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실리콘 관통 비아 구조를 가진 반도체 장치

  • 기술번호 : KST2015113774
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 웨이퍼에 삽입된 칩 관통 비아; 상기 칩 관통 비아 둘레에 배치되어 상기 반도체 웨이퍼와 상기 칩 관통 비아를 분리하기 위한 절연막; 상기 반도체 웨이퍼의 표면 부분에 상기 칩 관통 비아를 둘러싸도록 배치된 오믹 콘택 영역; 및 상기 칩 관통 비아와 상기 오믹 콘택 영역을 전기적으로 연결하기 위한 연결 배선을 구비하는 반도체 장치가 제공된다. 오믹 콘택은 TSV와 웨이퍼 사이에 적은 저항으로 전류 전도를 제공하는 금속-반도체 접합으로, 오믹 콘택을 이용함으로써, TSV 구조의 용량성 효과를 보상하기 위하여 의도적으로 DC 감쇄를 유발한다. 실리콘 관통 비아, 용량성 효과, 오믹 콘택
Int. CL H01L 23/52 (2006.01) H01L 23/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090099036 (2009.10.19)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0042393 (2011.04.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준호 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김현석 대한민국 경기도 이천시
3 정부호 대한민국 경기도 이천시
4 조선기 대한민국 경기도 이천시
5 김양희 대한민국 경기도 이천시
6 김영원 대한민국 경기도 이천시
7 김정호 대한민국 대전광역시 유성구
8 김주희 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0636568-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0279458-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
반도체 웨이퍼에 삽입된 칩 관통 비아; 상기 칩 관통 비아 둘레에 배치되어 상기 반도체 웨이퍼와 상기 칩 관통 비아를 분리하기 위한 절연막; 상기 반도체 웨이퍼의 표면 부분에 상기 칩 관통 비아를 둘러싸도록 배치된 오믹 콘택 영역; 및 상기 칩 관통 비아와 상기 오믹 콘택 영역을 전기적으로 연결하기 위한 연결 배선 을 구비하는 반도체 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼는 양면 실리콘 인터포저인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 오믹 콘택 영역은 n타입 불순물이 도핑된 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.