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커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014046767
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 커패시터리스 디램 셀 제조방법은, 기판 상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계; 상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성하고, 상기 단결정 반도체층 상에 제1 타입의 반도체의 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체의 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 및 상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/8242 (2006.01)
CPC H01L 27/10802(2013.01)
출원번호/일자 1020100071736 (2010.07.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1201853-0000 (2012.11.09)
공개번호/일자 10-2012-0010311 (2012.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20121115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120041245;
심사청구여부/일자 Y (2010.07.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 한진우 대한민국 대전광역시 유성구
3 최지민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0478945-80
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0419225-90
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0643985-67
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0180704-54
5 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.04.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0313988-32
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0314035-25
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0271323-74
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0544657-97
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0544656-41
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0673940-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계;상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성한 후 제1 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계;상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계;상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 및상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 P형 반도체, N형 반도체일 경우, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 낮고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 높도록 하는 물질인 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법
2 2
기판 상에 매립 절연산화막을 형성하는 단계;상기 매립 절연 산화막 상에 단결정 반도체층을 형성한 후 제1 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계;상기 단결정 반도체층을 식각하여 활성 반도체층을 형성하는 단계;상기 활성 반도체층에서 상기 제1 타입의 반도체로 남겨둘 부위에 감광막을 형성한 상태에서 제2 타입의 반도체 형성을 위한 이온주입을 실시하는 단계; 및상기 감광막을 제거한 후 상기 활성 반도체층에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 타입의 반도체 및 제2 타입의 반도체가 각각 N형 반도체, P형 반도체일 경우, 상기 제1 타입 및 제2 타입의 반도체를 각각 형성하는 물질은, 상기 제2 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지가 상기 제1 타입의 반도체의 밸런스 밴드 에너지보다 높고, 상기 제1 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지가 상기 제2 타입의 반도체의 컨덕션 밴드 에너지보다 낮도록 하는 물질인 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 감광막을 제거한 후 어닐링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 절연층 매몰 실리콘 웨이퍼, 절연층 매몰 게르마늄 웨이퍼, 절연층 매몰 스트레인드 게르마늄 웨이퍼, 또는 절연층 매몰 스트레인드 실리콘 웨이퍼 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1 타입의 반도체와 상기 제2 타입의 반도체를 형성하는 물질은, 실리콘, 저머늄, 실리콘저머늄, 실리콘카바이드, 갈륨비소, 인듐갈륨비소, 또는 갈륨질소 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 2단자의 커패시터리스 디램 셀 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항 또는 제2항의 방법으로 제조된 2단자의 커패시터리스 디램 셀
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101221445 KR 대한민국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.