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질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015162060
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 소자는 기판상에서 거리를 두고 배치된 질화물계의 제1 전극 및 제2 전극, 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 질화물계의 채널층, 채널층을 감싸는 절연층, 및 절연층상에서 절연층을 감싸며 형성되는 제3 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120114873 (2012.10.16)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1395026-0000 (2014.05.08)
공개번호/일자 10-2014-0048657 (2014.04.24) 문서열기
공고번호/일자 (20140515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.16)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구광역시 수성구
2 임기식 대한민국 대구광역시 북구
3 김동석 대한민국 대구광역시 동구
4 강희성 대한민국 대구광역시 북구
5 손동혁 대한민국 경상북도 김천시 문지왈길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0840281-99
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0919216-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041475-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0592422-15
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0972003-65
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0972000-28
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0219238-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 형성된 고저항의 질화물층;상기 고저항의 질화물층 상에서, '서로 거리를 두고 배치된 질화물계의 제1 전극 및 제2 전극';상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 질화물계의 채널층;상기 채널층을 감싸는 절연층; 및상기 절연층상에서 상기 절연층을 감싸며 형성되는 제3 전극;을포함하는 질화물 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층은 동일 물질로 일체화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 고저항의 질화물층은 고저항의 질화갈륨(GaN) 층이며,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층은 실리콘이 도핑된 질화갈륨(GaN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 전극에서 제2 전극으로 향하는 방향과 수직한 방향으로의 상기 채널층의 형성 너비(W)는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 너비와 다른 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층은 상기 기판상에 형성된 두께 및 너비가 나노(nano) 사이즈인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
6 6
기판상에 고저항의 질화물층을 형성하는 단계;상기 고저항의 질화물층 상에서 '서로 거리를 두어 질화물계의 제1 전극 및 제2 전극을 형성'하는 단계;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 질화물계의 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층을 감싸는 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층상에서 상기 절연층을 감싸는 제3 전극을 형성하는 단계;를포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층은 동일 물질로 일체화되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 고저항의 질화물층은, 고저항의 질화갈륨(GaN) 층으로 형성하며,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층은 실리콘이 도핑된 질화갈륨(GaN)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 제1 전극에서 제2 전극으로 향하는 방향과 수직한 방향으로의 상기 채널층의 형성 너비(W)는 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 너비와 다른 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층은 상기 기판상에서 두께 및 너비를 나노(nano) 사이즈로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
11 11
기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 제1 질화갈륨층을 형성하는 단계;상기 제1 질화갈륨층상에 제2 질화갈륨층을 형성하는 단계;상기 제2 질화갈륨층을 식각하여 상기 기판상에서 이격된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층상에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층상에 제3 전극을 형성하는 단계;를포함하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 제1 질화갈륨층은 고저항의 질화갈륨으로 형성되고,상기 제2 질화갈륨층은 실리콘이 도핑된 질화갈륨으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 기판상에 형성된 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 채널층의 두께 및 너비는 나노 사이즈인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자의 제조 방법
14 14
관통 홀을 갖는 기판상에서 거리를 두고 배치된 질화물계의 제1 전극 및 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 연결하는 질화물계의 채널층;상기 채널층을 감싸는 절연층; 및상기 기판의 양면에서 상기 관통 홀을 통해 서로 전기적으로 연결되며, 상기 절연층을 감싸며 형성되는 제3 전극;을포함하는 질화물 반도체 소자
15 15
제14항에 있어서,상기 기판은 상기 관통 홀을 통해 상기 제3 전극의 양단을 노출시키며,상기 제3 전극은 상기 양단이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
16 16
제15항에 있어서,상기 기판은 상기 관통 홀을 통해 상기 채널층을 추가로 노출시키며,상기 노출된 상기 채널층상에 형성되는 절연층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
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1 US2014103352 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9035319 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 경북대학교 지방대학경쟁력기반확충(지방 세계수준 연구중심대학 육성_일반) 3차원 반도체 소자의 제작, 분석 그리고 모델링에 관한 연구