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플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015136733
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은 플렉스블 유기 기판 상에 금속 게이트 라인을 형성하는 단계, 금속 게이트 라인을 덮도록 유기 기판 상에 유기물 유전층을 형성하는 단계, 불화 계열의 포토레지스트와 현상액을 사용하는 포토리소그라피 공정으로 금속 게이트 라인의 위치와 대응하는 위치의 유기물 유전층 상에 미세 마스크 패턴을 형성하는 단계, 미세 마스크 패턴을 이용하여 미세 마스크 패턴의 양측의 유기물 유전층 상에 금속 소스/드레인 전극을 형성하는 단계 및 미세 마스크 패턴을 제거하여 생긴 금속 소스/드레인 전극 사이의 갭에 유기물 반도체 물질을 증착하여 유기물 액티브 채널을 형성하는 단계를 포함한다. 본 실시예에 따른 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법은 상보형 유기 인버터의 제조 공정에도 이용될 수 있다.
Int. CL H01L 51/40 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01)
출원번호/일자 1020140051683 (2014.04.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1533822-0000 (2015.06.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150703) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이탁희 대한민국 서울특별시 관악구
2 장진곤 대한민국 서울특별시 관악구
3 이진균 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신지 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 ***호실(역삼동, 청원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0410985-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0094711-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0870332-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0141554-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0141556-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0425162-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉스블 유기 기판 상에 금속 게이트 라인을 형성하는 단계;상기 금속 게이트 라인을 덮도록 상기 유기 기판 상에 유기물 유전층을 형성하는 단계;불화 계열의 포토레지스트와 현상액을 사용하는 포토리소그라피 공정으로 상기 금속 게이트 라인의 위치와 대응하는 위치의 상기 유기물 유전층 상에 미세 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 미세 마스크 패턴을 이용하여 상기 미세 마스크 패턴의 양측의 상기 유기물 유전층 상에 금속 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 미세 마스크 패턴을 제거하여 생긴 상기 금속 소스/드레인 전극 사이의 갭에 유기물 반도체 물질을 증착하여 유기물 액티브 채널을 형성하는 단계를 포함하는 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 불화 계열의 포토레지스트는 10-20 wt
3 3
제2항에 있어서, 상기 포토리소그라피 공정의 노광 단계에서는 노광된 상기 미세 마스크 패턴이 상기 현상액에 용해되지 않으면서 또한 상기 금속 소스/드레인 전극의 형성을 위한 금속 물질의 리프트-오프 공정에서 제거될 수 있는 소정의 시간 동안만 노광을 하는 것을 특징으로 하는 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 포토리소그라피 공정에서는 네가티브 유형의 포토레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 소스/드레인 전극은 상기 유기물 유전층 상에 형성된 티타늄 접착층 및 상기 티타늄 접착층 상에 형성된 금 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 유기물 반도체 물질은 펜타센을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 소스/드레인 전극을 형성하는 단계는상기 미세 마스크 패턴이 형성되어 있는 상기 유기물 유전층 상에 상기 미세 마스크 패턴을 덮도록 금속 물질을 증착하는 단계; 및상기 미세 마스크 패턴의 상면이 노출될 때까지 리프트-오프 공정으로 증착된 금속 물질의 일부를 제거하여 상기 금속 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉스블 유기 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 교육과학기술부 서울대학교 기초연구사업 (리더연구자지원사업) 분자나노소자 창의연구단