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복수의 단위 화소 각각에 인가되는 전압의 크기에 따라 서로 다른 파장 대의 광을 수광하는 광센서가 구비되며, 상기 단위 화소마다 상기 수광한 광에 대한 신호를 출력하는 복수의 스위칭소자를 포함하는 화소부;상기 화소부에서 제공하는 상기 서로 다른 파장 대의 광에 대한 신호를 변환하여 출력하는 신호 변환부; 및상기 변환한 신호를 이용하여 상기 서로 다른 파장 대의 이미지를 생성해 표시하도록 제어하는 제어부;를 포함하되,상기 화소부는,전압 제어에 따라 하나 혹은 복수 파장 대의 광을 수광하고,상기 광센서는,상기 화소부에서 하부에 배치되고, 오목한 부위를 갖는 제1 전극; 및상기 제1 전극의 상부에 배치되며, 바(bar) 형상을 이루어 상기 오목한 부위의 외곽에서 중심을 향하도록 형성되는 제2 전극;을포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
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제1항에 있어서,상기 화소부는,상기 전압의 제어에 따라 3개의 전압이 인가될 때, 적외선, 가시광선 및 자외선 파장 대의 광을 수광하는 것을 특징으로 하는 이미지 센싱 장치
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기판;상기 기판상에 형성되며, 애노드(anode) 및 캐소드(cathode) 전압을 각각 인가받는 제1 및 제2 도전배선;상기 기판상에 형성되며, 상측 면에 오목한 부위를 갖는 유전층;상기 오목한 부위에 형성되며, 관통홀을 통해 상기 제1 도전배선에 연결되는 제1 전극;상기 제1 전극의 상부에 배치되며, 상기 제2 도전배선에 연결되는 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 진공 상태로 형성하는 패키징부;를포함하는 이미지 센서
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제4항에 있어서,상기 제2 전극은 바(bar) 형상을 이루어 상기 오목한 부위의 외곽에서 중심을 향하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제4항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 오목한 부위의 중심에서의 거리가 외곽에서의 거리보다 상기 기판에 가까운 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제4항에 있어서,상기 제1 전극은 오목한 부위의 중심에서 외곽까지 균일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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기판상에 애노드(anode) 및 캐소드(cathode) 전압을 각각 인가받는 제1 및 제2 도전배선을 형성하는 단계;상기 기판상에 상측 면이 오목한 부위를 갖는 유전층을 형성하는 단계;상기 오목한 부위에 형성되며, 관통홀을 통해 상기 제1 도전배선에 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극의 상부에 배치되며, 상기 제2 도전배선에 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 진공 상태로 형성하는 패키징부를 형성하는 단계;를포함하는 이미지 센서의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제2 전극은 바(bar) 형상을 이루어 상기 오목한 부위의 외곽에서 중심을 향하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 오목한 부위의 중심에서의 거리가 외곽에서의 거리보다 상기 기판에 가깝게 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 제1 전극은 오목한 부위의 중심에서 외곽까지 균일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법
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