, r은 0 내지 49의 정수이며, m + q + r은 50 이하이고; [CH2N(CS2H)CH2]q 단위는 올리고머 도처에 랜덤하게 분포됨
2 2
제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 하나 이상의 디티오카바메이트기를 통해 상기 자성 나노입자의 표면에 결합되는 표면 개질된 자성 나노입자
3 3
제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드에서 디티오카바메이트기 대 아민기의 몰비가 1:9 내지 9:1인 표면 개질된 자성 나노입자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 적어도 세 개의 디티오카바메이트기를 통해 자성 나노입자의 표면에 결합되는 표면 개질된 자성 나노입자
5 5
삭제
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 자성 나노입자가 γ-Fe2O3; Co; FePt 합금; MFe2O4 (여기에서, M은 Fe, Co, Mn 또는 이들의 임의의 2종 이상의 혼합물임); FePd; CoPd; Mn3O4; MnO; Ni; (Y1-xGdx)2O3 (여기에서, x는 0 또는 1임); 철-55-니켈-45 합금; 철 니켈 산화물; 니켈 코발트 산화물; 산화가돌리늄(III); 니켈 아연 철 산화물; 구리 아연 철 산화물; 구리 철 산화물; 산화철 나노분말; 산화코발트(II 또는 III); 산화니켈(II); 또는 이들의 임의의 2종 이상의 혼합물인 표면 개질된 자성 나노입자
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 촉매를 더 포함하는 표면 개질된 자성 나노입자
8 8
하나 이상의 한자리 리간드와 착화된 자성 나노입자를 제공하고, 상기 한자리 리간드를 하나 이상의 여러 자리 리간드와 교환하는 것을 포함하는, 표면 개질된 자성 나노입자의 제조방법으로서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 하기 화학식 (2)의 올리고머 화합물인 방법: [화학식 2] 상기 식에서, 각 R, R' 및 R"는 독립적으로 H, 분지형 에틸렌이민 단위, 비치환되거나 치환된 알킬, 비치환되거나 치환된 알케닐 또는 비치환되거나 치환된 아릴이고; m은 0 내지 49의 정수이며, q는 1 내지 50의 정수이고, r은 0 내지 49의 정수이며, m + q + r은 50 이하이고; [CH2N(CS2H)CH2]q 단위는 올리고머 도처에 랜덤하게 분포됨
9 9
제8항에 있어서, 상기 하나 이상의 한자리 리간드의 자성 나노입자와의 결합 상수가 상기 자성 나노입자에 대한 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드의 결합 상수보다 낮은 방법
10 10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 하나 이상의 한자리 리간드가 비치환되거나 치환된 C1-C22 알킬 카르복실산, 비치환되거나 치환된 폴리알킬렌 글리콜 카르복실산 또는 이들의 임의의 2종 이상의 혼합물인 방법
11 11
삭제
12 12
자성 나노입자의 표면에 결합된 하나 이상의 여러 자리 리간드를 포함하는 표면 개질된 자성 나노입자를 포함하는 고상 합성용 지지체로서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 하기 화학식 (2)의 올리고머 화합물인 고상 합성용 지지체: [화학식 2] 상기 식에서, 각 R, R' 및 R"는 독립적으로 H, 분지형 에틸렌이민 단위, 비치환되거나 치환된 알킬, 비치환되거나 치환된 알케닐 또는 비치환되거나 치환된 아릴이고; m은 0 내지 49의 정수이며, q는 1 내지 50의 정수이고, r은 0 내지 49의 정수이며, m + q + r은 50 이하이고; [CH2N(CS2H)CH2]q 단위는 올리고머 도처에 랜덤하게 분포됨
13 13
제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 하나 이상의 디티오카바메이트기를 통해 상기 자성 나노입자의 표면에 결합되는 고상 합성용 지지체
14 14
삭제
15 15
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 하나 이상의 여러 자리 리간드가 적어도 세 개의 디티오카바메이트기를 통해 자성 나노입자의 표면에 결합되는 고상 합성용 지지체
16 16
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 자성 나노입자가 γ-Fe2O3; Co; FePt 합금; MFe2O4 (여기에서, M은 Fe, Co, Mn 또는 이들의 임의의 2종 이상의 혼합물임); FePd; CoPd; Mn3O4; MnO; Ni; (Y1-xGdx)2O3 (여기에서, x는 0 또는 1임); 철-55-니켈-45 합금; 철 니켈 산화물; 니켈 코발트 산화물; 산화가돌리늄(III); 니켈 아연 철 산화물; 구리 아연 철 산화물; 구리 철 산화물; 산화철 나노분말; 산화코발트(II 또는 III); 산화니켈(II); 또는 이들의 임의의 2종 이상의 혼합물인 고상 합성용 지지체
17 17
제12항 또는 제13항에 있어서, 표면 개질된 자성 나노입자가 촉매를 더 포함하는 고상 합성용 지지체
18 18
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 지지체가 고체상 펩티드 합성에 사용되도록 구성되는 고상 합성용 지지체
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08043702 US 미국 FAMILY
2 US20100047578 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010047578 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8043702 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.