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양 기판 사이에 하기 층들이 순차적으로 형성된 다이오드로서,Zn이 도핑된 도체층,상기 Zn이 도핑된 도체층과 접하여 형성된 절연체층, 및상기 절연체층과 접하여 형성된 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층,을 포함하는 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 플라스틱 기판, Si 기판 및 탄소로 구성된 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 Zn이 도핑된 도체층과 절연체층 사이에 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층 또는 반도체층이 1층 또는 반복하여 다층으로 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 절연체층과 상기 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층 사이에 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층 또는 반도체층이 1층 또는 반복하여 다층으로 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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5
제 1 항에 있어서,상기 Zn이 도핑된 도체층은 Li, Be, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Se, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Hf, Ta, W, RE, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi 및 전도성 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상이 포함된 화합물에 Zn이 도핑된 불투명 도체, ZnxOx, InxZnxOx, InxGaxZnxOx, GaxZnxOx, SnxZnxOx, InxSnxZnxOx 또는 SnxGaxZnxOx 로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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6
제 1 항에 있어서,상기 절연체층은 AlxOx, SixOx, SixNx, HfxOx, YxOx, MgxOx, CaxOx, SrxOx, TaxOx, BaxOx, LaxOx 및 TixOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물, PVP, PMMA, PI, P4VP, PVA 또는 SAIT로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 Zn이 비도핑된 도체층은 Li, Be, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Se, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Hf, Ta, W, RE, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi 및 전도성 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상이 포함된 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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8
제 4 항에 있어서,상기 Zn이 도핑된 반도체층은 ZnO, InxZnxOx, InxGaxZnxOx, GaxZnxOx, SnxZnxOx, InxSnxZnxOx, SnxGaxZnxOx, ZnN, ZnS, ZnF, ZnI, ZnCl, ZnSe 및 ZnTe로 이루어진 군에서 선택된 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 Zn이 비도핑된 반도체층은 Si, B-도핑된 Si, P-도핑된 Si, GaAs, Ge, SiC, AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaN, GaSb, InP, InAs, InSb, CdS, CdSe, CdTe, PbTe, PbS, PbSe, α-섹시티오펜(Sexithiophene), CuPc, a-w-DH6T, 비스(벤조디티오펜), 비스(디티에노티오펜), 디헥실안트라디티오펜, FTTF 펜타센, FTTF, BP2T, 폴리티오펜, 폴리아세틸렌, P3AT, PTV, P3HT, TCNQ, C60, TCNNQ, NTCDA, PTCDA, F16-CuPc, a-w-DFH-6T, NTCDI-C8F, NTCDI-C8F, NTCDI-C8F, NTCDI-C8H 및 PTCDI-C8H로 이루어진 군에서 선택된 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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10
양 기판 사이에 하기의 층들이 순차적으로 형성된 다이오드로서,Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층,상기 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층과 접하여 형성된 Zn이 도핑된 도체층 또는 반도체층,상기 Zn이 도핑된 도체층 또는 반도체층과 접하여 형성된 절연체층, 및상기 절연체층과 접하여 형성된 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층,을 포함하는 다이오드
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11
제 10 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 플라스틱 기판, Si 기판 및 탄소로 구성된 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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12
제 10 항에 있어서,상기 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층과 상기 Zn이 도핑된 도체층 또는 반도체층 사이에 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층 또는 반도체층이 1층 또는 반복하여 다층으로 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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13
제 1 항에 있어서,상기 절연체층과 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층 사이에 Zn이 도핑되거나 비도핑된 도체층 또는 반도체층이 1층 또는 반복하여 다층으로 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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14
제 10 항에 있어서,상기 Zn이 도핑된 도체층은 Li, Be, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Se, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Hf, Ta, W, RE, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi 및 전도성 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상이 포함된 화합물에 Zn이 도핑된 불투명 도체, ZnxOx, InxZnxOx, InxGaxZnxOx, GaxZnxOx, SnxZnxOx, InxSnxZnxOx 또는 SnxGaxZnxOx 로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 10 항에 있어서,상기 절연체층은 AlxOx, SixOx, SixNx, HfxOx, YxOx, MgxOx, CaxOx, SrxOx, TaxOx, BaxOx, LaxOx 및 TixOx로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물, PVP, PMMA, PI, P4VP, PVA 또는 SAIT로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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16
제 10 항에 있어서,상기 Zn이 비도핑된 도체층은 Li, Be, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Se, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, Hf, Ta, W, RE, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Tl, Pb, Bi 및 전도성 폴리머로 이루어진 군에서 선택된 1 종 또는 2종 이상이 포함된 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 10 항에 있어서,상기 Zn이 도핑된 반도체층은 ZnO, InxZnxOx, InxGaxZnxOx, GaxZnxOx, SnxZnxOx, InxSnxZnxOx, SnxGaxZnxOx, ZnN, ZnS, ZnF, ZnI, ZnCl, ZnSe 및 ZnTe로 이루어진 군에서 선택된 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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제 10 항에 있어서,상기 Zn이 비도핑된 반도체층은 Si, B-도핑된 Si, P-도핑된 Si, GaAs, Ge, SiC, AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaN, GaSb, InP, InAs, InSb, CdS, CdSe, CdTe, PbTe, PbS, PbSe, α-섹시티오펜(Sexithiophene), CuPc, a-w-DH6T, 비스(벤조디티오펜), 비스(디티에노티오펜), 디헥실안트라디티오펜, FTTF 펜타센, FTTF, BP2T, 폴리티오펜, 폴리아세틸렌, P3AT, PTV, P3HT, TCNQ, C60, TCNNQ, NTCDA, PTCDA, F16-CuPc, a-w-DFH-6T, NTCDI-C8F, NTCDI-C8F, NTCDI-C8F, NTCDI-C8H 및 PTCDI-C8H로 이루어진 군에서 선택된 화합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 다이오드
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