요약 | 플렉시블 기판 위에 쇼트키 접촉 전극을 형성하는 단계; 상기 쇼트키 접촉 전극 위에 패터닝용 고분자 용액을 도포하여 고분자 막을 형성하는 단계; 마스크를 통해 상기 고분자 막을 선택적으로 자외선/오존 처리하여 나노리본 형태로 사전 패터닝하는 단계; 상기 사전 패터닝된 상기 고분자 막에 산화아연 전구물질 용액을 도포하여 젖음 상태의 필름을 형성하는 단계; 상기 필름의 잔여 용매와 상기 고분자 막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계; 상기 박막을 가열하여 나노리본 형태의 산화아연 박막을 얻는 단계; 및 상기 산화아연 박막 위에 상기 쇼트키 접촉 전극과 겹치지 않도록 오믹 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 나노발전기의 제조방법이 제공된다. |
---|---|
Int. CL | H02N 2/18 (2006.01.01) H02K 5/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) |
CPC | H02K 5/00(2013.01) H02K 5/00(2013.01) H02K 5/00(2013.01) H02K 5/00(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110071580 (2011.07.19) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1213190-0000 (2012.12.11) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20121218) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.07.19) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김연상 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
2 | 정성윤 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
3 | 김경준 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 곽현규 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** A&C빌딩 *층(STN국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0556489-14 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2011.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0069399-06 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0679390-99 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.05.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0037772-34 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0380623-90 |
8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.07.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0578866-63 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0578849-97 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0730968-91 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판 위에 패터닝용 고분자 용액을 도포하여 고분자 막을 형성하는 단계;마스크를 통해 상기 고분자 막을 선택적으로 자외선/오존 처리하여 나노리본 형태로 사전 패터닝하는 단계;상기 사전 패터닝된 상기 고분자 막에 산화아연 전구물질 용액을 도포하여 젖음 상태의 필름을 형성하는 단계;상기 필름의 잔여 용매와 상기 고분자 막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계; 및상기 박막을 가열하여 나노리본 형태의 산화아연 박막을 얻는 단계를 포함하는 산화아연 나노리본의 제조방법 |
2 |
2 제1 항에 있어서,상기 고분자 막은 아크릴계 고분자 막인 산화아연 나노리본의 제조방법 |
3 |
3 제1 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 탄소 성분이 없는 산화아연 나노리본의 제조방법 |
4 |
4 제3 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 수산화아연아민 복합체인 산화아연 나노리본의 제조방법 |
5 |
5 제1 항에 있어서,상기 잔여 용매와 상기 고분자 막의 제거를 위해 친수성 용매와 소수성 용매의 공비 혼합 용매를 사용하는 산화아연 나노리본의 제조방법 |
6 |
6 플렉시블 기판 위에 쇼트키 접촉 전극을 형성하는 단계;상기 쇼트키 접촉 전극 위에 패터닝용 고분자 용액을 도포하여 고분자 막을 형성하는 단계;마스크를 통해 상기 고분자 막을 선택적으로 자외선/오존 처리하여 나노리본 형태로 사전 패터닝하는 단계;상기 사전 패터닝된 상기 고분자 막에 산화아연 전구물질 용액을 도포하여 젖음 상태의 필름을 형성하는 단계;상기 필름의 잔여 용매와 상기 고분자 막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계;상기 박막을 가열하여 나노리본 형태의 산화아연 박막을 얻는 단계; 및상기 산화아연 박막 위에 상기 쇼트키 접촉 전극과 겹치지 않도록 오믹 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 나노발전기의 제조방법 |
7 |
7 제6 항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 필름이고, 상기 박막의 가열온도는 300℃ 이하인 압전 나노발전기의 제조방법 |
8 |
8 제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 탄소 성분이 없는 압전 나노발전기의 제조방법 |
9 |
9 제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 수산화아연아민 복합체인 압전 나노발전기의 제조방법 |
10 |
10 플렉시블 기판 위에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 위에 고분자 막을 사전 패터닝하되, 나노리본 형태의 개구부를 갖도록 하는 단계;상기 개구부를 통해 산화아연 전구물질 용액을 상기 플렉시블 기판 위에 도입하는 단계;잔여 용매와 상기 고분자막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계;상기 박막을 가열하여 산화아연 나노리본을 형성하는 단계; 및상기 산화아연 나노리본 위에 상기 하부 전극과 겹치지 않도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 나노발전기의 제조방법 |
11 |
11 제10 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 수산화아연아민 복합체인 압전 나노발전기의 제조방법 |
12 |
12 제11 항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 필름이고, 상기 박막의 가열온도는 300℃ 이하인 압전 나노발전기의 제조방법 |
13 |
13 플렉시블 기판;상기 플렉시블 기판 위에 배치된 하부 전극;상기 하부 전극 위에 나노리본 형태로 패터닝된 산화아연 박막; 및상기 하부 전극과 겹치지 않도록 상기 산화아연 박막 위에 배치된 상부 전극을 포함하는 압전 나노발전기 |
14 |
14 제13 항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 필름인 압전 나노발전기 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 한국과학기술연구원(KIST) | 기반형융합녹색연구사업 | 플렉서블 열전/압전 소자를 위한 요소 기술 개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1213190-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110719 출원 번호 : 1020110071580 공고 연월일 : 20121218 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121130 청구범위의 항수 : 14 유별 : H02N 2/18 발명의 명칭 : 압전 나노발전기의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2012년 12월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2015년 11월 26일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2016년 02월 22일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 316,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 316,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0556489-14 |
2 | 보정요구서 | 2011.08.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0069399-06 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0679390-99 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
5 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.04.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2012.05.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0037772-34 |
7 | 의견제출통지서 | 2012.06.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0380623-90 |
8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.07.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0578866-63 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0578849-97 |
10 | 등록결정서 | 2012.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0730968-91 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345168130 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0031635 |
연구과제명 | 분자 조작 및 조립기반 공정기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 연구지원부 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201109~202008 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345177407 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0019086 |
연구과제명 | 고효율 플렉시블 압전 에너지 하베스터 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201006~201405 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345149893 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0018113 |
연구과제명 | 신기능 나노소자를 위한 계면소재공정 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201105~201604 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345157667 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0079463 |
연구과제명 | 다양한 유기소자 기능향상을 위한 표면 및 계면 처리법 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200905~201202 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345158276 |
---|---|
세부과제번호 | 2010-0019086 |
연구과제명 | 플렉서블 열전/압전 소자를 위한 요소 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201006~201605 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415109131 |
---|---|
세부과제번호 | 10030559 |
연구과제명 | 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200709~201108 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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