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제1 면 및 상기 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는 제1 도전형의 실리콘 기판을 준비하는 단계;선택적으로 상기 실리콘 기판의 상기 제 2면에 나노구조체(nanostructure)를 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 상기 제1 면을 제2 도전형의 도펀트(dopant)로 도핑(doping)하고 상기 나노구조체가 형성된 상기 제2 면을 상기 제1 도전형의 도펀트로 도핑하여, 상기 나노구조체를 갖는 제1 도전형의 고농도 제1 반도체층, 상기 고농도 제1 반도체층보다 상기 제1 도전형의 도핑 농도가 낮은 제1 도전형의 저농도 제1 반도체층, 및 상기 제2 도전형의 제2 반도체층이 차례로 적층된 상기 실리콘 기판 내에 P-N 접합 구조를 형성하는 단계;상기 나노구조체 상에 금속 산화물막을 형성하는 단계; 상기 금속 산화물막 상에 금속 나노입자를 증착하는 단계; 및상기 실리콘 기판의 상기 제1 면 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 금속 산화물막의 두께에 따라서, 접촉 저항이 제어되는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 두께는, 25μm 미만인 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화물막은, 티타늄 산화물막인 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 티타늄 산화물막의 두께는, 5nm 미만인 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 반사방지막을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 면 상에 아연 및 황의 화합물을 포함하는 제1 반사막을 형성하는 단계; 및상기 제1 반사막 상에 마그네슘 및 불소의 화합물을 포함하는 제2 반사막을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화물막 상에 상기 금속 나노입자를 증착한 후,상기 실리콘 기판의 상기 제1 면 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 금속 산화물막 상에 제2 전극을 형성하는 것을 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상기 제1 면 상에 상기 제1 전극을 형성하기 전,상기 제1 면 상에 투명금속산화물막을 형성하는 것을 더 포함하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
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평평한 상부면 및 상기 상부면에 대향하고 나노구조체가 형성된 하부면을 갖고, 제1 도전형의 제1 반도체층 및 제2 도전형의 제2 반도체층을 포함하되, 상기 제1 반도체층은 상기 나노구조체가 형성된 상기 하부면을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 평평한 상기 상부면을 포함하는 실리콘 기판;상기 상부면 상의 반사 방지막; 및상기 나노구조체 상의 금속 나노입자가 증착된 금속 산화물막을 포함하되,상기 반사 방지막은 제1 반사막 및 제2 반사막이 순차적으로 적층된 구조이고, 상기 제1 반도체층은, 상기 나노구조체를 갖는 고농도 제1 반도체층;상기 고농도 제1 반도체층보다 상기 제1 도전형의 도핑 농도가 낮고, 상기 고농도 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 저농도 제1 반도체층을 포함하고, 상기 금속 산화물의 두께에 따라서, 접촉 저항이 제어되는 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 실리콘 기판의 두께는, 25μm 미만인 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 금속 산화물막 상에 투명금속산화물막을 더 포함하는 실리콘 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 제1 반사막은 아연 및 황의 화합물을 포함하고, 상기 제2 반사막은 마그네슘 및 불소의 화합물을 포함하는 실리콘 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 금속 산화물막은, 티타늄 산화물막인 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제12 항에 있어서,상기 티타늄 산화물막의 두께는, 5nm 미만인 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 실리콘 기판으로 조사되는 광에 의해, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 및 제2 반도체층에 의해 형성된 P-N 접합 구조에서 캐리어가 생성되고, 상기 금속 산화물막은 상기 캐리어의 재결합을 방지하는 것을 포함하는 실리콘 태양전지
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