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셋 전압 윈도우가 좁은 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121369
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 셋 전압과 리셋 전압의 분포를 좁히고 소자 수율을 향상시킨 바이너리 산화물계 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명은 바이너리 산화물 박막 및 상부 전극의 증착이 각각 상온 및 상압보다 낮은 저압 상태에서 이루어지고, 상기 상부 전극의 증착 전에 상기 바이너리 산화물 박막을 산소 분위기하에서 후열처리하는 것을 특징으로 한다. 저항 변화 기억 소자, 소자 수율, 티타늄, 산화망간, 셋 전압, 리셋 전압, 윈도우, 후열처리
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020080023488 (2008.03.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0963828-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자 10-2009-0098243 (2009.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20100616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.13)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 양민규 대한민국 서울 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0184339-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.05.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0034992-64
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0024189-45
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0177158-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0177159-83
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0232157-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에, 하부 전극, 바이너리 산화물 박막 및 상부 전극 순으로 형성된 구조를 갖는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법에 있어서, 상기 바이너리 산화물 박막 및 상기 상부 전극은 상온 및 상압보다 낮은 저압 상태에서 각각 증착이 이루어지며, 상기 상부 전극의 증착 전에 상기 바이너리 산화물 박막을 산소 분위기하에서 후열처리하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상온은 15∼80 ℃이고, 상압보다 낮은 저압은 1∼100 mTorr인 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 후열처리는 2 mTorr~760 Torr의 압력과, 300∼750 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 바이너리 산화물 박막 및 상기 상부 전극의 증착은, 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법, 증발법 (thermal evaporation), 전자빔 증발법 (electron-beam evaporation), 원자층 증착법 (atomic layer deposition; ALD), 분자선 에피탁시 증착법 (molecular beam epitaxy; MBE) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 표면에 자연 산화막 (SiO2)이 형성된 실리콘 기판이며, 상기 하부 전극 형성 공정 전에, 상기 기판 위에 상기 실리콘 기판과 상기 하부 전극의 접착력을 강화하는 접착층 (adhesion layer)을 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 백금 (Pt)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 바이너리 산화물 박막 소재로 혼합 원자가 상태 (mixed valence state)인 산화망간을 사용하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 상부 전극은 티타늄 (Ti)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 저항 변화 기억 소자용 박막 구조물의 제조 방법
9 9
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10 10
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11 11
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