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충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리
- 기술번호 : KST2015118480
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명의 일 실시예에 따른 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자는 기판, 상기 기판에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인, 상기 기판상에 형성되되 상기 소스의 연직 상부와 상기 드레인의 연직 상부 사이에 상기 드레인 측으로 치우쳐 형성되는, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층 및 상기 게이트 절연막층상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 게이트 절연막층은 상기 기판상에 순서대로 적층된 터널 산화막, 트랩 질화막 및 블록 산화막을 포함한다. 충돌 이온화, 플래시 메모리, 멀티 레벨 셀 메모리 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) H01L 29/66833(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090010884 (2009.02.11) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0995535-0000 (2010.11.15) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0091604 (2010.08.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20101122) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.02.11) |
| 심사청구항수 | 6 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 한진우 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 권순규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0083338-19 |
| 2 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0483562-61 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판; 상기 기판에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 기판상에 형성되되 상기 소스의 연직 상부와 상기 드레인의 연직 상부 사이에 상기 드레인 측으로 치우쳐 형성되는, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층; 및 상기 게이트 절연막층상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 소스는 상기 기판의 물질에 p형 또는 n형 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 드레인은 상기 기판의 물질에 상기 n형 또는 p형 불순물 중 상기 소스에 도핑된 불순물과 상이한 형의 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 게이트 절연막층은, 상기 기판상에 순서대로 적층된 터널 산화막, 트랩 질화막 및 블록 산화막을 포함하는, 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자 |
| 2 |
2 기판; 상기 기판에 서로 이격되어 형성된 소스 및 드레인; 상기 기판상에 형성되되 상기 소스의 연직 상부와 상기 드레인의 연직 상부 사이에 상기 드레인 측으로 치우쳐 형성되는, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층; 및 상기 게이트 절연막층상에 형성되는 게이트를 포함하며, 상기 소스는 상기 기판의 물질에 p형 또는 n형 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 드레인은 상기 기판의 물질에 상기 n형 또는 p형 불순물 중 상기 소스에 도핑된 불순물과 상이한 형의 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 게이트 절연막층은, 상기 기판상에 순서대로 적층된 터널 산화막, 금속 또는 금속 양자점 및 제어 산화막을 포함하는, 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자 |
| 3 |
3 기판; 상기 기판에 형성된 드레인; 상기 드레인상에 형성되되, 상기 기판에 수직한 방향으로 연장되어 형성된 실리콘 기둥; 상기 실리콘 기둥상에 형성된 소스; 상기 실리콘 기둥의 하부 측면상에 횡으로 적층된, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층; 및 상기 게이트 절연막층상에 횡으로 적층된 게이트를 포함하며, 상기 소스는 상기 기판의 물질에 p형 또는 n형 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 드레인은 상기 기판의 물질에 상기 n형 또는 p형 불순물 중 상기 소스에 도핑된 불순물과 상이한 형의 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 게이트 절연막층은, 상기 실리콘 기둥의 하부 측면상에 횡으로 순서대로 적층된 터널 산화막, 트랩 질화막 및 블록 산화막을 포함하는, 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자 |
| 4 |
4 기판; 상기 기판에 형성된 드레인; 상기 드레인상에 형성되되, 상기 기판에 수직한 방향으로 연장되어 형성된 실리콘 기둥; 상기 실리콘 기둥상에 형성된 소스; 상기 실리콘 기둥의 하부 측면상에 횡으로 적층된, 전하를 저장할 수 있는 게이트 절연막층; 및 상기 게이트 절연막층상에 횡으로 적층된 게이트를 포함하며, 상기 소스는 상기 기판의 물질에 p형 또는 n형 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 드레인은 상기 기판의 물질에 상기 n형 또는 p형 불순물 중 상기 소스에 도핑된 불순물과 상이한 형의 불순물이 도핑되어 형성된 것이고, 상기 게이트 절연막층은, 상기 실리콘 기둥의 하부 측면상에 횡으로 순서대로 적층된 터널 산화막, 금속 또는 금속 양자점 및 제어 산화막을 포함하는, 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자 |
| 5 |
5 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 실리콘-게르마늄(SiGe) 중 어느 하나로 이루어진, 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자 |
| 6 |
6 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트는 n형 불순물이 도핑된 폴리실리콘, p형 불순물이 도핑된 폴리실리콘 및 금속 중 어느 하나로 이루어진, 충돌 이온화 트랜지스터를 이용한 플래시 메모리 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0995535-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090211 출원 번호 : 1020090010884 공고 연월일 : 20101122 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101026 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리 존속기간(예정)만료일 : 20151116 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2010년 11월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 172,000 원 | 2013년 10월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2014년 10월 29일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0083338-19 |
| 2 | 등록결정서 | 2010.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0483562-61 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345097648 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1611 |
| 연구과제명 | 전자통신기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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