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원자 힘 현미경과 텅스텐 히터 팁을 이용한 상변화메모리의 피로 측정 시스템 및 그 제어 방법

  • 기술번호 : KST2014011557
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상변화 메모리(Phase-change Random Access Memory, PRAM)의 on/off(set/reset) 반복 동작에 의한 칼코게나이드(chalcogenide)계 PRAM 물질의 피로측정과 원인을 자동 규명하고 제어하는 상변화 메모리의 피로(fatigue) 측정 시스템, 그 제어방법 및 제어 프로그램이 기록된 기록매체에 관한 것으로서, 반복 펄스를 발생하는 펄스 발생기(pulse generator)와, 자체 제작된 텅스텐 히터 팁을 구비하고, 상기 펄스를 입력받아 PRAM의 칼코게나이드계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금셀(GST cell)에 상변화를 일으키는 원자 힘 현미경(AFM)과, 상기 Ge2Sb2Te5(GST) 셀에서의 상변화에 따른 파라미터를 측정하는 매개변수 분석기(parameter analyzer)를 포함한다. 본 발명에 따르면, 상변화 메모리의 피로측정을 자동화할 수 있고, 셋/리셋 사이클에 따른 전기적, 기계적, 구조적 분석이 가능하여 피로원인의 규명과 피로영역의 2차적 분석을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.상변화 메모리, 칼코게나이드, 피로, Ge2Sb2Te5(GST), 원자 힘 현미경, 텅스텐 히터 팁
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01)
출원번호/일자 1020070027335 (2007.03.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0888469-0000 (2009.03.05)
공개번호/일자 10-2008-0085597 (2008.09.24) 문서열기
공고번호/일자 (20090312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.20)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최시경 대한민국 대전 유성구
2 김현정 대한민국 경기 포천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0221989-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006534-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0110619-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0177361-41
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0177362-97
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0401416-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0671195-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0671194-77
10 등록결정서
Decision to grant
2009.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0089930-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
셋(set)/리셋(reset) 반복 펄스를 발생하는 펄스 발생기(pulse generator);상기 펄스를 입력받아 상변화를 일으키는 물질이 포함된 셀을 구비하고, 히터 팁이 상용 캔틸레버에 접합되어 상기 히터 팁 말단부가 상기 상변화 물질에 접촉되는 원자 힘 현미경(AFM); 상기 셀에서의 상변화에 따른 파라미터를 측정하는 매개변수 분석기(parameter analyzer); 및상기 펄스 발생기, 원자 힘 현미경, 매개변수 분석기를 제어하는 제어장치를 포함하고, 상기 펄스 발생기, 원자 힘 현미경 및 매개변수 분석기 상호간은 범용 인터페이스 버스(GPIB) 보드에 의해 연동되는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제어장치로부터 제어되는 펄스 발생기의 해당 변수는 셋/리셋 인가 전압, 셋/리셋 펄스폭, 펄스간 간격, 및 펄스 반복 횟수로 구성된 그룹 중 선택되는 어느 하나 이상의 변수인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
4 4
제 2항에 있어서, 상기 상변화를 일으키는 물질은 상변화 메모리(PRAM)의 칼코게나이드(chalcogenide)계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금(GST)인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
5 5
제 4항에 있어서, 상기 게르마늄-안티몬-텔룰라이드 금속합금(GST)은 Ge2Sb2Te5 인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
6 6
삭제
7 7
제 2항에 있어서, 상기 히터 팁은 텅스텐(W) 와이어를 이용한 텅스텐 히터 팁 또는 다이아몬드(C) 단결정 히터 팁인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
