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멀티비트 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015116558
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시 형태는 멀티비트 메모리 소자에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 멀티비트 메모리 소자는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1전극; 상기 기판 및 상기 제1전극 상에 배치되고, 이력현상을 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 제1메모리부; 상기 제1메모리부 상에 배치된 반도체부; 상기 반도체부 일측 상에 배치된 소스전극; 상기 반도체부 타측 상에 배치된 드레인전극; 상기 반도체부 상에 배치되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에 위치하고, 상기 이력현상을 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 제2메모리부; 및 상기 제2메모리부 상에 배치되는 제2전극; 을 포함하고, 상기 제1전극에 제1동작전압이 인가되고, 상기 제2전극에 제2동작전압이 인가되지 않으면, 상기 반도체부에는 전류 ID1가 흐르고, 상기 제1전극에 상기 제1동작전압이 인가되지 않고, 상기 제2전극에 상기 제2동작전압이 인가되면, 상기 반도체부에는 전류 ID2가 흐르고, 상기 제1전극에 제1동작전압이 인가되고, 상기 제2전극에 제2동작전압이 인가되면, 상기 반도체부에는 전류 ID3(ID1+ID2)가 흐르고, 상기 전류 ID1은 상기 전류 ID2보다 큰 전류이다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020130071575 (2013.06.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1429160-0000 (2014.08.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이희철 대한민국 대전 유성구
2 김우영 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0555542-37
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0226447-51
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0515927-19
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0515926-74
5 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0526020-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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기판;상기 기판 상에 배치된 제1전극;상기 기판 및 상기 제1전극 상에 배치되고, 이력현상을 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 제1메모리부;상기 제1메모리부 상에 배치된 반도체부;상기 반도체부 일측 상에 배치된 소스전극;상기 반도체부 타측 상에 배치된 드레인전극;상기 반도체부 상에 배치되고, 상기 소스전극 및 상기 드레인전극 사이에 위치하고, 상기 이력현상을 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 제2메모리부; 및상기 제2메모리부 상에 배치되는 제2전극;을 포함하고,상기 제1전극에 제1동작전압이 인가되고, 상기 제2전극에 제2동작전압이 인가되지 않으면, 상기 반도체부에는 전류 ID1가 흐르고,상기 제1전극에 상기 제1동작전압이 인가되지 않고, 상기 제2전극에 상기 제2동작전압이 인가되면, 상기 반도체부에는 전류 ID2가 흐르고,상기 제1전극에 제1동작전압이 인가되고, 상기 제2전극에 제2동작전압이 인가되면, 상기 반도체부에는 전류 ID3(ID1+ID2)가 흐르고,상기 전류 ID1은 상기 전류 ID2보다 큰 전류인, 멀티비트 메모리 소자
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9 9
제7항에 있어서,상기 제1메모리부 및 상기 제2메모리부는 강유전체(ferroelectrics) 또는 일렉트렛(electret) 물질을 포함하는, 멀티비트 메모리 소자
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제7항에 있어서,상기 제1메모리부의 면적과 상기 제2메모리부의 면적은 서로 다른, 멀티비트 메모리 소자
11 11
제7항에 있어서,상기 제1메모리부의 물질과 상기 제2메모리의 물질은 서로 다른, 멀티비트 메모리 소자
12 12
제7항에 있어서,상기 제1메모리부와 상기 제2메모리부는 서로 다른 제조방법으로 제조된, 멀티비트 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
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2 US20140376296 US 미국 FAMILY

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1 US2014376296 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9087609 US 미국 DOCDBFAMILY
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