요약 | 본 발명은 상변화 메모리(Phase-change Random Access Memory, PRAM)의 on/off(set/reset) 반복 동작에 의한 칼코게나이드(chalcogenide)계 PRAM 물질의 피로측정과 원인을 자동 규명하고 제어하는 상변화 메모리의 피로(fatigue) 측정 시스템, 그 제어방법 및 제어 프로그램이 기록된 기록매체에 관한 것으로서, 반복 펄스를 발생하는 펄스 발생기(pulse generator)와, 자체 제작된 텅스텐 히터 팁을 구비하고, 상기 펄스를 입력받아 PRAM의 칼코게나이드계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금셀(GST cell)에 상변화를 일으키는 원자 힘 현미경(AFM)과, 상기 Ge2Sb2Te5(GST) 셀에서의 상변화에 따른 파라미터를 측정하는 매개변수 분석기(parameter analyzer)를 포함한다. 본 발명에 따르면, 상변화 메모리의 피로측정을 자동화할 수 있고, 셋/리셋 사이클에 따른 전기적, 기계적, 구조적 분석이 가능하여 피로원인의 규명과 피로영역의 2차적 분석을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.상변화 메모리, 칼코게나이드, 피로, Ge2Sb2Te5(GST), 원자 힘 현미경, 텅스텐 히터 팁 |
---|---|
Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01) |
CPC | H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01) H01L 22/34(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020070027335 (2007.03.20) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-0888469-0000 (2009.03.05) |
공개번호/일자 | 10-2008-0085597 (2008.09.24) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20090312) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2007.03.20) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최시경 | 대한민국 | 대전 유성구 |
2 | 김현정 | 대한민국 | 경기 포천시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.03.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0221989-35 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0006534-31 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.02.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0110619-79 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.03.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0177361-41 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0177362-97 |
7 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2008.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0401416-55 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.09.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0671195-12 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.09.24 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2008-0671194-77 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0089930-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 삭제 |
2 |
2 셋(set)/리셋(reset) 반복 펄스를 발생하는 펄스 발생기(pulse generator);상기 펄스를 입력받아 상변화를 일으키는 물질이 포함된 셀을 구비하고, 히터 팁이 상용 캔틸레버에 접합되어 상기 히터 팁 말단부가 상기 상변화 물질에 접촉되는 원자 힘 현미경(AFM); 상기 셀에서의 상변화에 따른 파라미터를 측정하는 매개변수 분석기(parameter analyzer); 및상기 펄스 발생기, 원자 힘 현미경, 매개변수 분석기를 제어하는 제어장치를 포함하고, 상기 펄스 발생기, 원자 힘 현미경 및 매개변수 분석기 상호간은 범용 인터페이스 버스(GPIB) 보드에 의해 연동되는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
3 |
3 제 2항에 있어서, 상기 제어장치로부터 제어되는 펄스 발생기의 해당 변수는 셋/리셋 인가 전압, 셋/리셋 펄스폭, 펄스간 간격, 및 펄스 반복 횟수로 구성된 그룹 중 선택되는 어느 하나 이상의 변수인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
4 |
4 제 2항에 있어서, 상기 상변화를 일으키는 물질은 상변화 메모리(PRAM)의 칼코게나이드(chalcogenide)계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금(GST)인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
5 |
5 제 4항에 있어서, 상기 게르마늄-안티몬-텔룰라이드 금속합금(GST)은 Ge2Sb2Te5 인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
6 |
6 삭제 |
7 |
