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임베디드 토로이드 및 그 제조방법과 적층 집적회로소자

  • 기술번호 : KST2015115749
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적층 집적회로소자의 토로이드를 개시한다. 토로이드는 2층 내지 4층의 칩들을 관통하고, 관통비아의 둘레에 근접해서 배열된 n개의 근접관통비아(NTSV)들과, 2층 내지 4층의 칩들을 관통하고, 관통비아의 둘레에 원접해서 배열된 n개의 원접관통비아(FTSV)들을 포함한다. 또한 4층의 칩 표면상에 형성되고, n개의 근접 및 원접관통비아들 중 서로 대응하는 n개의 근접 및 원접관통비아 쌍(NFPA)들 각각을 상호 전기적으로 연결하기 위한 n개의 제1표면 배선패턴들과, 2층의 칩 표면상에 형성되고, n개의 근접 및 원접관통비아 쌍(NFPA)들 중 서로 인접하는 쌍들(NFPA i-1)(NFPA i)(NFPA i+1) 중 어느 한 쌍(NFPA i)의 근접관통비아와 다른 한 쌍(NFPA i-1)의 원접관통비아를 상호 전기적으로 연결하고, 어느 한 쌍(NFPA i)의 원접관통비아와 또 다른 한 쌍(NFPA i+1)의 근접관통비아를 상호 전기적으로 연결하기 위한 n-1 개의 제2표면 배선패턴들을 포함한다. 따라서 본 발명의 토로이드는 관통비아 둘레에 작은 크기로 간단하게 구현할 수 있으므로 적층 집적회로소자에서 관통비아를 통해 흐르는 전류측정을 정확하게 할 수 있다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120006104 (2012.01.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1339961-0000 (2013.12.04)
공개번호/일자 10-2013-0085158 (2013.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20131210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.19)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정호 대한민국 대전 유성구
2 조창현 대한민국 대전 유성구
3 김종훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0050585-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037460-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0367674-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0678623-33
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0775706-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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제1표면과 제2표면을 가진 실리콘 인터포저;상기 실리콘 인터포저의 제1표면 상에 적층된 복수의 칩들;상기 복수의 칩들을 관통한 적어도 하나 이상의 관통비아들; 상기 적어도 하나 이상의 관통비아를 중심축으로 하여 그 둘레에 배치되어 상기 관통비아에 흐르는 전류를 측정하기 위한 토로이드; 및상기 토로이드의 일측과 전기적으로 연결된 테스트 단자를 구비한 것을 특징으로 하는 적층 집적회로소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 (재)스마트 IT융합 시스템 글로벌프론티어사업(스마트 IT 융합 시스템 연구) 실리콘기반 3차원 IC 플랫폼