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3차원 구조의 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법(3-Dimensional Carbon Nanotube Field Effect Transistor and Manufacturing Method Thereof)

  • 기술번호 : KST2017014815
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 구조의 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터는 기판; 상기 기판 상부 일부 영역에 3차원 구조로 형성되는 구조층; 상기 구조층 상부에 탄소나노튜브(CNT) 네트워크 박막이 형성되는 채널층; 상기 채널층 상부 일부 영역에 일정 간격 이격되어 형성되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 채널층 상부에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층 상부 일부 영역에 형성되는 게이트 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/78 (2016.04.11) H01L 21/02 (2016.04.11) H01L 51/00 (2016.04.11) H01L 27/28 (2016.04.11) H01L 29/772 (2016.04.11) H01L 21/8238 (2016.04.11) H01L 29/66 (2016.04.11) H01L 29/417 (2016.04.11)
CPC H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01) H01L 29/785(2013.01)
출원번호/일자 1020160027827 (2016.03.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0104861 (2017.09.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 이동일 대한민국 대전광역시 유성구
3 이병현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0225123-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0000398-99
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0273694-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0584443-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0614150-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0614151-55
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0700020-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부 일부 영역에 3차원 구조로 형성되는 구조층;상기 구조층 상부에 탄소나노튜브(CNT) 네트워크 박막이 형성되는 채널층;상기 채널층 상부 일부 영역에 일정 간격 이격되어 형성되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 채널층 상부에 형성되는 절연층; 및상기 절연층 상부 일부 영역에 형성되는 게이트 전극을 포함하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 구조층은상기 기판 상부 일부 영역에 핀(Fin) 형상의 3차원 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서,상기 구조층은상기 기판 상부 일부 영역에 나노와이어(nanowire) 형상의 3차원 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 채널층은 상기 구조층 상부에 3차원 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 구조층은미리 결정된 온/오프 비율(on/off ratio)에 따라 결정된 종횡비를 가지고 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터
6 6
기판 상부 일부 영역에 3차원 구조의 구조층을 형성하는 단계;상기 구조층 상부에 탄소나노튜브(CNT) 네트워크 박막의 채널층을 형성하는 단계;상기 채널층 상부 일부 영역에 일정 간격 이격하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 채널층 상부에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 절연층 상부 일부 영역에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 구조층을 형성하는 단계는상기 기판 상부 일부 영역에 핀(Fin) 형상의 3차원 구조의 상기 구조층을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
8 8
제6항에 있어서,상기 구조층을 형성하는 단계는상기 기판 상부 일부 영역에 나노와이어(nanowire) 형상의 3차원 구조의 상기 구조층을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
9 9
제6항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는 상기 구조층 상부에 3차원 구조의 탄소나노튜브(CNT) 네트워크 박막의 상기 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 구조층을 형성하는 단계는미리 결정된 온/오프 비율(on/off ratio)에 따라 결정된 종횡비를 가지도록 3차원 구조의 상기 구조층을 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.