7 제 2항에 있어서, 상기 히터 팁은 텅스텐(W) 와이어를 이용한 텅스텐 히터 팁 또는 다이아몬드(C) 단결정 히터 팁인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
8 |
8 제 2항에 있어서, 상기 히터 팁 말단부는 원뿔 또는 다각뿔 형상을 역으로 가공하여 그 꼭지점이 상변화 물질에 접촉되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
9 |
9 제 2항에 있어서, 상기 히터 팁과 상용 캔틸레버의 접합은 집속이온빔(FIB) 내에서 백금 가스를 흘려주며 이온빔을 주사하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
10 |
10 제 2항에 있어서, 상기 제어장치로부터 제어되는 매개변수 분석기의 해당 변수는 셋/리셋 저항의 기준값, 상기 기준값에 대한 허용오차, 셋/리셋 저항의 평균값, 셋/리셋 저항의 표준 편차, 셋/리셋 저항의 최대값 및 최소값으로 구성된 그룹 중 선택되는 어느 하나 이상의 변수인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템 |
11 |
11 펄스 발생기(pulse generator)에서 제어부에 의해 설정된 셋(set)/리셋(reset) 반복 펄스의 인가 전압 및 펄스폭에 따른 펄스가 발생되는 단계;상용 캔틸레버에 접합되어 그 말단부가 상변화 물질과 접촉되는 원자 힘 현미경의 히터 팁에서 상기 펄스에 의한 열이 발생되어 상기 상변화 물질의 상을 변화시키는 단계;매개변수 분석기(parameter analyzer)에서 상기 상변화된 물질의 해당 전압, 전류 및 상기 전류-전압 곡선에 의해 계산된 저항값이 분석되는 단계; 및 상기 제어부에서 설정된 측정 시간 또는 측정 사이클 횟수만큼 상기 세 단계들을 반복하는 단계를 포함하는 상변화 메모리의 피로 측정방법 |
12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 원자 힘 현미경의 히터 팁은, 텅스텐(W) 와이어를 이용한 텅스텐 히터 팁 또는 다이아몬드(C) 단결정 히터 팁인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정방법 |
13 |
13 제 11항에 있어서, 상기 상변화 물질은 상변화 메모리(PRAM)의 칼코게나이드(chalcogenide)계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금(GST)인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정방법 |
14 |
14 제 11항에 있어서, 셋/리셋 반복 펄스에 따라 발생된 열에 의해 상변화된 물질로부터 분석된 상기 저항값이 미리 설정된 셋/리셋 저항의 기준값에 대한 허용오차 범위를 벗어나는 경우 상변화된 위치 정보를 저장하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정방법 |
15 |
15 (a) 펄스 발생기 및 매개변수 분석기의 입력값의 유효성을 확인하고 초기화하는 단계;(b) 상기 펄스 발생기로 셋/리셋 반복 펄스의 인가전압 및 펄스폭이 입력되는 단계;(c) 상기 펄스 발생기에서 발생된 펄스에 의해 상변화된 메모리의 상태가 비정질일때 셋 라이팅 프로세스(set writing process)를 수행하고, 결정질일때 리셋 라이팅프로세스(reset writing process)를 수행하는 단계;(d) 상기 셋 라이팅 프로세스 및 리셋 라이팅 프로세스 단계로부터 상변화된 셀의 전압에 따른 전류값을 측정하는 셋/리셋 리딩 단계; 및 (e) 미리 설정된 측정 시간 또는 측정 사이클 횟수 동안 상기 (b) 내지 (d)단계를 반복하는 단계를 포함하는 제어 프로그램에 의한 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어방법 |
16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 셋 또는 리셋 리딩 프로세스는 매개변수 분석기로 셋 또는 리셋 신호의 시작 인가전압에서 중지 인가전압까지 순차적으로 인가하고, 매개변수 분석기에 입력된 전압값과 전류값으로 전류-전압 곡선에 표시하여 저항값을 계산하는 단계; 및상기 계산된 저항값을 평균하여 셋 또는 리셋 저항을 그래프에 디스플레이하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제어 프로그램에 의한 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어방법 |
17 |
17 (a) 펄스 발생기 및 매개변수 분석기의 입력값의 유효성이 확인되고 초기화되는 단계;(b) 상기 펄스 발생기로 셋/리셋 반복 펄스의 인가전압 및 펄스폭이 입력되는 단계;(c) 상기 펄스 발생기에서 발생된 펄스에 의해 상변화된 메모리의 상태가 비정질일때 해당 전압에 따른 입력값이 매개변수 분석기로 입력되는 단계;(d) 상기 펄스 발생기에서 발생된 펄스에 의해 상변화된 메모리의 상태가 결정질일때 해당 전압에 따른 입력값이 매개변수 분석기로 입력되는 단계;(e) 상기 (c) 또는 (d)단계로부터 매개변수 분석기로 입력된 전압값과 전류값이 전류-전압 곡선에 표시되고, 그로부터 각 저항값 및 저항값의 평균값이 계산되어 그래프로 디스플레이되는 단계; 및(f) 미리 설정된 측정시간 또는 측정 사이클 횟수 동안 상기 (b) 내지 (e)단계를 반복하는 단계를 포함하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어 프로그램이 기록된 기록매체 |
