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레이저 간섭 리소그래피를 이용한 상변화 메모리 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122194
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상변화 메모리 제조방법은 기판 상에 절연층, 제1 전극층, 상변화 물질층 및 전사 재료층을 차례로 증착하는 단계; 레이저 간섭 리소그래피 공정을 이용하여 전사 재료층에 어레이 패턴을 형성하는 단계; 어레이 패턴이 형성된 전사 재료층 상에 금속층을 형성하는 단계; 전사 재료층을 제거하여 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 제2 전극층을 마스크로 이용하여 상변화 물질층을 식각하여 상변화층을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 상변화 메모리의 제조 공정을 고속화 및 간편화 할 수 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120021214 (2012.02.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0099589 (2013.09.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영환 대한민국 서울 노원구
2 김용태 대한민국 경기 성남시 분당구
3 최진일 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0169585-56
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0131926-80
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0358646-66
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0358647-12
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0554390-62
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0740810-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 절연층, 제1 전극층, 상변화 물질층 및 전사 재료층을 차례로 증착하는 단계;레이저 간섭 리소그래피 공정을 이용하여 상기 전사 재료층에 어레이 패턴을 형성하는 단계;상기 어레이 패턴이 형성된 전사 재료층 상에 금속층을 형성하는 단계;상기 전사 재료층을 제거하여 제2 전극층을 형성하는 단계; 및상기 제2 전극층을 마스크로 이용하여 상기 상변화 물질층을 식각하여 상변화층을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전사 재료층에 형성된 어레이 패턴은 기둥(pillar) 형태의 홀(hole)이 매트릭스(matrix) 형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전사 재료층에 형성된 어레이 패턴은 컬럼(column) 형태의 홈(groove)이 스트라이프(stripe) 형상으로 배열된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 레이저 간섭 리소그래피 공정에서 노광 에너지를 제어하여 상기 어레이 패턴의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제2 전극층을 마스크로 이용하여 상기 상변화 물질층을 식각하여 상변화층을 형성하는 단계는,상기 제1 전극층을 함께 식각하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 전극층은 질화티타늄(TiN)을 포함하며, 상기 상변화 물질층은 GeaSbbTec(여기서 a, b, c는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0003c#a, b, c003c#1)을 포함하며, 상기 제2 전극층은 크롬(Cr)을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08652876 US 미국 FAMILY
2 US20130224908 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013224908 US 미국 DOCDBFAMILY
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