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메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015119316
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 형태는 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 메모리 소자는, 제1 전극부; 상기 제1 전극부 상에 배치된 결정성 고분자 막; 및 상기 결정성 고분자 막 상에 배치된 제2 전극부; 를 포함하고, 상기 결정성 고분자 막은 제1 고분자 층 및 상기 제1 고분자 층 상에 배치된 제2 고분자 층을 포함하고, 상기 제1 고분자 층은 제1 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층은 제2 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층의 표면 거칠기(surface roughness)의 실효 값(RMS, Root Mean Square)은 상기 제1 고분자 층의 표면 거칠기의 실효 값보다 작다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01) H01L 21/28291(2013.01)
출원번호/일자 1020130092464 (2013.08.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1533607-0000 (2015.06.29)
공개번호/일자 10-2015-0017020 (2015.02.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150707) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김우영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0706460-90
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378502-40
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0721663-93
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0721662-47
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0815303-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0089250-26
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0089249-80
11 등록결정서
Decision to grant		 2015.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0313772-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극부;상기 제1 전극부 상에 배치된 결정성 고분자 막; 및상기 결정성 고분자 막 상에 배치된 제2 전극부; 를 포함하고,상기 결정성 고분자 막은 제1 고분자 층 및 상기 제1 고분자 층 상에 배치된 제2 고분자 층을 포함하고,상기 제1 고분자 층은 제1 결정성 고분자이고, 상기 제2 고분자 층은 제2 결정성 고분자이고,상기 제2 고분자 층의 표면 거칠기(surface roughness)의 실효 값(RMS, Root Mean Square)은 상기 제1 고분자 층의 표면 거칠기의 실효 값보다 작은, 메모리 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 제2 전극부는,상기 제2 고분자 층의 일측 상에 배치된 소스 전극,상기 제2 고분자 층의 타측 상에 배치된 드레인 전극,상기 제2 고분자 층 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 배치된 반도체 부를 포함하는, 메모리 소자
3 3
제1 항에 있어서,상기 제2 전극부는,상기 제2 고분자 층 상에 배치된 반도체 부,상기 반도체 부의 일측 상에 배치된 소스 전극 및상기 반도체 부의 타측 상에 배치된 드레인 전극을 포함하는, 메모리 소자
4 4
삭제
5 5
제1 결정성 고분자(crystalline polymer)와 제1 가용성 용매(soluble solvent)를 혼합하여 제1 용액을 형성하고, 제1 전극부 상에 상기 제1 용액을 도포한 후, 상기 제1 가용성 용매를 증발(evaporation)시켜 제1 고분자 층을 형성하는 단계;제2 결정성 고분자와 제2 가용성 용매를 혼합하여 제2 용액을 형성하고, 상기 제2 용액에 불용성 용매(insoluble solvent)를 혼합하고, 상기 제1 고분자 층 상에 상기 불용성 용매가 혼합된 제2 용액을 도포한 후, 상기 제2 가용성 용매와 상기 불용성 용매를 증발시켜 제2 고분자 층을 형성하는 단계;상기 제2 고분자 층 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 제2 고분자 층을 형성하는 단계는,상기 제1 고분자 층의 표면 거칠기의 실효 값보다 작은 표면 거칠기의 실효 값을 갖는 상기 제2 고분자 층을 형성하는 단계인, 메모리 소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제5항에 있어서,상기 제2 전극부를 형성하는 단계는,상기 제2 고분자 층의 일측 상에 소스 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 고분자 층의 타측 상에 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 제2 고분자 층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 반도체 층을 형성하는 단계를 포함하는, 메모리 소자의 제조방법
10 10
제5항에 있어서,상기 제2 전극부를 형성하는 단계는,상기 제2 고분자 층 상에 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 반도체 층의 일측 상에 소스 전극을 형성하는 단계 및 상기 반도체 층의 타측 상에 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.