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불순물 주입을 이용한 고출력 고 전자 이동도 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015161623
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 불순물 주입을 이용한 고출력의 고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 제조방법에 관해 개시되어 있다. 일 실시예에 의한 개시된 HEMT의 제조방법은 기판 상에 제1 물질층을 형성하고, 상기 제1 물질층의 전기적 저항을 높인 다음, 이러한 제1 물질층 상에 제1 물질층보다 밴드 갭이 큰, 이격된 소스 패턴과 드레인 패턴을 형성하는 과정을 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01) H01L 29/4236(2013.01)
출원번호/일자 1020100097417 (2010.10.06)
출원인 삼성전자주식회사, 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1680767-0000 (2016.11.23)
공개번호/일자 10-2012-0035720 (2012.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20161130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최혁순 대한민국 경기도 화성
2 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
3 신재광 대한민국 경기도 안양시 동안구
4 오재준 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 하종봉 대한민국 대구광역시 동구
6 김종섭 대한민국 경기도 화성시
7 황인준 대한민국 경기도 화성시
8 홍기하 대한민국 충청남도 천안시 서북구
9 임기식 대한민국 대구광역시 북구
10 김기원 대한민국 대구광역시 수성구
11 김동석 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0646116-09
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0089388-27
3 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2010.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-5033860-77
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0249098-91
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0157289-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0406110-81
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0406113-17
9 등록결정서
Decision to grant
2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0680820-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 제1 물질층을 형성하는 단계;상기 제1 물질층의 전기적 저항을 높이는 단계;상기 전기적 저항이 높아진 제1 물질층 상에 이격된 소스 패턴과 드레인 패턴을 형성하는 단계;상기 소스 패턴과 상기 드레인 패턴 사이의 상기 제1 물질층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연층, 상기 소스 패턴 및 상기 드레인 패턴 상에 각각 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소스 패턴과 상기 드레인 패턴은 상기 제1 물질층보다 밴드갭이 큰 물질로 형성하며, 상기 소스 패턴과 상기 드레인 패턴을 형성하는 단계는:상기 전기적 저항이 높아진 제1 물질층 상에 상기 소스 패턴 및 상기 드레인 패턴이 형성될 영역을 한정하고, 상기 게이트 전극이 형성될 영역을 덮는 성장 저지층을 형성하는 단계;상기 전기적 저항이 높아진 제1 물질층의 상기 한정된 영역에 상기 소스 패턴 및 상기 드레인 패턴을 형성하는 단계; 및상기 성장 저지층을 제거하는 단계를 포함하는 HEMT의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 물질층의 전기적 저항을 높이는 단계는,상기 제1 물질층에 불순물을 주입하는 단계를 포함하는 HEMT의 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 소스 패턴 및 상기 드레인 패턴이 형성될 영역을 한정하는 성장 저지층의 두께와 상기 게이트 전극이 형성될 영역을 덮는 성장 저지층의 두께는 다른 HEMT의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 성장 저지층을 제거한 다음,상기 제1 물질층의 상기 소스 패턴 및 상기 드레인 패턴이 형성될 영역을 한정한 성장 저지층이 제거된 영역에 불순물을 주입하는 단계를 더 포함하는 HEMT의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09299800 US 미국 FAMILY
2 US20120088341 US 미국 FAMILY
3 US20150221746 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012088341 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2015221746 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9299800 US 미국 DOCDBFAMILY
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