18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 저항값이 미리 설정된 셋/리셋 저항의 기준값에 대한 허용오차 범위를 벗어나는 경우 상변화된 위치 정보를 저장하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리의 피로 측정 시스템의 제어 프로그램이 기록된 기록매체 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0888469-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20070320 출원 번호 : 1020070027335 공고 연월일 : 20090312 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090226 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 21/66 발명의 명칭 : 원자 힘 현미경과 텅스텐 히터 팁을 이용한 상변화메모리의 피로 측정 시스템 및 그 제어방법 존속기간(예정)만료일 : 20140306 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2009년 03월 06일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 470,400 원 | 2012년 03월 15일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2013년 03월 04일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | 특허출원서 | 2007.03.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0221989-35 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.01.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2008.02.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2008-0006534-31 |
4 | 의견제출통지서 | 2008.02.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0110619-79 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.03.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0177361-41 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0177362-97 |
7 | 최후의견제출통지서 | 2008.07.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0401416-55 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.09.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0671195-12 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.09.24 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2008-0671194-77 |
10 | 등록결정서 | 2009.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0089930-15 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술번호 | KST2014011557 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국과학기술원 |
기술명 | 원자 힘 현미경과 텅스텐 히터 팁을 이용한 상변화메모리의 피로 측정 시스템 및 그 제어 방법 |
기술개요 |
본 발명은 상변화 메모리(Phase-change Random Access Memory, PRAM)의 on/off(set/reset) 반복 동작에 의한 칼코게나이드(chalcogenide)계 PRAM 물질의 피로측정과 원인을 자동 규명하고 제어하는 상변화 메모리의 피로(fatigue) 측정 시스템, 그 제어방법 및 제어 프로그램이 기록된 기록매체에 관한 것으로서, 반복 펄스를 발생하는 펄스 발생기(pulse generator)와, 자체 제작된 텅스텐 히터 팁을 구비하고, 상기 펄스를 입력받아 PRAM의 칼코게나이드계 게르마늄(Ge)-안티몬(Sb)-텔룰라이드(Te) 금속합금셀(GST cell)에 상변화를 일으키는 원자 힘 현미경(AFM)과, 상기 Ge2Sb2Te5(GST) 셀에서의 상변화에 따른 파라미터를 측정하는 매개변수 분석기(parameter analyzer)를 포함한다. 본 발명에 따르면, 상변화 메모리의 피로측정을 자동화할 수 있고, 셋/리셋 사이클에 따른 전기적, 기계적, 구조적 분석이 가능하여 피로원인의 규명과 피로영역의 2차적 분석을 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.상변화 메모리, 칼코게나이드, 피로, Ge2Sb2Te5(GST), 원자 힘 현미경, 텅스텐 히터 팁 |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 상변화 메모리의 피로측정을 자동화, 피로원인규명 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345095791 |
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세부과제번호 | 과C6A2007 |
연구과제명 | 한국과학기술원재료사업단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1350009223 |
---|---|
세부과제번호 | 2004-02412 |
연구과제명 | 저온Self-assembly에의한나노강유전체소자및BT/IT에의융합기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2006 |
연구기간 | 200407~200707 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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[KST2014067199][한국과학기술원] | [비휘발성 메모리 기반 저장장치]3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자 기술 | 새창보기 |
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[KST2019024102][한국과학기술원] | 수직 집적 다층 전면-게이트 나노선 채널 기반의 디램 및 플래쉬 메모리의 선택적 동작이 가능한 융합 메모리 및 그 제작 방법 | 새창보기 |
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