맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

능동소자가 내장된 유기기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014011531
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 칩과 같은 능동 소자의 유기 기판 내로의 내장하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 유기기판 내에 반도체 칩(능동소자)을 내장시키기 위해, 동공에 기인한 요철이 존재하는 기판 상부로 전도성 접착제를 도포/가접착하고 이형지를 떼어 내는 공정이 아닌, 웨이퍼 상태에서 미리 전도성 접착제를 도포하고 반 경화 시킨 후 다이싱을 통해 개별 반도체 칩을 제작하고, 전도성 접착제가 이미 도포되어 있는 개별 반도체 칩을 상기 동공에 위치시켜 열과 압력을 가하는 방법으로 기판과 반도체 칩 사이의 전기적 접속과 물리적 접착을 동시에 얻으며, 상기 반도체 칩이 접속된 기판 상부로 동박적층판을 적층시키는 특징을 갖는다. 따라서, 본 발명의 능동소자가 내장된 유기기판 제조방법은 단순히 열과 압력을 가함으로써 기판 내부에 반도체 칩(능동 소자)를 실장시킬 수 있으며, 본 발명의 제조방법을 반복 실행하여, 다수개의 반도체 칩이 여러층으로 적층된 동박적층판 내부에 각각 실장될 수 있는 장점이 있다. 또한 비솔더 범프와 전도성 접착제를 사용하여 플립칩 접속으로 능동소자를 실장하므로, 무연(Lead-free) 공정, 환경친화적인 무플럭스(Fluxless)공정, 저온 공정, 극미세피치가 가능한 공정상의 장점을 가지고 있다. 인쇄회로기판, 능동소자, 전도성 접착제, 플립칩, 유기기판
Int. CL H01L 23/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070078457 (2007.08.06)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0888195-0000 (2009.03.04)
공개번호/일자 10-2009-0014478 (2009.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20090312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.06)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백경욱 대한민국 대전 유성구
2 손호영 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0569181-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2008-0038874-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0444118-06
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0741027-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0741029-27
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2009.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0008901-69
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0023830-76
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0023845-50
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0086357-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 구리 배선 또는 구리 배선 및 비아(via)가 형성된 제 1 동박적층판(copper clad laminate) 상부에 동 배선, 비아 및 동공(cavity)이 형성된 제 2 동박적층판을 적층시키는 단계;(b1) 200 ㎛이하의 두께로 경박화시킨 웨이퍼 상의 각 칩의 I/O 위에 금 본딩 와이어 또는 니켈 및 금도금 방법을 이용하여 비솔더 범프를 형성시키는 단계;(b2) 상기 비솔더 범프가 형성된 웨이퍼 상부에 이방성 전도성 접착제 또는 비전도성 접착제를 반경화(B-stage) 상태로 도포하는 단계; (b3) 상기 이방성 전도성 접착제 또는 비전도성 접착제가 도포된 웨이퍼를 개별 반도체칩으로 다이싱 하는 단계;(b4) 상기 반도체칩을 상기 제 2 동박적층판의 동공 내부에 위치시키고 열과 압력을 가하여 제 1 동박적층판의 동 배선과 플립칩(flip chip) 접속을 시키는 단계; 및(c) 상기 반도체 칩이 접속된 제 2 동박적층판 상부로 구리 배선 또는 구리 배선 및 비아가 형성된 제 3 동박적층판을 적층하는 단계;를 포함하여 제작되는 것을 특징으로 하는 능동소자가 내장된 유기기판 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 (b4) 단계 이후, 상기 반도체 칩이 접속된 동박적층판에 형성된 동공과 상이한 위치에 동공이 형성되고 구리 배선 및 비아(via)가 형성된 동박적층판을 적층하여 상기 (b4) 단계와 동일한 방법을 반복하는 것을 특징으로 하는 능동소자가 내장된 유기기판 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 이방성 전도성 접착제 또는 비전도성 접착제는 필름형태 또는 페이스트 형태인 것을 특징으로 하는 능동소자가 내장된 유기기판 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 (b4) 단계의 플립칩 접속은 150~200℃의 온도의 열과 20~100 psi의 압력을 10~20초 동안 가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 능동소자가 내장된 유기기판 제조방법
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP21044113 JP 일본 FAMILY
2 US20090042336 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE102008017569 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE102008017569 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2009044113 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2009042336 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.