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그래핀 게이트 전극을 이용한 비휘발성 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015117042
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 일함수 가지며 하부 절연막 열화를 유발하지 않는 새로운 물질인 그래핀(Graphene)을 이용하여 비휘발성 메모리 소자의 메모리 특성을 획기적으로 향상시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 29/7881(2013.01) H01L 29/7881(2013.01) H01L 29/7881(2013.01) H01L 29/7881(2013.01) H01L 29/7881(2013.01) H01L 29/7881(2013.01)
출원번호/일자 1020110042508 (2011.05.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1244768-0000 (2013.03.12)
공개번호/일자 10-2012-0124697 (2012.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130319) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.04)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 대전광역시 유성구
2 박종경 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0333839-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005824-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0655107-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0964508-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0964509-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 등록결정서
Decision to grant
2013.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0132955-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 형성된 소스와 드레인 사이의 채널 영역 위로 순차 적층된,전하의 터널링을 위한 터널절연막, 데이터저장막, 전하차단막,그래핀으로 이루어진 게이트 전극, 및 캡핑(capping)을 위한 메탈 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 그래핀으로 이루어진 상기 게이트 전극에 의해,소거 동작 시 상기 게이트 전극으로부터 상기 데이터저장막으로 주입되는 터널링 전류를 낮추며, 프로그램 동작 시 상기 데이터저장막에 주입된 전하의 상기 게이트 전극으로 방출을 방지하여 데이터 보유 특성을 향상시키기 위한 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 게이트전극은 P-type으로 도핑된 그래핀으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트전극은 1 내지 10nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 메탈 전극은 상기 게이트전극의 영역 전체 위에 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 메탈 전극은 상기 게이트전극의 중앙 부분의 일부 위에 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 메탈 전극은 3 내지 200nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 메탈 전극은 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 플래티늄(Pt), 금(Au), 구리(Cu), 크롬(Cr), 루테늄(Ru), 코발트(Co), 납(Pd), 실리콘(Si), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 전하차단막은 SiO2막, Al2O3막, 또는 이들의 조합으로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
10 10
제1항에 있어서,상기 전하차단막은 6 내지 15nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
11 11
제1항에 있어서,상기 데이터저장막은 깊은 준위 트랩 사이트(deep level trap site)에 전하를 트랩시키기 위한 Si3N4막으로 형성된 전하트랩막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
12 12
제1항에 있어서,상기 데이터저장막은 전도성 밴드(conduction band) 내에 전하를 저장하기 위한 폴리실리콘막으로 형성된 전하저장막인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
13 13
제1항에 있어서,상기 데이터저장막은 1 내지 10nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
14 14
제1항에 있어서,상기 터널절연막은 SiO2막으로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
15 15
제1항에 있어서,상기 터널절연막은 1 내지 10nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
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1 US08638614 US 미국 FAMILY
2 US20120281484 US 미국 FAMILY

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1 US2012281484 US 미국 DOCDBFAMILY
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