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반도체 소자의 제조 방법 및 이를 위한 반도체 소자용 베이스 기판

  • 기술번호 : KST2019031036
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 서브 기판(sub-substrate)을 준비하는 단계, 상기 서브 기판 상에 접착층(adhesive layer)을 형성하는 단계, 상기 접착층 상에 메인 기판(main substrate)을 형성하는 단계, 상기 메인 기판 상에 보호층(protective layer)을 형성하는 단계, 및 상기 접착층을 제거함으로써, 상기 메인 기판으로부터 상기 서브 기판을 분리시키는 단계를 포함하되, 상기 보호층을 형성하는 단계에서, 상기 보호층은 상기 서브 기판, 상기 접착층, 및 상기 메인 기판의 측면 상에도 형성되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020170087825 (2017.07.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0006745 (2019.01.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.05.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한태희 대한민국 서울특별시 광진구
3 조현수 대한민국 대전광역시 유성구
4 성가진 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0662415-73
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-1092516-40
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1142324-98
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0358375-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
7 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2020-0466193-72
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
서브 기판(sub-substrate)을 준비하는 단계;상기 서브 기판 상에 접착층(adhesive layer)을 형성하는 단계;상기 접착층 상에 메인 기판(main substrate)을 형성하는 단계;상기 메인 기판 상에 보호층(protective layer)을 형성하는 단계; 및상기 접착층을 제거함으로써, 상기 메인 기판으로부터 상기 서브 기판을 분리시키는 단계를 포함하되,상기 보호층을 형성하는 단계에서, 상기 보호층은 상기 서브 기판, 상기 접착층, 및 상기 메인 기판의 측면 상에도 형성되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 접착층 및 상기 서브 기판의 측면 상에 형성된 상기 보호층의 두께가 상기 메인 기판의 측면 상에 형성된 상기 보호층의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 메인 기판으로부터 상기 서브 기판을 분리시키는 단계 전,상기 메인 기판 상에 반도체 소자층(semiconductor element layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 반도체 소자층을 제조하는 단계에서,상기 서브 기판, 상기 접착층, 및 상기 메인 기판의 측면 상에 형성된 상기 보호층이 제거되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 접착층은, 용액 공정에 의해 용해되어 제거되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 메인 기판은 상기 서브 기판보다 플렉시블(flexible)한 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 보호층은, 원자층 증착(atomic layer deposition) 공정에 의해 형성되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 원자층 증착 공정의 온도 및 시간에 따라, 상기 메인 기판 및 상기 서브 기판 사이의 점착력(adhesion force)이 조절되는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
9 9
서브 기판;상기 서브 기판 상의 접착층;상기 접착층 상의 메인 기판; 및상기 서브 기판, 상기 접착층, 및 상기 메인 기판의 측면과, 상기 메인 기판의 표면 상에 형성된 보호층을 포함하는 반도체 소자용 베이스 기판
10 10
제9 항에 있어서,상기 접착층 및 상기 서브 기판의 측면 상에 형성된 상기 보호층의 두께가 상기 메인 기판의 측면 상에 형성된 상기 보호층의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 반도체 소자용 베이스 기판
11 11
제9 항에 있어서,상기 메인 기판은 상기 서브 기판보다 플렉시블한 것을 포함하는 반도체 소자용 베이스 기판
12 12
제1 항에 있어서,상기 보호층의 두께에 따라, 투습도(WVTR)가 조절되는 반도체 소자용 베이스 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 점/탈착력 제어 가능한 2-D 기반 소재 및 탈착 기술 개발