8 8
제 2항에 있어서, 상기 히터 팁 말단부는 원뿔 또는 다각뿔 형상을 역으로 가공하여 그 꼭지점이 상변화 물질에 접촉되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
9 9
제 2항에 있어서, 상기 히터 팁과 상용 캔틸레버의 접합은 집속이온빔(FIB) 내에서 백금 가스를 흘려주며 이온빔을 주사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
10 10
제 2항에 있어서, 상기 제어장치로부터 제어되는 매개변수 분석기의 해당 변수는 셋/리셋 저항의 기준값, 상기 기준값에 대한 허용오차, 셋/리셋 저항의 평균값, 셋/리셋 저항의 표준 편차, 셋/리셋 저항의 최대값 및 최소값으로 구성된 그룹 중 선택되는 어느 하나 이상의 변수인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템
11 11
펄스 발생기(pulse generator)에서 제어부에 의해 설정된 셋(set)/리셋(reset) 반복 펄스의 인가 전압 및 펄스폭에 따른 펄스가 발생되는 단계;상용 캔틸레버에 접합되어 그 말단부가 상변화 물질과 접촉되는 원자 힘 현미경의 히터 팁에서 상기 펄스에 의한 열이 발생되어 상기 상변화 물질의 상을 변화시키는 단계;매개변수 분석기(parameter analyzer)에서 상기 상변화된 물질의 해당 전압, 전류 및 상기 전류-전압 곡선에 의해 계산된 저항값이 분석되는 단계; 및 상기 제어부에서 설정된 측정 시간 또는 측정 사이클 횟수만큼 상기 세 단계들을 반복하는 단계를 포함하는 상변화 메모리의 피로 측정방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 원자 힘 현미경의 히터 팁은, 텅스텐(W) 와이어를 이용한 텅스텐 히터 팁 또는 다이아몬드(C) 단결정 히터 팁인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정방법
13 13
제 11항에 있어서, 상기 상변화 물질은 상변화 메모리(PRAM)의 칼코게나이드(chalcogenide)계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금(GST)인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정방법
14 14
제 11항에 있어서, 셋/리셋 반복 펄스에 따라 발생된 열에 의해 상변화된 물질로부터 분석된 상기 저항값이 미리 설정된 셋/리셋 저항의 기준값에 대한 허용오차 범위를 벗어나는 경우 상변화된 위치 정보를 저장하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정방법
15 15
(a) 펄스 발생기 및 매개변수 분석기의 입력값의 유효성을 확인하고 초기화하는 단계;(b) 상기 펄스 발생기로 셋/리셋 반복 펄스의 인가전압 및 펄스폭이 입력되는 단계;(c) 상기 펄스 발생기에서 발생된 펄스에 의해 상변화된 메모리의 상태가 비정질일때 셋 라이팅 프로세스(set writing process)를 수행하고, 결정질일때 리셋 라이팅프로세스(reset writing process)를 수행하는 단계;(d) 상기 셋 라이팅 프로세스 및 리셋 라이팅 프로세스 단계로부터 상변화된 셀의 전압에 따른 전류값을 측정하는 셋/리셋 리딩 단계; 및 (e) 미리 설정된 측정 시간 또는 측정 사이클 횟수 동안 상기 (b) 내지 (d)단계를 반복하는 단계를 포함하는 제어 프로그램에 의한 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 셋 또는 리셋 리딩 프로세스는 매개변수 분석기로 셋 또는 리셋 신호의 시작 인가전압에서 중지 인가전압까지 순차적으로 인가하고, 매개변수 분석기에 입력된 전압값과 전류값으로 전류-전압 곡선에 표시하여 저항값을 계산하는 단계; 및상기 계산된 저항값을 평균하여 셋 또는 리셋 저항을 그래프에 디스플레이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제어 프로그램에 의한 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어방법
17 17
(a) 펄스 발생기 및 매개변수 분석기의 입력값의 유효성이 확인되고 초기화되는 단계;(b) 상기 펄스 발생기로 셋/리셋 반복 펄스의 인가전압 및 펄스폭이 입력되는 단계;(c) 상기 펄스 발생기에서 발생된 펄스에 의해 상변화된 메모리의 상태가 비정질일때 해당 전압에 따른 입력값이 매개변수 분석기로 입력되는 단계;(d) 상기 펄스 발생기에서 발생된 펄스에 의해 상변화된 메모리의 상태가 결정질일때 해당 전압에 따른 입력값이 매개변수 분석기로 입력되는 단계;(e) 상기 (c) 또는 (d)단계로부터 매개변수 분석기로 입력된 전압값과 전류값이 전류-전압 곡선에 표시되고, 그로부터 각 저항값 및 저항값의 평균값이 계산되어 그래프로 디스플레이되는 단계; 및(f) 미리 설정된 측정시간 또는 측정 사이클 횟수 동안 상기 (b) 내지 (e)단계를 반복하는 단계를 포함하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어 프로그램이 기록된 기록매체
18 18
제 17항에 있어서, 상기 저항값이 미리 설정된 셋/리셋 저항의 기준값에 대한 허용오차 범위를 벗어나는 경우 상변화된 위치 정보를 저장하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어 프로그램이 기록된 기록매체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.