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압전 나노발전기의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134839
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉시블 기판 위에 쇼트키 접촉 전극을 형성하는 단계; 상기 쇼트키 접촉 전극 위에 패터닝용 고분자 용액을 도포하여 고분자 막을 형성하는 단계; 마스크를 통해 상기 고분자 막을 선택적으로 자외선/오존 처리하여 나노리본 형태로 사전 패터닝하는 단계; 상기 사전 패터닝된 상기 고분자 막에 산화아연 전구물질 용액을 도포하여 젖음 상태의 필름을 형성하는 단계; 상기 필름의 잔여 용매와 상기 고분자 막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계; 상기 박막을 가열하여 나노리본 형태의 산화아연 박막을 얻는 단계; 및 상기 산화아연 박막 위에 상기 쇼트키 접촉 전극과 겹치지 않도록 오믹 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 나노발전기의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H02N 2/18 (2006.01.01) H02K 5/00 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01)
CPC H02K 5/00(2013.01) H02K 5/00(2013.01) H02K 5/00(2013.01) H02K 5/00(2013.01)
출원번호/일자 1020110071580 (2011.07.19)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1213190-0000 (2012.12.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.19)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김연상 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 정성윤 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김경준 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 곽현규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 ** A&C빌딩 *층(STN국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0556489-14
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0069399-06
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0679390-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037772-34
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0380623-90
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0578866-63
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0578849-97
10 등록결정서
Decision to grant
2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0730968-91
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 패터닝용 고분자 용액을 도포하여 고분자 막을 형성하는 단계;마스크를 통해 상기 고분자 막을 선택적으로 자외선/오존 처리하여 나노리본 형태로 사전 패터닝하는 단계;상기 사전 패터닝된 상기 고분자 막에 산화아연 전구물질 용액을 도포하여 젖음 상태의 필름을 형성하는 단계;상기 필름의 잔여 용매와 상기 고분자 막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계; 및상기 박막을 가열하여 나노리본 형태의 산화아연 박막을 얻는 단계를 포함하는 산화아연 나노리본의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 고분자 막은 아크릴계 고분자 막인 산화아연 나노리본의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 탄소 성분이 없는 산화아연 나노리본의 제조방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 수산화아연아민 복합체인 산화아연 나노리본의 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 잔여 용매와 상기 고분자 막의 제거를 위해 친수성 용매와 소수성 용매의 공비 혼합 용매를 사용하는 산화아연 나노리본의 제조방법
6 6
플렉시블 기판 위에 쇼트키 접촉 전극을 형성하는 단계;상기 쇼트키 접촉 전극 위에 패터닝용 고분자 용액을 도포하여 고분자 막을 형성하는 단계;마스크를 통해 상기 고분자 막을 선택적으로 자외선/오존 처리하여 나노리본 형태로 사전 패터닝하는 단계;상기 사전 패터닝된 상기 고분자 막에 산화아연 전구물질 용액을 도포하여 젖음 상태의 필름을 형성하는 단계;상기 필름의 잔여 용매와 상기 고분자 막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계;상기 박막을 가열하여 나노리본 형태의 산화아연 박막을 얻는 단계; 및상기 산화아연 박막 위에 상기 쇼트키 접촉 전극과 겹치지 않도록 오믹 접촉 전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 나노발전기의 제조방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 필름이고, 상기 박막의 가열온도는 300℃ 이하인 압전 나노발전기의 제조방법
8 8
제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 탄소 성분이 없는 압전 나노발전기의 제조방법
9 9
제6 항 또는 제7 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 수산화아연아민 복합체인 압전 나노발전기의 제조방법
10 10
플렉시블 기판 위에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 위에 고분자 막을 사전 패터닝하되, 나노리본 형태의 개구부를 갖도록 하는 단계;상기 개구부를 통해 산화아연 전구물질 용액을 상기 플렉시블 기판 위에 도입하는 단계;잔여 용매와 상기 고분자막을 제거하여 나노리본 형태로 패터닝된 박막을 얻는 단계;상기 박막을 가열하여 산화아연 나노리본을 형성하는 단계; 및상기 산화아연 나노리본 위에 상기 하부 전극과 겹치지 않도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 압전 나노발전기의 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 산화아연 전구물질은 수산화아연아민 복합체인 압전 나노발전기의 제조방법
12 12
제11 항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 필름이고, 상기 박막의 가열온도는 300℃ 이하인 압전 나노발전기의 제조방법
13 13
플렉시블 기판;상기 플렉시블 기판 위에 배치된 하부 전극;상기 하부 전극 위에 나노리본 형태로 패터닝된 산화아연 박막; 및상기 하부 전극과 겹치지 않도록 상기 산화아연 박막 위에 배치된 상부 전극을 포함하는 압전 나노발전기
14 14
제13 항에 있어서,상기 플렉시블 기판은 플라스틱 필름인 압전 나노발전기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술연구원(KIST) 기반형융합녹색연구사업 플렉서블 열전/압전 소자를 위한 요소 기술 개발