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기판,상기 기판 위에 위치하는 하부전극,GeBiSbTe, GeBiSnTe, GeBiSeTe, InBiSbTe, InBiSnTe, 또는 InBiSeTe 중 어느 하나 이상을 포함하는 4원소계 상변화 물질층,상기 4원소계 상변화 물질층 위에 위치하는 상부전극, 그리고상기 상부전극과 상기 4원소계 상변화 물질층 사이, 상기 4원소계 상변화 물질층과 상기 하부전극 사이, 상기 하부전극과 상기 기판 사이 중 1 이상의 위치에 있는 텅스텐 질화물(WN)을 포함하고, 상기 상부전극 또는 상기 하부전극과 구분되는 확산방지막을 포함하는 상변화 메모리 소자
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제1항에서,상기 4원소계 상변화 물질층이 Bi를 포함하는 경우, 상기 4원소계 상변화 물질층 전체를 기준으로 하여 Bi는 1 - 20 원자%이고, 상기 4원소계 상변화 물질층이 Te를 포함하는 경우, 상기 4원소계 상변화 물질층 전체를 기준으로 하여 Te는 10 - 50 원자%이며,상기 4원소계 상변화 물질층이 Ge를 포함하는 경우, 상기 4원소계 상변화 물질층 전체를 기준으로 하여 Ge는 10 - 20 원자%이고,상기 4원소계 상변화 물질층이 In을 포함하는 경우, 상기 4원소계 상변화 물질층 전체를 기준으로 하여 In은 10 - 20 원자%인 상변화 메모리 소자
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제1항에서,상기 상변화 메모리 소자는 3 내지 8단계의 다단계 저항을 갖는 상변화 메모리 소자
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제1항에서,상기 기판은 실리콘, 유리섬유, 폴리이미드 공중합체, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 플루오르폴리머(FEP), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 이들의 조합인 상변화 메모리 소자
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기판 위에 접촉층을 형성하는 단계,상기 접촉층 위에 하부전극을 형성하는 단계,상기 하부전극 위에 확산 방지막을 형성하는 단계,상기 확산 방지막 위에 상변화 물질을 형성하는 단계, 상기 상변화 물질 위에 확산 방지막을 형성하는 단계, 그리고상기 확산 방지막 위에 상부전극을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 접촉층 및 상기 확산 방지막은 텅스텐 질화물(WN)을 포함하고, 상기 상부전극 또는 상기 하부전극과 구분되는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제7항에서,상기 텅스텐 질화물(WN)은 암모니아(NH3)를 이용한 방법에 의해 형성되는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제7항에서,상기 확산 방지막의 두께는 10 - 50 nm인 상변화 메모리 소자의 제조방법
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