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나노 스케일 ３차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 및 방법
- 기술번호 : KST2014037233
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 하나의 통합 장비로 나노 입자 적층 및 이온 빔에 의한 식각을 동시에 진행할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.본 발명에 따른 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치는, 나노 입자를 기판 상에 분사하여 구조물을 적층하는 나노 입자 적층 장치와, 상기 구조물에 대해 이온 소스에서 방사된 이온 빔으로 식각하는 집속 이온 빔 장치를 포함하여 구성된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/3065 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) H01L 21/0275(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100096211 (2010.10.04) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1172859-0000 (2012.08.03) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0034862 (2012.04.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120809) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.10.04) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안성훈 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 천두만 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 김충수 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인다울 | 대한민국 | 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0638246-93 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2010.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0668355-19 |
| 3 | 보정요구서 Request for Amendment |
2010.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0092646-84 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.11.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0761572-14 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.02.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0073762-70 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0258416-80 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.05.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0332527-64 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.07.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0382280-34 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.09.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0712486-93 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.09.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0712488-84 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 12 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2011.11.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0667888-34 |
| 13 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration) |
2011.12.13 | 수리 (Accepted) | 7-1-2011-0048562-18 |
| 14 | 심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner |
2012.02.21 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0005500-99 |
| 15 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.05.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0297486-05 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.05.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0436114-62 |
| 17 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0436115-18 |
| 18 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0449360-27 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 나노 입자를 기판 상에 분사하여 구조물을 적층하는 나노 입자 적층 장치와,상기 구조물에 대해 이온 소스에서 방사된 이온 빔으로 식각하는 집속 이온 빔 장치를 포함하며,상기 나노 입자 적층 장치는,제 1 챔버와,상기 제 1 챔버 내에 구비되어 기판을 지지하는 스테이지와,상기 기판에 분말을 분사하여 구조물을 적층하는 노즐과,상기 노즐에 분말을 공급하는 분말 공급부를 포함하고,상기 집속 이온 빔 장치는,제 2 챔버와,상기 제 2 챔버 내에 구비되어 이온 빔을 발생시키는 이온 소스와,상기 구조물을 식각하기 위해 상기 이온 빔을 제어하는 조리개와 렌즈를 포함하고,상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버는 서로 연통되며,상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버 사이에서 상기 나노 입자 적층 장치와 상기 집속 이온 빔 장치 간에 기판을 이송하는 기판 이송 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 나노 입자 적층 장치와 상기 집속 이온 빔 장치 사이에 구비되어 기판 이송 시 개폐되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 청구항 1에 있어서,상기 나노 입자 적층 장치와 상기 집속 이온 빔 장치가 상기 구조물의 위치와 두께를 측정하는 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 5 |
5 청구항 1에 있어서,상기 나노 입자 적층 장치와 상기 집속 이온 빔 장치가 상기 구조물의 x축과 y축의 위치를 측정하기 위해 상기 기판에 형성된 정렬 키와,상기 스테이지를 틸트시켜 상기 구조물의 z축의 위치를 측정하는 스테이지 틸트 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 6 |
6 청구항 1에 있어서,상기 분말 공급부는 두 가지 이상의 서로 상이한 분말을 상기 노즐에 공급하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 7 |
7 청구항 1에 있어서,상기 스테이지는 서로 상이한 3축의 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 8 |
8 청구항 1에 있어서,상기 나노 입자 적층 장치가, 상기 기판의 일 측면과, 상기 일 측면과 연속된 타 측면을 고정하는 척을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 청구항 1에 있어서,상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버 사이의 연통된 공간은 제 1 게이트와 제 2 게이트를 구비하고,상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버는 분위기가 서로 상이하며,상기 제 1 게이트와 상기 제 2 게이트에 의해 생성된 기판 이송 공간은 기판 이송 시 상기 제 1 챔버 또는 상기 제 2 챔버와 분위기가 동일한 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 12 |
12 청구항 1에 있어서,상기 제 1 챔버와 상기 제 2 챔버를 각기 다른 진공 상태로 유지시킬 수 있는 진공 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 13 |
13 삭제 |
| 14 |
14 청구항 1에 있어서,상기 구조물을 평탄화하는 평탄화 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 15 |
15 청구항 14에 있어서,상기 평탄화 수단은 CMP(Chemical Mechanical-Polishing) 장비를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 16 |
16 청구항 1에 있어서,상기 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치로 최종 제작된 구조물의 물성을 강화시키는 열처리 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 |
| 17 |
17 기판을 준비하는 제 1 단계와,상기 기판 상에 나노 입자로 구조물을 적층하는 제 2 단계와,상기 구조물이 적층된 기판을 1차 이송하는 제 3 단계와,상기 이송된 기판의 구조물을 집속 이온 빔으로 식각하는 제 4 단계;를 포함하며,상기 제 4 단계 이후, 상기 구조물이 식각된 기판을 2차 이송하는 제 5 단계를 더 포함하고,상기 구조물이 목표된 형상으로 형성될 때까지 상기 제 2 단계 내지 제 5 단계를 반복 수행하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 18 |
