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하부전극;상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층; 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층; 및상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 다공성 부도체 박막은 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질, 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질 및 Silica 계열의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질로 형성된 상변화 메모리 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질로는 (H-SiO3/2)n, (alkyl-SiO3/2)n, (alkenyl-SiO3/2)n, (alkoxy-SiO3/2)n 및 (aryl-SiO3/2)n 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질로는 SiLKTM(Dow chemial), ZirconTM(Shipley) 및 NanoglassTM(Honeywell) 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 Silica 계열의 물질로는 CoralTM(Novellus), Black DiamondTM(Applied Materials) 및 AuroraTM(ASM) 및 OrionTM(Trikon) 중 선택된 어느 하나를 사용하는 상변화 메모리 소자
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 기공의 크기는 1×1nm2~5×5nm2 인 상변화 메모리 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 다공성 부도체 박막은 1~10nm 정도의 두께로 형성된 상변화 메모리 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 발열체는 상기 하부전극과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 발열체는 TiN, TaN, WN, MoN, NbN, TiSiN, TiAlN, TiBN, WBN, ZrAlN, MoSiN, MoAlN, TaSiN, TaAlN, Ti, W, Mo, Ta, TiSi, TaSi, TiON, TiAlON, WON, TaON 및 도전성 탄소 계열 물질 중에서 선택된 어느 하나 혹은 그 조합으로 이루어진 상변화 메모리 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 상변화 물질은 상기 상변화층과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 상변화 물질은 Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O으로 구성된 칼코제나이드(chalcogenide) 물질로 이루어지거나, GeaSbbTec(a, b, c는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0<a,b,c<1), IndAgeSbfTeg(d, e, f는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0<d,e,f,g<1)과 같은 일군의 화합물 중 선택된 화합물로 이루어진 상변화 메모리 소자
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하부전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 하부전극 상에 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질, 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질 및 Silica 계열의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지며 복수의 기공을 갖는 다공성 부도체 박막을 형성하는 단계;상기 다공성 부도체 박막에 형성된 상기 기공을 발열체로 채워 오믹 컨택층을 형성하는 단계;상기 오믹 컨택층 상에 상변화층을 형성하는 단계; 및상기 상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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하부전극이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 하부전극 상에 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질, 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질 및 Silica 계열의 물질 중 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지며 복수의 기공을 갖는 다공성 부도체 박막을 형성하는 단계;상기 다공성 부도체 박막의 상기 기공이 채워지도록 상기 다공성 부도체 박막 상에 상변화층을 형성하는 단계; 및상기 상변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 Silsesquioxane(SSQ) 계열의 물질로는 (H-SiO3/2)n, (alkyl-SiO3/2)n, (alkenyl-SiO3/2)n, (alkoxy-SiO3/2)n 및 (aryl-SiO3/2)n 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 무극성 탄소-탄소 결합을 하고 있는 고분자 물질로는 SiLKTM(Dow chemial), ZirconTM(Shipley) 및 NanoglassTM(Honeywell) 중 선택된 어느 하나를 사용하고, 상기 Silica 계열의 물질로는 CoralTM(Novellus), Black DiamondTM(Applied Materials) 및 AuroraTM(ASM) 및 OrionTM(Trikon) 중 선택된 어느 하나를 사용하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서, 상기 기공의 크기는 1×1nm2~5×5nm2 인 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 다공성 부도체 박막은 1~10nm 정도의 두께로 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 발열체는 상기 하부전극과 동일한 물질로 이루어진 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 발열체는 TiN, TaN, WN, MoN, NbN, TiSiN, TiAlN, TiBN, WBN, ZrAlN, MoSiN, MoAlN, TaSiN, TaAlN, Ti, W, Mo, Ta, TiSi, TaSi, TiON, TiAlON, WON, TaON 및 도전성 탄소 계열 물질 중에서 선택된 어느 하나 혹은 그 조합으로 이루어진 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 상변화층은 상변화 물질로 이루어지되, 상기 상변화 물질은 Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P 및 O으로 구성된 칼코제나이드(chalcogenide) 물질로 이루어지거나, GeaSbbTec(a, b, c는 각각 원자 몰분율, a+b+c=1, 0<a,b,c<1), IndAgeSbfTeg(d, e, f는 각각 원자 몰분율, d+e+f+g=1, 0<d,e,f,g<1)과 같은 일군의 화합물 중 선택된 화합물로 이루어진 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 발열체는 화학기상증착법, 물리기상증착법, 원자층증착법 또는 스핀 코팅법으로 상기 기공에 채워지는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 상변화층은 화학기상증착법, 물리기상증착법, 원자층증착법 또는 스핀 코팅법으로 형성하는 상변화 메모리 소자의 제조방법
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