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혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법으로, 상기 전자소자를 구성하는 소자층 상에 실린더 중심에 점이 형성된 블록공중합체 주형을, 상기 상변화층 상에 형성하는 단계;상기 홀과 점 사이의 영역에 의하여 정의되는, 링 형태의 식각 마스크를 형성하는 단계; 및상기 식각 마스크가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역에서 상기 소자층을 식각하여, 링 형태 전자소자를 제조하는 단계를 포함하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 식각 마스크는, 상기 소자층을 식각하는 단계 후 상기 전자소자의 상부전극이 되는 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체 주형을 형성하는 단계는, 제 1 블록공중합체와 제 2 블록공중합체를 혼합하여 상기 상변화층상에 도포하는 단계; 및상기 혼합된 제 1 블록공중합체와 제 2 블록공중합체에 2종류 이상의 용매로 이루어진 혼합 용매로 용매 어닐링하는 단계; 및 상기 혼합 용매에 의하여 상기 제 1 블록공중합체의 구성 중합체 블록이 팽창하여 홀 패턴이 형성되고, 상기 홀 패턴 내에 상기 제 2 블록공중합체로부터 유도되는 나노점이 상기 홀 패턴의 중심에 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 구성 중합체 블록의 팽창은, 상기 용매의 부피분율, 상기 용매에 대한 상기 제 1 블록공중합체와 제 2 블록공중합체의 용해도 파라미터 제 1 블록공중합체와 제 2 블록공중합체의 분자량, 또는 제 1 블록공중합체와 제 2 블록공중합체의 혼합비율에 의하여 결정되는 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 혼합 용매는 제 1 용매 및 제 2 용매를 포함하며, 상기 제 1 용매에 의한 상기 구성 중합체 블록의 팽창도는, 상기 제 1 용매 및 제 2 용매에 대한 상기 제 1 블록공중합체와 제 2 블록공중합체의 타 중합체 블록 팽창도보다 큰 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 구성 중합체 블록은 폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 제 1 블록공중합체 및 제 2 블록공중합체는, 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리디메틸실록산(polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리디메틸실록산(polyethylene oxide-b-polydimethylsiloxane), 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산(poly(2-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리(4-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산(poly(4-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트-b-폴리디메틸실록산 (polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리프로필렌(polyacrylonitrile-b-polypropylene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리프로필렌(poly(ethylene oxide)-b-polypropylene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리이소부틸렌(polyacrylonitrile-b-polyisobutylene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리이소부틸렌(poly(ethylene oxide)-b-polyisobutylene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리에틸렌 (polyacrylonitrile-b-polyethylene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리에틸렌 (poly(ethylene oxide)-b-polyethylene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리이소프렌 (polyacrylonitrile-b-polyisopyrene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리이소프렌(poly(ethylene oxide)-b-polyisopyrene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리(메트)아크릴레이트(polyacrylonitrile-b-poly(meth)acrylate), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리(메트)아크릴레이트(poly(ethylene oxide)-b-poly(meth)acrylate), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리클로로프렌(polyacrylonitrile-b-polychloroprene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리클로로프렌(poly(ethylene oxide)-b-polychloroprene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리스티렌(polyacrylonitrile-b-polystyrene), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리스티렌(poly(ethylene oxide)-b-polystyrene), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리비닐클로라이드(polyacrylonitrile-b-poly(vinyl chloride)), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리비닐아세테이트(polyacrylonitrile-b-poly(vinyl acetate), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리(2-비닐피리딘)(polyacrylonitrile-b-poly(2-vinylpyridine)), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리(4-비닐피리딘) (polyacrylonitrile-b-poly(4-vinylpyridine)) 및 이들의 조합에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 전자소자는 메모리 소자인 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 전자소자는 상변화 메모리 소자인 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법은, 기판 상에 하부전극-발열층-상변화층을 순차적으로 적층하는 단계;실린더 중심에 점이 형성된 블록공중합체 주형을, 상기 상변화층 상에 형성하는 단계;상기 홀과 점 사이의 영역에 의하여 정의되는 상부전극 링을 제조하는 단계;상기 상부전극 링이 형성된 영역을 제외한 영역에서 상기 하부전극-발열층-상변화층을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 상부전극 링을 제조하는 단계는, 상기 상부 전극을 구성하는 전극물질을 상기 블록공중합체 주형상에 적층하는 단계; 및상기 적층된 전극물질을 에칭하여, 상기 홀과 점 사이의 영역에 도포된 전극물질을 제외한 나머지 전극물질을 모두 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 상변화층은 GST이고, 상기 상부전극은 백금인 것을 특징으로 하는, 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법
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제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 전자소자 제조방법에 의하여 제조된, 링 형태 전자소자
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제 13항에 있어서, 상기 전자소자는 메모리 소자인 것을 특징으로 하는, 링 형태 전자소자
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제 14항에 있어서, 상기 전자소자는 상변화 메모리 소자이며, 상기 상변화 메모리 소자의 상변화층은 상기 상변화층의 녹는 점 이하의 온도에서 비정질화될 수 있는 것을 특징으로 하는, 링 형태 전자소자
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제 10항에 따른 링 형태 전자소자가 복수 개 형성된 상변화 전자 소자 어레이
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