18 청구항 17에 있어서,상기 구조물이 적층된 기판을 1차 이송하는 제 3 단계는,상기 구조물이 적층된 기판을 상기 나노 입자를 구조물로 적층한 공간과 상이한 중간 공간으로 이송하는 단계와,상기 중간 공간의 분위기를 집속 이온 빔 식각 공정을 수행하는 공간의 분위기로 조절하는 단계와,상기 중간 공간에 위치된 기판을 집속 이온 빔 식각 공정을 수행하는 공간으로 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 청구항 17에 있어서,상기 기판 상에 나노 입자로 구조물을 적층하는 제 2 단계는,분말을 공급하는 단계와,상기 분말을 분사 노즐로 운반하는 단계, 및상기 기판 상에 상기 분말을 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 21 |
21 청구항 20에 있어서,상기 분말을 공급하는 단계는 서로 상이한 두 가지 이상의 분말을 공급하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 22 |
22 청구항 17에 있어서,상기 구조물이 식각된 기판을 2차 이송하는 제 5 단계; 이후,상기 구조물의 위치를 결정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 23 |
23 청구항 22에 있어서,상기 구조물의 위치를 결정하는 단계는,상기 구조물의 평면상 위치를 측정하는 단계, 및상기 구조물의 두께를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 24 |
24 청구항 17에 있어서,상기 기판 상에 나노 입자로 구조물을 적층하는 제 2 단계; 이후상기 구조물을 평탄화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 25 |
25 청구항 24에 있어서,상기 구조물을 평탄화하는 단계는 상기 구조물을 CMP(Chemical Mechanical-Polishing)로 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 26 |
26 청구항 17에 있어서,상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 수행하여 목표된 형상으로 형성된 구조물의 물성을 강화하는 열처리 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 27 |
27 청구항 17에 있어서,상기 제 1 단계 내지 제 4 단계를 수행하여 목표된 형상으로 형성된 구조물의 불필요한 부분을 제거하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 한국연구재단 | 서울대학교 산학협력단 | 이공분야 기초연구사업-중견연구자지원사업-핵심연구-개인연구 | 벡터 스캔을 이용한 가공형상 맞춤형 집속이온빔 가공 최적화 |
| 2 | 한국연구재단 | 서울대학교 산학협력단 | 이공분야 기초연구사업-중견연구자지원사업-도약연구-전략연구 | 나노스케일 3차원 프린팅 시스템 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
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- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1172859-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20101004 출원 번호 : 1020100096211 공고 연월일 : 20120809 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120801 청구범위의 항수 : 22 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 나노 스케일 ３차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 및 방법 존속기간(예정)만료일 : 20190804 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 451,500 원 | 2012년 08월 06일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2015년 07월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2016년 02월 12일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2017년 07월 24일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2018년 07월 20일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.10.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0638246-93 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2010.10.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0668355-19 |
| 3 | 보정요구서 | 2010.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0092646-84 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.11.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0761572-14 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.02.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0073762-70 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0258416-80 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.05.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0332527-64 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2011.07.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0382280-34 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.09.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0712486-93 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.09.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0712488-84 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 12 | 거절결정서 | 2011.11.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0667888-34 |
| 13 | [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.12.13 | 수리 (Accepted) | 7-1-2011-0048562-18 |
| 14 | 심사관의견요청서 | 2012.02.21 | 수리 (Accepted) | 7-8-2012-0005500-99 |
| 15 | 의견제출통지서 | 2012.05.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0297486-05 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.05.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0436114-62 |
| 17 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0436115-18 |
| 18 | 등록결정서 | 2012.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0449360-27 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 기술번호 | KST2014037233 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 서울대학교 |
| 기술명 | 나노 스케일 ３차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 및 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 하나의 통합 장비로 나노 입자 적층 및 이온 빔에 의한 식각을 동시에 진행할 수 있는 장치 및 방법을 제공한다.본 발명에 따른 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치는, 나노 입자를 기판 상에 분사하여 구조물을 적층하는 나노 입자 적층 장치와, 상기 구조물에 대해 이온 소스에서 방사된 이온 빔으로 식각하는 집속 이온 빔 장치를 포함하여 구성된다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345148804 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0081391 |
| 연구과제명 | 벡터 스캔을 이용한 가공형상 맞춤형 집속이온빔 가공 최적화 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200905~201202 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345168331 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0029227 |
| 연구과제명 | 나노스케일 3차원 프린팅 시스템 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201009~201508 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345123284 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-0081391 |
| 연구과제명 | 벡터 스캔을 이용한 가공형상 맞춤형 집속이온빔 가공 최적화 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200905~201202 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345128741 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0029227 |
| 연구과제명 | 나노스케일 3차원 프린팅 시스템 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 201009~201508 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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중요키워드
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2012101000444 | 2012원444 | 2010년 특허출원 제0096211호 거절결정불복 | 2012.01.16 | 2012.05.09 |